BVSS138LT1G — купить, цена, наличие
| Наименование: | BVSS138LT1G |
| Производитель: | onsemi |
| Категория: | Транзисторы |
| Артикул: | 013406 |
| Наличие: | Под заказ · авиа 1–3 раза/нед. |
МОП-транзистор (MOSFET) BVSS138LT1G, N-канал, лента
МОП-транзистор (MOSFET) BVSS138LT1G относится к категории полупроводниковых приборов с N-каналом, выполнен в виде ленты. Этот компонент предназначен для управления электрическими цепями и коммутации сигналов. В описании отсутствует информация о конкретных значениях напряжения, тока, сопротивления и мощности, однако очевидно, что данный транзистор обладает характеристиками, характерными для MOSFET: высоким входным сопротивлением, низким выходным сопротивлением и способностью работать с высокими скоростями переключения.
В схемах силовой электроники и управления он выполняет функцию ключа или усилителя сигнала, обеспечивая эффективное управление мощными нагрузками при минимальных управляющих сигналах. С точки зрения расчёта, основной задачей является подбор транзистора по максимальному напряжению сток-исток, рабочему току и сопротивлению канала в открытом состоянии, чтобы обеспечить надёжное и энергоэффективное функционирование схемы.
| Корпус | SOT-23-3 |
| China RoHS | Соответствует |
| Постоянный ток стока (ID) | 200 mA |
| Сопротивление сток-исток | 3.5 Ω |
| Конфигурация элементов | Одиночный |
| Напряжение затвор-исток (Vgs) | 20 V |
| Без галогенов | Без галогенов |
| Входная ёмкость | 50 pF |
| Без свинца | Без свинца |
| Статус жизненного цикла | Производится |
| Статус жизненного цикла производителя | Активен |
| Максимальная рабочая температура | 150 °C |
| Максимальная рассеиваемая мощность | 225 mW |
| Мин. напряжение пробоя | 50 V |
| Минимальная рабочая температура | -55 °C |
| Число элементов | 1 |
| Число выводов | 3 |
| Упаковка | Лента на катушке |
| Рассеиваемая мощность | 225 mW |
| Радиационное упрочнение | Нет |
| Параметры | AEC-Q101 |
| Rds(on) макс. | 3.5 Ω |
| REACH SVHC | Да |
| RoHS | Соответствует |
| Код Schedule B | 8541210080 |
| Время задержки выключения | 20 ns |
| Время задержки включения | 20 ns |
| Документ | Скачать | |
| Информационный лист | Скачать (8 стр.) | |
| Информационный лист | Скачать (5 стр.) | |
| Информационный лист | Скачать (6 стр.) | |
| Информационный лист | Скачать (7 стр.) | |
| Информационный лист | Скачать | |
| Rohs Statement | Скачать (1 стр.) |
Похожие товары — Транзисторы
- BC847B,215 /NXP/ транзистор — Биполярный транзистор (BJT) BC847B, NXP, NPN
- BC847BLT1G — Биполярный транзистор (BJT) BC847BLT1G, NPN, лента
- BC847BS,115 — Транзистор биполярный малой мощности NPN, ток 0,1 А, напряжение 45 В, Nexperia
- BC847C транзистор — Биполярный транзистор (BJT) BC847C, NPN
- BC847C LPF KINGTR — Транзистор биполярный NPN общего назначения, 45 В, ток 0,1 А, мощность 250 мВт, автомобил…
- BC847CLT1G — Биполярный транзистор (BJT) BC847CLT1G, NPN, лента
- BC847CWT1G — Биполярный транзистор (BJT) BC847CWT1G, NPN, лента
- BC848A — Биполярный транзистор (BJT) BC848A, NPN
- BC848C — Биполярный транзистор (BJT) BC848C, NPN
- BC849C,215 транзистор — Биполярный транзистор Nexperia BC849C, NPN общего назначения, 30 В, 100 мА, корпус SOT-23
- BC856B транзистор — Транзистор биполярный малой мощности PNP, ток 0,1 А, напряжение 65 В, корпус SOT-23
- BC856BLT1G — Биполярный транзистор (BJT) BC856BLT1G, PNP, лента