FDS4435BZ(MS) — купить, цена, наличие

MPN FDS4435BZ(MS) · onsemi
Наименование:FDS4435BZ(MS)
Производитель:onsemi
Категория:Транзисторы
Артикул:015990
Наличие:Под заказ · авиа 1–3 раза/нед.
Ориентировочная цена за 1000 шт Уточняем цену…

Транзистор FDS4435BZ(MS) серии PowerTrench производства компании onsemi относится к типу МОП-транзисторов P-канала с технологией МОПФЕТ. Он обладает максимальным напряжением сток-исток 30 В и способен пропускать постоянный ток до 8.8 А при температуре 25°C. Минимальное напряжение управления составляет 4.5 В, максимальное — 10 В. Сопротивление канала сток-исток (Rds On) не превышает 20 мОм при токе 8.8 А и напряжении затвора 10 В. Максимальный заряд затвора достигает 40 нК при напряжении затвора 10 В. Максимальная мощность рассеивания составляет 2.5 Вт. Диапазон рабочих температур варьируется от -55°C до 155°C. Транзистор выполнен в корпусе 8-SOIC для поверхностного монтажа.

Этот транзистор используется в импульсных источниках питания для регулирования напряжения и тока, в схемах защиты от перегрузки и короткого замыкания, а также в инверторах и преобразователях постоянного тока. В источниках питания он обеспечивает стабилизацию выходного напряжения, в схемах защиты — защищает компоненты от превышения допустимых параметров, а в инверторах и преобразователях участвует в изменении уровня напряжения и частоты.

СерияPowerTrench®
Тип МОП-транзистораP-канал
ТехнологияМОПФЕТ (металоксидный)
Напряжение сток-исток (Vdss)30 V
Ток непрерывного стока (Id) при 25°C8.8A (Ta)
Напряжение управления (макс. Rds On, мин. Rds On)4.5V, 10V
Rds On (макс.) при Id, Vgs20mOhm @ 8.8A, 10V
Vgs(th) (макс.) при Id3V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs40 nC @ 10 V
Vgs (макс.)±25V
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds1845 pF @ 15 V
Мощность рассеивания (макс.)2.5W (Ta)
Диапазон рабочих температур-55°C ~ 155°C (TJ)
Тип монтажаПоверхностный монтаж (SMD)
Корпус устройства поставщика8-SOIC
Корпус/Упаковка8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Статус компонентаАктивен
ДокументСкачать
Информационный листСкачать