Infineon BSM15GD120DN2E3224BOSA1 — купить, цена, наличие
| Наименование: | Infineon BSM15GD120DN2E3224BOSA1 |
| Производитель: | Infineon |
| Категория: | Транзисторы |
| Артикул: | 004047 |
| Наличие: | Под заказ · авиа 1–3 раза/нед. |
IGBT-модуль Infineon, N-канал, 1200 В, 25 А, напряжение затвора 20 В, винтовое крепление, лента/катушка
IGBT-модуль Infineon BSM15GD120DN2E3224BOSA1 предназначен для управления мощными электрическими нагрузками. Он имеет N-канал, рабочее напряжение до 1200 В и ток коллектора 25 А. Напряжение затвора составляет ±20 В, что позволяет использовать стандартные драйверы управления. Корпус модуля предусматривает винтовое крепление, обеспечивая надёжное соединение и возможность эффективного отвода тепла. Компонент поставляется на ленте/катушке, что удобно для автоматизированного монтажа.
Винтовой монтаж и высокие рабочие напряжения делают этот модуль востребованным в отраслях, требующих управления большими мощностями, таких как силовая электроника промышленных установок, системы управления электродвигателями, источники питания и преобразователи энергии. Основные требования к таким модулям включают устойчивость к высоким напряжениям, низкий уровень потерь проводимости и переключения, а также надёжность работы в условиях высоких температур и интенсивных нагрузок.
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 2.5 V |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO) | 1.2 kV |
| Постоянный ток коллектора | 25 A |
| Высота | 17.5 mm |
| Дата выпуска | 1999-02-01 |
| Статус жизненного цикла | Снят с производства |
| Дата последней закупки (LTB) | 2023-07-15 |
| Дата последней поставки (LTD) | 2024-07-15 |
| Макс. ток коллектора | 25 A |
| Максимальная температура перехода | 150 °C |
| Макс. рабочая температура | 150 °C |
| Число элементов | 6 |
| Число выводов | 17 |
| Рассеиваемая мощность | 870 W |
| RoHS | Соответствует |
| Время задержки выключения | 400 ns |
| Время задержки включения | 55 ns |
| Документ | Скачать | |
| Информационный лист | Скачать (10 стр.) | |
| Информационный лист | Скачать | |
| Conflict Mineral Statement | Скачать |
Похожие товары — Транзисторы
- BC847ALT1G — Транзистор биполярный NPN малой мощности, ток 0,1 А, напряжение 45 В, корпус SOT-23
- BC847B транзистор — Биполярный транзистор (BJT) BC847B, NPN
- BC847B,215 /NXP/ транзистор — Биполярный транзистор (BJT) BC847B, NXP, NPN
- BC847BLT1G — Биполярный транзистор (BJT) BC847BLT1G, NPN, лента
- BC847BS,115 — Транзистор биполярный малой мощности NPN, ток 0,1 А, напряжение 45 В, Nexperia
- BC847C транзистор — Биполярный транзистор (BJT) BC847C, NPN
- BC847C LPF KINGTR — Транзистор биполярный NPN общего назначения, 45 В, ток 0,1 А, мощность 250 мВт, автомобил…
- BC847CLT1G — Биполярный транзистор (BJT) BC847CLT1G, NPN, лента
- BC847CWT1G — Биполярный транзистор (BJT) BC847CWT1G, NPN, лента
- BC848A — Биполярный транзистор (BJT) BC848A, NPN
- BC848C — Биполярный транзистор (BJT) BC848C, NPN
- BC849C,215 транзистор — Биполярный транзистор Nexperia BC849C, NPN общего назначения, 30 В, 100 мА, корпус SOT-23