FDS4435BZ(UMW) — купить, цена, наличие
| Наименование: | FDS4435BZ(UMW) |
| Производитель: | onsemi |
| Категория: | Транзисторы |
| Артикул: | 015995 |
| Наличие: | Под заказ · авиа 1–3 раза/нед. |
Транзистор FDS4435BZ(UMW) серии PowerTrench® производства компании onsemi представляет собой MOSFET с P-каналом, предназначенный для поверхностного монтажа. В устройстве реализована технология МОПФЕТ, обеспечивающая высокую эффективность и надежность. При напряжении сток-исток до 30 В транзистор способен пропускать постоянный ток до 8.8 А. Максимальное напряжение управления составляет ±25 В, а сопротивление канала сток-исток не превышает 20 мОм при токе 8.8 А и напряжении затвор-исток 10 В. Диапазон рабочих температур варьируется от -55°C до 155°C, что обеспечивает устойчивость к экстремальным условиям эксплуатации. Мощность рассеивания ограничена 2.5 Вт, а заряд затвора составляет максимум 40 нК при напряжении затвор-исток 10 В.
В процессе эксплуатации транзистор демонстрирует стабильные рабочие характеристики благодаря технологии PowerTrench®. При больших нагрузках наблюдается умеренный нагрев, который контролируется за счет допустимой мощности рассеивания. При этом старение и деградация параметров минимальны благодаря низкому заряду затвора и хорошей изоляции затвора. С течением времени возможны незначительные изменения порогового напряжения и сопротивления канала, однако они остаются в пределах технических характеристик устройства.
| Серия | PowerTrench® |
| Тип МОП-транзистора | P-канал |
| Технология | МОПФЕТ (металоксидный) |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 30 V |
| Ток непрерывного стока (Id) при 25°C | 8.8A (Ta) |
| Напряжение управления (макс. Rds On, мин. Rds On) | 4.5V, 10V |
| Rds On (макс.) при Id, Vgs | 20mOhm @ 8.8A, 10V |
| Vgs(th) (макс.) при Id | 3V @ 250µA |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs | 40 nC @ 10 V |
| Vgs (макс.) | ±25V |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 1845 pF @ 15 V |
| Мощность рассеивания (макс.) | 2.5W (Ta) |
| Диапазон рабочих температур | -55°C ~ 155°C (TJ) |
| Тип монтажа | Поверхностный монтаж (SMD) |
| Корпус устройства поставщика | 8-SOIC |
| Корпус/Упаковка | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Статус компонента | Активен |
| Документ | Скачать | |
| Информационный лист | Скачать |
Похожие товары — Транзисторы
- FDS4435BZ — Транзистор MOSFET P-канальный PowerTrench, -30 В, ток -8,8 А, сопротивление канала 20 мОм
- FDS4435BZ_F085
- FDS4435BZ(MS)
- FDS4435BZ(XBLW)
- FDS4935A — МОП-транзистор (сдвоенный, MOSFET) FDS4935A, P-канал
- SMMBT3904LT3G
- SMMBT3904WT1G
- SS8050 Y1 — NPN-транзистор SS8050, ток 1.5 А, напряжение 25 В, мощность 300 мВт, корпус SOT-23
- SS8050-Y1 — Биполярный транзистор (BJT) SS8050-Y1, NPN
- SS8050/Y1 — Биполярный транзистор (BJT) SS8050, Jiangsu Huaneng Elec, NPN, группа Y1
- STF10N95K5 — МОП-транзистор (MOSFET) STF10N95K5, N-канал, высоковольтный
- STW14NK50Z — МОП-транзистор (MOSFET) STW14NK50Z, N-канал, высоковольтный