FDS4435BZ(XBLW) — купить, цена, наличие
| Наименование: | FDS4435BZ(XBLW) |
| Производитель: | onsemi |
| Категория: | Транзисторы |
| Артикул: | 015993 |
| Наличие: | Под заказ · авиа 1–3 раза/нед. |
Транзистор FDS4435BZ(XBLW) серии PowerTrench производства компании onsemi представляет собой МОП-транзистор P-канала с поверхностным монтажом. В корпусе 8-SOIC он обеспечивает напряжение сток-исток до 30 В и ток непрерывного стока до 8.8 А при температуре 25°C. Максимальное значение сопротивления канала при включении (Rds On) составляет 20 мОм при токе 8.8 А и напряжении затвор-исток 10 В. Максимальная мощность рассеивания равна 2.5 Вт, а диапазон рабочих температур варьируется от -55°C до 155°C.
При подборе аналога данного транзистора рекомендуется обратить внимание на следующие параметры: напряжение сток-исток, ток непрерывного стока, сопротивление канала при включении, максимальную мощность рассеивания и рабочий температурный диапазон. Также необходимо учитывать заряд затвора и входную емкость, так как они влияют на скорость переключения и энергопотребление схемы. Кроме того, важно убедиться, что аналог подходит по типу монтажа и соответствует корпусу, используемому в конкретной конструкции.
| Серия | PowerTrench® |
| Тип МОП-транзистора | P-канал |
| Технология | МОПФЕТ (металоксидный) |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 30 V |
| Ток непрерывного стока (Id) при 25°C | 8.8A (Ta) |
| Напряжение управления (макс. Rds On, мин. Rds On) | 4.5V, 10V |
| Rds On (макс.) при Id, Vgs | 20mOhm @ 8.8A, 10V |
| Vgs(th) (макс.) при Id | 3V @ 250µA |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs | 40 nC @ 10 V |
| Vgs (макс.) | ±25V |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 1845 pF @ 15 V |
| Мощность рассеивания (макс.) | 2.5W (Ta) |
| Диапазон рабочих температур | -55°C ~ 155°C (TJ) |
| Тип монтажа | Поверхностный монтаж (SMD) |
| Корпус устройства поставщика | 8-SOIC |
| Корпус/Упаковка | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Статус компонента | Активен |
| Документ | Скачать | |
| Информационный лист | Скачать |
Похожие товары — Транзисторы
- FDS4435BZ — Транзистор MOSFET P-канальный PowerTrench, -30 В, ток -8,8 А, сопротивление канала 20 мОм
- FDS4435BZ_F085
- FDS4435BZ(MS)
- FDS4435BZ(UMW)
- FDS4935A — МОП-транзистор (сдвоенный, MOSFET) FDS4935A, P-канал
- BC807.215 — Биполярный транзистор (BJT) BC807, PNP
- BC846ALT1G — Биполярный транзистор (BJT) BC846ALT1G, NPN, лента
- BC846B транзистор — Транзистор биполярный NPN, 65 В, ток 100 мА, мощность 250 мВт, корпус SOT-23, Nexperia
- BC846B.215 — Биполярный транзистор (BJT) BC846B, NPN
- BC846BLT1G — Транзистор биполярный NPN, 65 В, ток 100 мА, мощность 300 мВт, корпус SOT-23
- BC846BLT1G /ONS/ транзистор — Биполярный транзистор (BJT) BC846BLT1G, ONS, NPN
- BC846C транзистор — Биполярный транзистор (BJT) BC846C, NPN