IPB110N20N3LFATMA1 — купить, цена, наличие
| Наименование: | IPB110N20N3LFATMA1 |
| Производитель: | Infineon |
| Категория: | Транзисторы |
| Артикул: | 013495 |
| Наличие: | Под заказ · авиа 1–3 раза/нед. |
Транзистор MOSFET N-канальный, 200 В, ток 88 А, корпус D2PAK
Infineon IPB110N20N3LFATMA1 — мощный N-канальный MOSFET транзистор в корпусе D2PAK, рассчитанный на напряжение до 200 В и максимальный ток 88 А. Компонент предназначен для коммутации и управления высокими нагрузками, обеспечивая эффективное управление мощными электрическими цепями.
В реальных условиях эксплуатации транзистор демонстрирует высокий уровень устойчивости к нагреву благодаря эффективному теплоотводу корпуса D2PAK. При этом необходимо учитывать, что с течением времени и под воздействием повышенных температур возможно незначительное изменение параметров, таких как пороговое напряжение и сопротивление канала, что является естественной деградацией полупроводниковых приборов.
| Корпус | D2PAK |
| China RoHS | Не соответствует |
| Постоянный ток стока (ID) | 11 A |
| Напряжение пробоя сток-исток | 200 V |
| Сопротивление сток-исток | 11 mΩ |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 200 V |
| Напряжение затвор-исток (Vgs) | 20 V |
| Высота | 4.7 mm |
| Дата выпуска | 2017-02-16 |
| Статус жизненного цикла | Снимается с производства |
| Дата последней закупки (LTB) | 2026-09-30 |
| Дата последней поставки (LTD) | 2027-03-31 |
| Максимальная температура перехода | 150 °C |
| Максимальная рабочая температура | 150 °C |
| Максимальная рассеиваемая мощность | 250 W |
| Мин. напряжение пробоя | 200 V |
| Минимальная рабочая температура | -55 °C |
| Количество каналов | 1 |
| Число элементов | 1 |
| Число выводов | 2 |
| Сопротивление в открытом состоянии | 11 mΩ |
| Количество в упаковке | 1000 |
| Упаковка | Лента на катушке |
| Рассеиваемая мощность | 250 W |
| REACH SVHC | Нет |
| RoHS | Соответствует |
| Код Schedule B | 8541290080 |
| Время задержки выключения | 79 ns |
| Время задержки включения | 6 ns |
| Документ | Скачать | |
| Информационный лист | Скачать (11 стр.) | |
| Conflict Mineral Statement | Скачать |
Позиция есть у 25 поставщиков на мировых складах. Актуальные цены, остатки и сроки — проверить по партномеру.
Похожие товары — Транзисторы
- BC846BLT1G /ONS/ транзистор — Биполярный транзистор (BJT) BC846BLT1G, ONS, NPN
- BC846C транзистор — Биполярный транзистор (BJT) BC846C, NPN
- BC847A,215 /NXP/ транзистор — Биполярный транзистор (BJT) BC847A, NXP, NPN
- BC847ALT1G — Транзистор биполярный NPN малой мощности, ток 0,1 А, напряжение 45 В, корпус SOT-23
- BC847B транзистор — Биполярный транзистор (BJT) BC847B, NPN
- BC847B,215 /NXP/ транзистор — Биполярный транзистор (BJT) BC847B, NXP, NPN
- BC847BLT1G — Биполярный транзистор (BJT) BC847BLT1G, NPN, лента
- BC847BS,115 — Транзистор биполярный малой мощности NPN, ток 0,1 А, напряжение 45 В, Nexperia
- BC847C транзистор — Биполярный транзистор (BJT) BC847C, NPN
- BC847C LPF KINGTR — Транзистор биполярный NPN общего назначения, 45 В, ток 0,1 А, мощность 250 мВт, автомобил…
- BC847CLT1G — Биполярный транзистор (BJT) BC847CLT1G, NPN, лента
- BC847CWT1G — Биполярный транзистор (BJT) BC847CWT1G, NPN, лента