IPB110N20N3LFATMA1 — купить, цена, наличие

MPN IPB110N20N3LFATMA1 · Infineon
Наименование:IPB110N20N3LFATMA1
Производитель:Infineon
Категория:Транзисторы
Артикул:013495
Наличие:Под заказ · авиа 1–3 раза/нед.
Ориентировочная цена за 1000 шт Уточняем цену…

Транзистор MOSFET N-канальный, 200 В, ток 88 А, корпус D2PAK

Infineon IPB110N20N3LFATMA1 — мощный N-канальный MOSFET транзистор в корпусе D2PAK, рассчитанный на напряжение до 200 В и максимальный ток 88 А. Компонент предназначен для коммутации и управления высокими нагрузками, обеспечивая эффективное управление мощными электрическими цепями.

В реальных условиях эксплуатации транзистор демонстрирует высокий уровень устойчивости к нагреву благодаря эффективному теплоотводу корпуса D2PAK. При этом необходимо учитывать, что с течением времени и под воздействием повышенных температур возможно незначительное изменение параметров, таких как пороговое напряжение и сопротивление канала, что является естественной деградацией полупроводниковых приборов.

КорпусD2PAK
China RoHSНе соответствует
Постоянный ток стока (ID)11 A
Напряжение пробоя сток-исток200 V
Сопротивление сток-исток11 mΩ
Напряжение сток-исток (Vdss)200 V
Напряжение затвор-исток (Vgs)20 V
Высота4.7 mm
Дата выпуска2017-02-16
Статус жизненного циклаСнимается с производства
Дата последней закупки (LTB)2026-09-30
Дата последней поставки (LTD)2027-03-31
Максимальная температура перехода150 °C
Максимальная рабочая температура150 °C
Максимальная рассеиваемая мощность250 W
Мин. напряжение пробоя200 V
Минимальная рабочая температура-55 °C
Количество каналов1
Число элементов1
Число выводов2
Сопротивление в открытом состоянии11 mΩ
Количество в упаковке1000
УпаковкаЛента на катушке
Рассеиваемая мощность250 W
REACH SVHCНет
RoHSСоответствует
Код Schedule B8541290080
Время задержки выключения79 ns
Время задержки включения6 ns
ДокументСкачать
Информационный листСкачать (11 стр.)
Conflict Mineral StatementСкачать

Похожие товары — Транзисторы

Все товары категории «Транзисторы»