IRLL024NPBF — купить, цена, наличие
| Наименование: | IRLL024NPBF |
| Производитель: | Infineon |
| Категория: | Транзисторы |
| Артикул: | 013461 |
| Наличие: | Под заказ · авиа 1–3 раза/нед. |
МОП-транзистор (MOSFET) IRLL024NPBF, N-канал
IRLL024NPBF — это мощный N-канальный MOSFET-транзистор, предназначенный для коммутации и управления электрическими нагрузками. В основе его работы лежит принцип управления током стока посредством напряжения затвора, что позволяет эффективно коммутировать большие токи с минимальными потерями энергии.
При монтаже и использовании данного транзистора часто допускают ошибку, не обеспечивая достаточную развязку сигнала управления и силового узла из-за высокого входного сопротивления затвора. Отсутствие надлежащей изоляции может привести к пробою транзистора и выходу из строя всего устройства.
| Корпус | SOT-223 |
| Постоянный ток стока (ID) | 3.1 A |
| Номинальный ток | 3.1 A |
| Напряжение пробоя сток-исток | 55 V |
| Сопротивление сток-исток | 65 mΩ |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 55 V |
| Двухполярное напряжение питания | 55 V |
| Конфигурация элементов | Одиночный |
| Время спада | 25 ns |
| Напряжение затвор-исток (Vgs) | 16 V |
| Высота | 1.4478 mm |
| Входная ёмкость | 510 pF |
| Дата выпуска | 1999-06-21 |
| Без свинца | Без свинца |
| Длина | 6.6802 mm |
| Статус жизненного цикла | Снят с производства |
| Дата последней закупки (LTB) | 2018-12-15 |
| Дата последней поставки (LTD) | 2019-06-15 |
| Максимальная температура перехода | 150 °C |
| Максимальная рабочая температура | 150 °C |
| Максимальная рассеиваемая мощность | 2.1 W |
| Мин. напряжение пробоя | 55 V |
| Минимальная рабочая температура | -55 °C |
| Тип монтажа | Поверхностный монтаж (SMD) |
| Номинальное Vgs | 2 V |
| Число элементов | 1 |
| Число выводов | 3 |
| Число выводов | 4 |
| Сопротивление в открытом состоянии | 65 mΩ |
| Количество в упаковке | 1760 |
| Упаковка | Россыпь |
| Рассеиваемая мощность | 2.1 W |
| Rds(on) макс. | 65 mΩ |
| REACH SVHC | Нет |
| Время восстановления | 58 ns |
| Сопротивление | 80 mΩ |
| Время нарастания | 21 ns |
| RoHS | Соответствует |
| Пороговое напряжение | 2 V |
| Время задержки выключения | 18 ns |
| Время задержки включения | 7.4 ns |
| Номинальное напряжение (DC) | 55 V |
| Ширина | 3.7 mm |
| Документ | Скачать | |
| Информационный лист | Скачать (8 стр.) | |
| Информационный лист | Скачать (4 стр.) | |
| Conflict Mineral Statement | Скачать | |
| Reach Statement | Скачать (6 стр.) | |
| Rohs Statement | Скачать (1 стр.) |
Похожие товары — Транзисторы
- BC847C LPF KINGTR — Транзистор биполярный NPN общего назначения, 45 В, ток 0,1 А, мощность 250 мВт, автомобил…
- BC847CLT1G — Биполярный транзистор (BJT) BC847CLT1G, NPN, лента
- BC847CWT1G — Биполярный транзистор (BJT) BC847CWT1G, NPN, лента
- BC848A — Биполярный транзистор (BJT) BC848A, NPN
- BC848C — Биполярный транзистор (BJT) BC848C, NPN
- BC849C,215 транзистор — Биполярный транзистор Nexperia BC849C, NPN общего назначения, 30 В, 100 мА, корпус SOT-23
- BC856B транзистор — Транзистор биполярный малой мощности PNP, ток 0,1 А, напряжение 65 В, корпус SOT-23
- BC856BLT1G — Биполярный транзистор (BJT) BC856BLT1G, PNP, лента
- BC857C транзистор — Биполярный транзистор Nexperia BC857C, PNP, 65 В, 100 мА, 250 мВт, корпус SOT-23
- BC857CLT1G — Транзистор биполярный малой мощности PNP, 45 В, ток 100 мА, мощность 225 мВт, корпус SOT-…
- BC858ALT1G — Транзистор биполярный PNP малой мощности, ток 0,1 А, напряжение 30 В, корпус SOT-23
- BC858C — Биполярный транзистор (BJT) BC858C, PNP