FDS6990AS — купить, цена, наличие
| Наименование: | FDS6990AS |
| Производитель: | onsemi |
| Категория: | Транзисторы |
| Артикул: | 013496 |
| Наличие: | Под заказ · авиа 1–3 раза/нед. |
МОП-транзистор (сдвоенный, MOSFET) FDS6990AS, P-канал
МОП-транзистор сдвоенный P-канала FDS6990AS представляет собой полупроводниковый прибор, состоящий из двух параллельно включённых полевых транзисторов с изолированным затвором. Обладая характеристиками высокой производительности и низким сопротивлением в открытом состоянии, данный компонент предназначен для коммутации и управления электрическими сигналами и нагрузками в цепях постоянного тока.
В схемах этот сдвоенный транзистор часто используется в качестве ключевого элемента в источниках питания, драйверах двигателей, инверторах и других устройствах, где требуется надежное и эффективное управление большими токами. При расчете схемы необходимо учитывать напряжение сток-исток, ток утечки и сопротивление канала в открытом состоянии, чтобы обеспечить корректную работу устройства и избежать перегрева транзистора.
| Корпус | SOIC |
| China RoHS | Соответствует |
| Постоянный ток стока (ID) | 7.5 A |
| Напряжение пробоя сток-исток | 30 V |
| Сопротивление сток-исток | 22 mΩ |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 30 V |
| Двухполярное напряжение питания | 30 V |
| Конфигурация элементов | Сдвоенный |
| Время спада | 8 ns |
| Напряжение затвор-исток (Vgs) | 20 V |
| Высота | 1.75 mm |
| Входная ёмкость | 550 pF |
| Дата выпуска | 2005-03-24 |
| Без свинца | Без свинца |
| Длина | 5 mm |
| Статус жизненного цикла | Снимается с производства |
| Дата последней закупки (LTB) | 2022-03-31 |
| Дата последней поставки (LTD) | 2023-03-31 |
| Статус жизненного цикла производителя | LAST SHIPMENTS (Last Updated: 2 days ago) |
| Максимальная температура перехода | 150 °C |
| Максимальная рабочая температура | 150 °C |
| Максимальная рассеиваемая мощность | 2 W |
| Мин. напряжение пробоя | 30 V |
| Минимальная рабочая температура | -55 °C |
| Тип монтажа | Поверхностный монтаж (SMD) |
| Номинальное Vgs | 1.7 V |
| Количество каналов | 2 |
| Число элементов | 2 |
| Число выводов | 8 |
| Рассеиваемая мощность | 2 W |
| Rds(on) макс. | 22 mΩ |
| REACH SVHC | Да |
| Сопротивление | 22 mΩ |
| Время нарастания | 8 ns |
| RoHS | Соответствует |
| Код Schedule B | 8541290080 |
| Тип вывода | SMD/SMT |
| Пороговое напряжение | 1.7 V |
| Время задержки выключения | 24 ns |
| Время задержки включения | 8 ns |
| Масса | 187 mg |
| Ширина | 4 mm |
| Документ | Скачать | |
| Технический чертеж | Скачать (1 стр.) | |
| Информационный лист | Скачать | |
| Информационный лист | Скачать (8 стр.) |
Похожие товары — Транзисторы
- IRF7842 — Транзистор MOSFET N-канальный HEXFET, 40 В, корпус SO-8
- IRF7853TRPBF — Транзистор MOSFET N-канальный HEXFET, 100 В, сопротивление канала 18 мОм, корпус SOIC-8
- IRF7862PBF — МОП-транзистор (сдвоенный, MOSFET) IRF7862PBF
- IRFR9024PbF — МОП-транзистор (MOSFET) IRFR9024PbF, P-канал
- IRL520NSTRR — MOSFET International Rectifier IRL520NS, N-канал HEXFET, 100 В, корпус D2-Pak
- IRLL024NPBF — МОП-транзистор (MOSFET) IRLL024NPBF, N-канал
- IRLML0060TRPBF — МОП-транзистор (MOSFET) IRLML0060TRPBF, N-канал, лента
- IRLML2803PBFCT-ND — Силовой полевой транзистор International Rectifier IRLML2803
- IRLML6346TRPBF — Транзистор MOSFET N-канальный, 30 В, ток 3,4 А, сопротивление канала 46 мОм, напряжение з…
- IRLML6401TRPBF — Транзистор MOSFET P-канальный, -12 В, ток -4,3 А, сопротивление канала 50 мОм, корпус MIC…
- IRLMS6702TRPBF — МОП-транзистор (MOSFET) IRLMS6702TRPBF, N-канал, лента
- IRLR014NPBF — МОП-транзистор (MOSFET) IRLR014NPBF, N-канал