FMM150-0075X2F — купить, цена, наличие
| Наименование: | FMM150-0075X2F |
| Производитель: | Littelfuse |
| Категория: | Транзисторы |
| Артикул: | 013374 |
| Наличие: | Под заказ · авиа 1–3 раза/нед. |
МОП-транзистор (сборка, MOSFET) FMM150-0075X2F
МОП-транзистор (MOSFET) FMM150-0075X2F представляет собой сборку полупроводниковых приборов, предназначенную для управления электрическими цепями и коммутации нагрузок. Он обладает высокой скоростью переключения и низким сопротивлением в открытом состоянии, что делает его подходящим для применения в силовых схемах и импульсных источниках питания.
При монтаже данного транзистора необходимо уделить особое внимание правильному расположению на печатной плате. Необходимо обеспечить достаточный теплоотвод, так как перегрев может привести к выходу из строя компонента. При пайке следует соблюдать температурные режимы, чтобы избежать повреждения полупроводникового кристалла. Также рекомендуется использовать качественные паяльные пасты и флюсы, соответствующие стандартам RoHS.
| China RoHS | Соответствует |
| Постоянный ток стока (ID) | 120 A |
| Сопротивление сток-исток | 5.8 mΩ |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 75 V |
| Входная ёмкость | 10.5 nF |
| Дата выпуска | 2009-08-28 |
| Статус жизненного цикла | Производится |
| Максимальная рабочая температура | 175 °C |
| Максимальная рассеиваемая мощность | 170 W |
| Мин. напряжение пробоя | 75 V |
| Минимальная рабочая температура | -55 °C |
| Тип монтажа | Монтаж в отверстия (THT) |
| Число элементов | 2 |
| Число выводов | 5 |
| Рассеиваемая мощность | 170 W |
| Радиационное упрочнение | Нет |
| Rds(on) макс. | 5.8 mΩ |
| REACH SVHC | Да |
| RoHS | Соответствует |
| Документ | Скачать | |
| Информационный лист | Скачать (6 стр.) |
Похожие товары — Транзисторы
- FQA22P10
- FQB6N80TM — Транзистор MOSFET N-канальный QFET, 800 В, ток 5,8 А, сопротивление канала 1,95 Ом, корпу…
- HTLP181GB-S — Оптопара с фототранзисторным выходом, прямое напряжение 1.15 В, выходной ток 50 мА
- IMZC120R012M2HXKSA1 — Sic Mosfet, N-Ch, 1.2Kv, 129A, To-247; |Infineon Technologies IMZC120R012M2HXKSA1
- IPA60R060C7XKSA1 — МОП-транзистор (MOSFET) IPA60R060C7XKSA1, N-канал, высоковольтный
- IPB044N15N5 — МОП-транзистор (MOSFET) IPB044N15N5, N-канал
- IPB090N06N3GATMA1 — Транзистор MOSFET N-канальный, 60 В, ток 50 А, корпус TO-263
- IPB110N20N3LFATMA1 — Транзистор MOSFET N-канальный, 200 В, ток 88 А, корпус D2PAK
- IRF3205SRB — МОП-транзистор (MOSFET) International Rectifier IRF3205SRB, N-канал, корпус TO-263
- IRF3205STRR — Транзистор MOSFET N-канальный HEXFET, 55 В, корпус D2PAK
- IRF5210S — Транзистор MOSFET P-канальный HEXFET, -100 В, корпус D2PAK
- IRF7306TRPBF — МОП-транзистор (сборка, MOSFET) IRF7306TRPBF, лента