IRF7306TRPBF — купить, цена, наличие
| Наименование: | IRF7306TRPBF |
| Производитель: | Infineon |
| Категория: | Транзисторы |
| Артикул: | 013480 |
| Наличие: | Под заказ · авиа 1–3 раза/нед. |
МОП-транзистор (сборка, MOSFET) IRF7306TRPBF, лента
МОП-транзистор IRF7306TRPBF представляет собой сборку транзисторов в корпусе для поверхностного монтажа, поставляемую в виде ленты. Компонент относится к категории мощных MOSFET-транзисторов, предназначен для работы в цепях с высокими напряжениями и токами.
IRF7306TRPBF активно используется в импульсных источниках питания, инверторах напряжения, преобразователях постоянного тока и других силовых электронных устройствах, где требуется управление большими мощностями. В таких системах он выполняет функции ключа или регулятора тока, обеспечивая эффективное переключение и минимизацию потерь энергии при работе на высоких частотах.
| Корпус | SOIC |
| Покрытие контакта | Олово |
| Постоянный ток стока (ID) | 3 A |
| Номинальный ток | -3.6 A |
| Напряжение пробоя сток-исток | -30 V |
| Сопротивление сток-исток | 100 mΩ |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | -30 V |
| Конфигурация элементов | Сдвоенный |
| Время спада | 18 ns |
| Напряжение затвор-исток (Vgs) | 20 V |
| Высота | 1.75 mm |
| Входная ёмкость | 440 pF |
| Дата выпуска | 2004-10-08 |
| Без свинца | Без свинца |
| Длина | 4.9784 mm |
| Статус жизненного цикла | Производится |
| Максимальная температура перехода | 150 °C |
| Максимальная рабочая температура | 150 °C |
| Максимальная рассеиваемая мощность | 2 W |
| Мин. напряжение пробоя | 30 V |
| Минимальная рабочая температура | -55 °C |
| Тип монтажа | Поверхностный монтаж (SMD) |
| Количество каналов | 2 |
| Число элементов | 2 |
| Число выводов | 8 |
| Сопротивление в открытом состоянии | 100 mΩ |
| Количество в упаковке | 4000 |
| Упаковка | Лента на катушке |
| Рассеиваемая мощность | 2 W |
| Радиационное упрочнение | Нет |
| Rds(on) макс. | 100 mΩ |
| REACH SVHC | Да |
| Сопротивление | 100 mΩ |
| Время нарастания | 17 ns |
| RoHS | Соответствует |
| Код Schedule B | 8541290080 |
| Пороговое напряжение | -1 V |
| Время задержки выключения | 25 ns |
| Время задержки включения | 11 ns |
| Номинальное напряжение (DC) | -30 V |
| Ширина | 3.9878 mm |
| Документ | Скачать | |
| Информационный лист | Скачать (9 стр.) | |
| Информационный лист | Скачать (10 стр.) | |
| Информационный лист | Скачать (4 стр.) | |
| Conflict Mineral Statement | Скачать | |
| Reach Statement | Скачать (6 стр.) | |
| Rohs Statement | Скачать (1 стр.) |
Похожие товары — Транзисторы
- IRF7309TRPBF — МОП-транзистор (сборка, MOSFET) IRF7309TRPBF, лента
- IRF7351 — Силовой полевой транзистор Infineon IRF7351
- IRF7842 — Транзистор MOSFET N-канальный HEXFET, 40 В, корпус SO-8
- IRF7853TRPBF — Транзистор MOSFET N-канальный HEXFET, 100 В, сопротивление канала 18 мОм, корпус SOIC-8
- IRF7862PBF — МОП-транзистор (сдвоенный, MOSFET) IRF7862PBF
- BFR93AE6327 — РЧ-транзистор BFR93AE6327
- BLP15M9S30Z — РЧ-транзистор мощный LDMOS, диапазон 0,01-1,5 ГГц, мощность 30 Вт, усиление 19,3 дБ, напр…
- BSM15GD120DN2E3224BOSA1 — IGBT-модуль Infineon, N-канал, 1200 В, 25 А, напряжение затвора 20 В, винтовое крепление,…
- BSM35GD120DN2E3224BOSA1 — IGBT-модуль Infineon, N-канал, 1200 В, 50 А, рассеиваемая мощность 280 Вт, корпус ECONO2-…
- BSS123 транзистор — МОП-транзистор (MOSFET) BSS123, N-канал
- BSS88E6325 — Маломощный N-канальный полевой транзистор SIPMOS, ток стока 0,25 А, напряжение 240 В, кре…
- BVSS138LT1G — МОП-транзистор (MOSFET) BVSS138LT1G, N-канал, лента