IRF7309TRPBF — купить, цена, наличие
| Наименование: | IRF7309TRPBF |
| Производитель: | Infineon |
| Категория: | Транзисторы |
| Артикул: | 013448 |
| Наличие: | Под заказ · авиа 1–3 раза/нед. |
МОП-транзистор (сборка, MOSFET) IRF7309TRPBF, лента
МОП-транзистор (MOSFET) IRF7309TRPBF выполнен в виде сборки, предназначен для поверхностного монтажа на ленту. Он относится к категории мощных транзисторов, используемых в схемах управления и коммутации силовых цепей.
IRF7309TRPBF востребован в отраслях, требующих эффективного управления большими токами и напряжениями, таких как автомобильная электроника, промышленная автоматика и источники питания. В автомобильной отрасли важными требованиями являются устойчивость к вибрациям и широкий диапазон рабочих температур. Для промышленной автоматики критичны высокая эффективность и надежность работы в условиях повышенной нагрузки. Источники питания нуждаются в минимальных потерях мощности и высокой скорости переключения.
| Корпус | SOIC |
| Покрытие контакта | Олово |
| Постоянный ток стока (ID) | 4 A |
| Номинальный ток | 4 A |
| Напряжение пробоя сток-исток | 30 V |
| Сопротивление сток-исток | 50 mΩ |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 30 V |
| Напряжение затвор-исток (Vgs) | 20 V |
| Высота | 1.75 mm |
| Входная ёмкость | 520 pF |
| Без свинца | Без свинца |
| Длина | 5 mm |
| Статус жизненного цикла | Производится |
| Максимальная температура перехода | 150 °C |
| Максимальная рабочая температура | 150 °C |
| Максимальная рассеиваемая мощность | 1.4 W |
| Мин. напряжение пробоя | 30 V |
| Минимальная рабочая температура | -55 °C |
| Тип монтажа | Поверхностный монтаж (SMD) |
| Номинальное Vgs | 1 V |
| Количество каналов | 2 |
| Число элементов | 2 |
| Число выводов | 8 |
| Сопротивление в открытом состоянии | 80 mΩ |
| Количество в упаковке | 4000 |
| Упаковка | Лента на катушке |
| Рассеиваемая мощность | 1.4 W |
| Радиационное упрочнение | Нет |
| Rds(on) макс. | 50 mΩ |
| REACH SVHC | Да |
| Сопротивление | 160 mΩ |
| RoHS | Соответствует |
| Код Schedule B | 8541290080 |
| Пороговое напряжение | 1 V |
| Время задержки выключения | 25 ns |
| Ширина | 4 mm |
| Документ | Скачать | |
| Информационный лист | Скачать (11 стр.) | |
| Информационный лист | Скачать (10 стр.) | |
| Информационный лист | Скачать (12 стр.) | |
| Conflict Mineral Statement | Скачать | |
| Reach Statement | Скачать (6 стр.) | |
| Rohs Statement | Скачать (1 стр.) |
Похожие товары — Транзисторы
- IRF7306TRPBF — МОП-транзистор (сборка, MOSFET) IRF7306TRPBF, лента
- IRF7351 — Силовой полевой транзистор Infineon IRF7351
- IRF7842 — Транзистор MOSFET N-канальный HEXFET, 40 В, корпус SO-8
- IRF7853TRPBF — Транзистор MOSFET N-канальный HEXFET, 100 В, сопротивление канала 18 мОм, корпус SOIC-8
- IRF7862PBF — МОП-транзистор (сдвоенный, MOSFET) IRF7862PBF
- 2N3904-TA(RANGE:200-300) — Биполярный транзистор (BJT) 2N3904TA, Jiangsu Huaneng Elec, NPN, группа усиления 200-300
- 2N3955 — Полевой транзистор (JFET) Solid State Manufacturing, N-канальный, кремниевый, корпус TO-71
- 2N7002LT1G — Транзистор MOSFET N-канальный, 60 В, ток ±115 мА, сопротивление канала 7,5 Ом, корпус SOT…
- 2SC2705-Y — Биполярный транзистор (BJT) 2SC2705-Y, NPN
- 2SC2712-Y — Биполярный транзистор (BJT) 2SC2712-Y, NPN
- 2П308В9 Транзистор — Транзистор 2П308В9, отечественное исполнение
- 8NM80G-TN3-R — N-канальный силовой MOSFET, ток 8 А, напряжение 800 В, сопротивление канала 0.78 Ом