FDS6990AS — купить, цена, наличие
| Наименование: | FDS6990AS |
| Производитель: | onsemi |
| Категория: | Транзисторы |
| Артикул: | 013496 |
| Наличие: | Под заказ · авиа 1–3 раза/нед. |
МОП-транзистор (сдвоенный, MOSFET) FDS6990AS, P-канал
МОП-транзистор сдвоенный P-канала FDS6990AS представляет собой полупроводниковый прибор, состоящий из двух параллельно включённых полевых транзисторов с изолированным затвором. Обладая характеристиками высокой производительности и низким сопротивлением в открытом состоянии, данный компонент предназначен для коммутации и управления электрическими сигналами и нагрузками в цепях постоянного тока.
В схемах этот сдвоенный транзистор часто используется в качестве ключевого элемента в источниках питания, драйверах двигателей, инверторах и других устройствах, где требуется надежное и эффективное управление большими токами. При расчете схемы необходимо учитывать напряжение сток-исток, ток утечки и сопротивление канала в открытом состоянии, чтобы обеспечить корректную работу устройства и избежать перегрева транзистора.
| Корпус | SOIC |
| China RoHS | Соответствует |
| Постоянный ток стока (ID) | 7.5 A |
| Напряжение пробоя сток-исток | 30 V |
| Сопротивление сток-исток | 22 mΩ |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 30 V |
| Двухполярное напряжение питания | 30 V |
| Конфигурация элементов | Сдвоенный |
| Время спада | 8 ns |
| Напряжение затвор-исток (Vgs) | 20 V |
| Высота | 1.75 mm |
| Входная ёмкость | 550 pF |
| Дата выпуска | 2005-03-24 |
| Без свинца | Без свинца |
| Длина | 5 mm |
| Статус жизненного цикла | Снимается с производства |
| Дата последней закупки (LTB) | 2022-03-31 |
| Дата последней поставки (LTD) | 2023-03-31 |
| Статус жизненного цикла производителя | LAST SHIPMENTS (Last Updated: 2 days ago) |
| Максимальная температура перехода | 150 °C |
| Максимальная рабочая температура | 150 °C |
| Максимальная рассеиваемая мощность | 2 W |
| Мин. напряжение пробоя | 30 V |
| Минимальная рабочая температура | -55 °C |
| Тип монтажа | Поверхностный монтаж (SMD) |
| Номинальное Vgs | 1.7 V |
| Количество каналов | 2 |
| Число элементов | 2 |
| Число выводов | 8 |
| Рассеиваемая мощность | 2 W |
| Rds(on) макс. | 22 mΩ |
| REACH SVHC | Да |
| Сопротивление | 22 mΩ |
| Время нарастания | 8 ns |
| RoHS | Соответствует |
| Код Schedule B | 8541290080 |
| Тип вывода | SMD/SMT |
| Пороговое напряжение | 1.7 V |
| Время задержки выключения | 24 ns |
| Время задержки включения | 8 ns |
| Масса | 187 mg |
| Ширина | 4 mm |
| Документ | Скачать | |
| Технический чертеж | Скачать (1 стр.) | |
| Информационный лист | Скачать | |
| Информационный лист | Скачать (8 стр.) |
Похожие товары — Транзисторы
- FDN306P — Транзистор MOSFET P-канальный PowerTrench, -12 В, ток -2,6 А, сопротивление канала 40 мОм
- FDS4435BZ — Транзистор MOSFET P-канальный PowerTrench, -30 В, ток -8,8 А, сопротивление канала 20 мОм
- FDS4435BZ_F085
- FDS4435BZ(MS)
- FDS4435BZ(UMW)
- FDS4435BZ(XBLW)
- FDS4935A — МОП-транзистор (сдвоенный, MOSFET) FDS4935A, P-канал
- FMM150-0075X2F — МОП-транзистор (сборка, MOSFET) FMM150-0075X2F
- FMMT493QTA — Биполярный транзистор (BJT) FMMT493QTA, NPN
- FMMT493TA — Биполярный транзистор (BJT) FMMT493TA, NPN
- FMMT593QTA — Биполярный транзистор (BJT) FMMT593QTA, PNP
- FMMT720 — Биполярный транзистор (BJT) FMMT720, CY(Changzhou Chaoyin Elec)