BC858ALT1G — купить, цена, наличие
| Наименование: | BC858ALT1G |
| Производитель: | onsemi |
| Категория: | Транзисторы |
| Артикул: | 013443 |
| Наличие: | Под заказ · авиа 1–3 раза/нед. |
Транзистор биполярный PNP малой мощности, ток 0,1 А, напряжение 30 В, корпус SOT-23
Это маломощный биполярный транзистор PNP-типа, предназначенный для использования в электронных схемах с максимальным током коллектора до 0,1 А и напряжением коллектор-эмиттер до 30 В. Корпус SOT-23 обеспечивает компактность и удобство монтажа, что делает данный транзистор подходящим для поверхностного монтажа на печатных платах.
При подборе аналога необходимо убедиться, что новый транзистор также является PNP-типа и соответствует исходным параметрам по максимальному току коллектора и напряжению коллектор-эмиттер. Кроме того, важно учитывать тип корпуса и расположение выводов, чтобы обеспечить совместимость с существующей схемой и платой.
| Корпус | SOT-23-3 |
| China RoHS | Соответствует |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 30 V |
| Напряжение пробоя коллектор-эмиттер | 30 V |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 650 mV |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO) | 30 V |
| Покрытие контакта | Олово |
| Номинальный ток | -100 mA |
| Конфигурация элементов | Одиночный |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 5 V |
| Частота | 100 MHz |
| Произведение усиления на полосу | 100 MHz |
| Высота | 1.11 mm |
| hFE (мин.) | 125 |
| Без свинца | Без свинца |
| Длина | 3.04 mm |
| Статус жизненного цикла | Производится |
| Статус жизненного цикла производителя | Активен |
| Макс. напряжение пробоя | 30 V |
| Макс. ток коллектора | 100 mA |
| Максимальная частота | 100 MHz |
| Максимальная рабочая температура | 150 °C |
| Максимальная рассеиваемая мощность | 300 mW |
| Минимальная рабочая температура | -55 °C |
| Число элементов | 1 |
| Число выводов | 3 |
| Упаковка | Лента на катушке |
| Полярность | PNP |
| Рассеиваемая мощность | 300 mW |
| Радиационное упрочнение | Нет |
| REACH SVHC | Да |
| RoHS | Соответствует |
| Код Schedule B | 8541210080 |
| Частота перехода | 100 MHz |
| Номинальное напряжение (DC) | -30 V |
| Ширина | 2.64 mm |
| Документ | Скачать | |
| Информационный лист | Скачать (7 стр.) | |
| Информационный лист | Скачать (9 стр.) | |
| Информационный лист | Скачать (8 стр.) | |
| Rohs Statement | Скачать (3 стр.) |
Позиция есть у 35 поставщиков на мировых складах. Актуальные цены, остатки и сроки — проверить по партномеру.
Похожие товары — Транзисторы
- BC858C — Биполярный транзистор (BJT) BC858C, PNP
- BC858CLT1G — Транзистор биполярный PNP малой мощности, ток 0,1 А, напряжение 30 В, корпус SOT-23
- BC856B транзистор — Транзистор биполярный малой мощности PNP, ток 0,1 А, напряжение 65 В, корпус SOT-23
- BC856BLT1G — Биполярный транзистор (BJT) BC856BLT1G, PNP, лента
- BC857C транзистор — Биполярный транзистор Nexperia BC857C, PNP, 65 В, 100 мА, 250 мВт, корпус SOT-23
- BC857CLT1G — Транзистор биполярный малой мощности PNP, 45 В, ток 100 мА, мощность 225 мВт, корпус SOT-…
- FQB6N80TM — Транзистор MOSFET N-канальный QFET, 800 В, ток 5,8 А, сопротивление канала 1,95 Ом, корпу…
- HTLP181GB-S — Оптопара с фототранзисторным выходом, прямое напряжение 1.15 В, выходной ток 50 мА
- IMZC120R012M2HXKSA1 — Sic Mosfet, N-Ch, 1.2Kv, 129A, To-247; |Infineon Technologies IMZC120R012M2HXKSA1
- IPA60R060C7XKSA1 — МОП-транзистор (MOSFET) IPA60R060C7XKSA1, N-канал, высоковольтный
- IPB044N15N5 — МОП-транзистор (MOSFET) IPB044N15N5, N-канал
- IPB090N06N3GATMA1 — Транзистор MOSFET N-канальный, 60 В, ток 50 А, корпус TO-263