IRLR014NPBF — купить, цена, наличие
| Наименование: | IRLR014NPBF |
| Производитель: | Infineon |
| Категория: | Транзисторы |
| Артикул: | 013475 |
| Наличие: | Под заказ · авиа 1–3 раза/нед. |
МОП-транзистор (MOSFET) IRLR014NPBF, N-канал
МОП-транзистор IRLR014NPBF относится к категории полупроводниковых приборов с изолированным затвором, обладающих высокой эффективностью и быстродействием. Он представляет собой N-канальный транзистор, предназначенный для коммутации и управления электрическими цепями.
В процессе эксплуатации данный транзистор может подвергаться нагреву, что связано с потерями мощности на сопротивлении канала. С течением времени возможны незначительные изменения параметров, такие как увеличение порогового напряжения или снижение максимального тока. Эти изменения обусловлены процессами старения полупроводникового материала и могут повлиять на эффективность работы устройства. В условиях длительной эксплуатации рекомендуется контролировать температуру прибора и обеспечивать адекватное охлаждение для продления срока службы.
| Корпус | DPAK |
| Постоянный ток стока (ID) | 10 A |
| Номинальный ток | 10 A |
| Напряжение пробоя сток-исток | 55 V |
| Сопротивление сток-исток | 140 mΩ |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 55 V |
| Двухполярное напряжение питания | 55 V |
| Конфигурация элементов | Одиночный |
| Время спада | 23 ns |
| Напряжение затвор-исток (Vgs) | 16 V |
| Высота | 2.52 mm |
| Входная ёмкость | 265 pF |
| Дата выпуска | 2001-11-26 |
| Без свинца | Без свинца |
| Статус жизненного цикла | Снят с производства |
| Максимальная температура перехода | 175 °C |
| Максимальная рабочая температура | 175 °C |
| Максимальная рассеиваемая мощность | 28 W |
| Мин. напряжение пробоя | 55 V |
| Минимальная рабочая температура | -55 °C |
| Тип монтажа | Поверхностный монтаж (SMD) |
| Номинальное Vgs | 1 V |
| Количество каналов | 1 |
| Число элементов | 1 |
| Число выводов | 4 |
| Число выводов | 2 |
| Рассеиваемая мощность | 28 W |
| Rds(on) макс. | 140 mΩ |
| REACH SVHC | Нет |
| Сопротивление | 140 mΩ |
| Время нарастания | 47 ns |
| RoHS | Соответствует |
| Пороговое напряжение | 1 V |
| Время задержки выключения | 12 ns |
| Время задержки включения | 6.5 ns |
| Номинальное напряжение (DC) | 55 V |
| Документ | Скачать | |
| Информационный лист | Скачать (10 стр.) | |
| Информационный лист | Скачать (11 стр.) | |
| Информационный лист | Скачать (4 стр.) | |
| Информационный лист | Скачать (12 стр.) | |
| Conflict Mineral Statement | Скачать | |
| Reach Statement | Скачать (6 стр.) |
Похожие товары — Транзисторы
- IRF3205SRB — МОП-транзистор (MOSFET) International Rectifier IRF3205SRB, N-канал, корпус TO-263
- IRF3205STRR — Транзистор MOSFET N-канальный HEXFET, 55 В, корпус D2PAK
- IRF5210S — Транзистор MOSFET P-канальный HEXFET, -100 В, корпус D2PAK
- IRF7306TRPBF — МОП-транзистор (сборка, MOSFET) IRF7306TRPBF, лента
- IRF7309TRPBF — МОП-транзистор (сборка, MOSFET) IRF7309TRPBF, лента
- IRF7351 — Силовой полевой транзистор Infineon IRF7351
- IRF7842 — Транзистор MOSFET N-канальный HEXFET, 40 В, корпус SO-8
- IRF7853TRPBF — Транзистор MOSFET N-канальный HEXFET, 100 В, сопротивление канала 18 мОм, корпус SOIC-8
- IRF7862PBF — МОП-транзистор (сдвоенный, MOSFET) IRF7862PBF
- IRFR9024PbF — МОП-транзистор (MOSFET) IRFR9024PbF, P-канал
- IRL520NSTRR — MOSFET International Rectifier IRL520NS, N-канал HEXFET, 100 В, корпус D2-Pak
- IRLL024NPBF — МОП-транзистор (MOSFET) IRLL024NPBF, N-канал