Infineon IMZC120R012M2HXKSA1 — купить, цена, наличие

MPN IMZC120R012M2HXKSA1 · Infineon
Наименование:Infineon IMZC120R012M2HXKSA1
Производитель:Infineon
Категория:Транзисторы
Артикул:014364
Наличие:Под заказ · авиа 1–3 раза/нед.
Ориентировочная цена за 1000 шт Уточняем цену…
Цены и наличие у поставщиков Запросить КП

Sic Mosfet, N-Ch, 1.2Kv, 129A, To-247; |Infineon Technologies IMZC120R012M2HXKSA1

Infineon IMZC120R012M2HXKSA1 — это мощный транзистор типа MOSFET на основе карбида кремния (SiC), предназначенный для работы в цепях с высоким напряжением и большими токами. Н-канальный прибор рассчитан на напряжение до 1.2 kV и способен коммутировать токи до 129 A. Корпус TO-247 обеспечивает эффективное охлаждение и подходит для монтажа на радиаторы.

При монтаже данного транзистора важно обеспечить надёжное крепление на радиатор с применением термопасты для минимизации теплового сопротивления. При пайке следует соблюдать температурные режимы, чтобы избежать перегрева полупроводникового кристалла. Также необходимо уделить внимание правильной разводке печатной платы, обеспечив низкое сопротивление и индуктивность соединений, особенно для высокочастотных приложений.

СерияCoolSiC™ G2
Тип МОП-транзистораN-канальный
ТехнологияSiCFET (карбид кремния)
Напряжение сток-исток (Vdss)1200 V
Ток непрерывного стока (Id) при 25°C129A (Tc)
Напряжение управления (макс. Rds On, мин. Rds On)15V, 18V
Rds On (макс.) при Id, Vgs12mOhm @ 57A, 18V
Vgs(th) (макс.) при Id5.1V @ 17.8mA
Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs124 nC @ 18 V
Vgs (макс.)+23V, -7V
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds4050 pF @ 800 V
Мощность рассеивания (макс.)480W (Tc)
Диапазон рабочих температур-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип монтажаМонтаж в отверстия (THT)
Корпус устройства поставщикаPG-TO247-4-17
Корпус/УпаковкаTO-247-4
Статус компонентаАктивен
ДокументСкачать
Информационный листСкачать
Актуальные поставщики и цены — в результатах поиска по партномеру.

Похожие товары — Транзисторы

Все товары категории «Транзисторы»