IPB110N20N3LFATMA1 — купить, цена, наличие
| Наименование: | IPB110N20N3LFATMA1 |
| Производитель: | Infineon |
| Категория: | Транзисторы |
| Артикул: | 013495 |
| Наличие: | Под заказ · авиа 1–3 раза/нед. |
Транзистор MOSFET N-канальный, 200 В, ток 88 А, корпус D2PAK
Infineon IPB110N20N3LFATMA1 — мощный N-канальный MOSFET транзистор в корпусе D2PAK, рассчитанный на напряжение до 200 В и максимальный ток 88 А. Компонент предназначен для коммутации и управления высокими нагрузками, обеспечивая эффективное управление мощными электрическими цепями.
В реальных условиях эксплуатации транзистор демонстрирует высокий уровень устойчивости к нагреву благодаря эффективному теплоотводу корпуса D2PAK. При этом необходимо учитывать, что с течением времени и под воздействием повышенных температур возможно незначительное изменение параметров, таких как пороговое напряжение и сопротивление канала, что является естественной деградацией полупроводниковых приборов.
| Корпус | D2PAK |
| China RoHS | Не соответствует |
| Постоянный ток стока (ID) | 11 A |
| Напряжение пробоя сток-исток | 200 V |
| Сопротивление сток-исток | 11 mΩ |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 200 V |
| Напряжение затвор-исток (Vgs) | 20 V |
| Высота | 4.7 mm |
| Дата выпуска | 2017-02-16 |
| Статус жизненного цикла | Снимается с производства |
| Дата последней закупки (LTB) | 2026-09-30 |
| Дата последней поставки (LTD) | 2027-03-31 |
| Максимальная температура перехода | 150 °C |
| Максимальная рабочая температура | 150 °C |
| Максимальная рассеиваемая мощность | 250 W |
| Мин. напряжение пробоя | 200 V |
| Минимальная рабочая температура | -55 °C |
| Количество каналов | 1 |
| Число элементов | 1 |
| Число выводов | 2 |
| Сопротивление в открытом состоянии | 11 mΩ |
| Количество в упаковке | 1000 |
| Упаковка | Лента на катушке |
| Рассеиваемая мощность | 250 W |
| REACH SVHC | Нет |
| RoHS | Соответствует |
| Код Schedule B | 8541290080 |
| Время задержки выключения | 79 ns |
| Время задержки включения | 6 ns |
| Документ | Скачать | |
| Информационный лист | Скачать (11 стр.) | |
| Conflict Mineral Statement | Скачать |
Похожие товары — Транзисторы
- C3M0021120K — Transistor: N-MOSFET; SIC; unipolar; 1200V; 21mohm; 459W; -55+175 deg.C; THT; TO247-4
- CM1000E3U-34NF — Силовой полупроводниковый модуль (IGBT) Powerex CM1000E3U-34NF
- DMC2041UFDB-7 — МОП-транзистор (сдвоенный, MOSFET) DMC2041UFDB
- DTA114EKAT146 — Цифровой транзистор со встроенными резисторами PNP, ток 0,1 А, напряжение 50 В, ROHM
- DTC114EKAT146 — Транзисторная сборка с встроенными резисторами DTC114EKAT146, NPN
- E-ULN2068B — Сдвоенная сборка транзисторов Дарлингтона NPN, напряжение 50 В, 4 канала
- EL357N(B)(TA)-VG — Фототранзисторная оптопара, напряжение изоляции 3,75 кВ, напряжение до 80 В, ток 50 мА, к…
- EL3H4(B)(TA)-VG — Фототранзисторная оптопара, напряжение изоляции 3,75 кВ AC, напряжение до 80 В, корпус SO…
- EL3H7B — Оптопара с фототранзисторным выходом, прямое падение напряжения 1.2 В
- EL817M(C)-F — Оптопара Everlight EL817M с фототранзисторным выходом, корпус DIP-4
- ELQ3H4(TA)-G — Четырёхканальная фототранзисторная оптопара, изоляция 3,75 кВ AC, ток 50 мА, корпус SSOP-…
- FDN306P — Транзистор MOSFET P-канальный PowerTrench, -12 В, ток -2,6 А, сопротивление канала 40 мОм