IRLML6346TRPBF — купить, цена, наличие
| Наименование: | IRLML6346TRPBF |
| Производитель: | Infineon |
| Категория: | Транзисторы |
| Артикул: | 013449 |
| Наличие: | Под заказ · авиа 1–3 раза/нед. |
Транзистор MOSFET N-канальный, 30 В, ток 3,4 А, сопротивление канала 46 мОм, напряжение затвора 4,5 В
IRLML6346TRPBF — это N-канальный транзистор типа MOSFET, рассчитанный на напряжение до 30 В и ток до 3,4 А. Сопротивление открытого канала составляет всего 46 мОм, что позволяет эффективно снижать потери на нагрев. При напряжении затвора всего 4,5 В обеспечивается надежное управление транзистором, что делает его подходящим для использования в схемах с низковольтными управляющими сигналами.
Данный транзистор широко используется в импульсных источниках питания, драйверах светодиодов и других устройствах, требующих эффективного управления мощностью. При проектировании печатной платы рекомендуется тщательно продумать трассировку силовых линий, обеспечивая минимальную длину проводников от транзистора к выводам питания и нагрузки. Это позволит снизить паразитные индуктивности и улучшить общие характеристики устройства.
| Корпус | SOT-23 |
| Постоянный ток стока (ID) | 3.4 A |
| Напряжение пробоя сток-исток | 30 V |
| Сопротивление сток-исток | 63 mΩ |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 30 V |
| Конфигурация элементов | Одиночный |
| Время спада | 4.9 ns |
| Напряжение затвор-исток (Vgs) | 12 V |
| Высота | 1.12 mm |
| Входная ёмкость | 270 pF |
| Дата выпуска | 2010-10-28 |
| Без свинца | Без свинца |
| Длина | 3.04 mm |
| Статус жизненного цикла | Производится |
| Максимальная температура перехода | 150 °C |
| Максимальная рабочая температура | 150 °C |
| Максимальная рассеиваемая мощность | 1.3 W |
| Идентификатор корпуса производителя | Micro3 |
| Мин. напряжение пробоя | 30 V |
| Минимальная рабочая температура | -55 °C |
| Тип монтажа | Поверхностный монтаж (SMD) |
| Номинальное Vgs | 800 mV |
| Количество каналов | 1 |
| Число элементов | 1 |
| Число выводов | 3 |
| Сопротивление в открытом состоянии | 63 mΩ |
| Количество в упаковке | 3000 |
| Упаковка | Лента на катушке |
| Рассеиваемая мощность | 1.3 W |
| Rds(on) макс. | 63 mΩ |
| REACH SVHC | Да |
| Время восстановления | 13 ns |
| Сопротивление | 80 MΩ |
| Время нарастания | 4 ns |
| RoHS | Соответствует |
| Код Schedule B | 8541290080 |
| Пороговое напряжение | 800 mV |
| Время задержки выключения | 12 ns |
| Время задержки включения | 3.3 ns |
| Ширина | 1.4 mm |
| Документ | Скачать | |
| Информационный лист | Скачать (11 стр.) | |
| Технический чертеж | Скачать | |
| Информационный лист | Скачать (10 стр.) | |
| Conflict Mineral Statement | Скачать |
Позиция есть у 33 поставщиков на мировых складах. Актуальные цены, остатки и сроки — проверить по партномеру.
Похожие товары — Транзисторы
- IRLML6401TRPBF — Транзистор MOSFET P-канальный, -12 В, ток -4,3 А, сопротивление канала 50 мОм, корпус MIC…
- IRLML0060TRPBF — МОП-транзистор (MOSFET) IRLML0060TRPBF, N-канал, лента
- IRLML2803PBFCT-ND — Силовой полевой транзистор International Rectifier IRLML2803
- IRLMS6702TRPBF — МОП-транзистор (MOSFET) IRLMS6702TRPBF, N-канал, лента
- BFN26E6327HTSA1 — РЧ-транзистор BFN26E6327HTSA1
- BFQ19SH6327XTSA1 — РЧ-транзистор BFQ19SH6327XTSA1
- BFR520 — РЧ-транзистор BFR520
- BFR93AE6327 — РЧ-транзистор BFR93AE6327
- BLP15M9S30Z — РЧ-транзистор мощный LDMOS, диапазон 0,01-1,5 ГГц, мощность 30 Вт, усиление 19,3 дБ, напр…
- BSM15GD120DN2E3224BOSA1 — IGBT-модуль Infineon, N-канал, 1200 В, 25 А, напряжение затвора 20 В, винтовое крепление,…
- BSM35GD120DN2E3224BOSA1 — IGBT-модуль Infineon, N-канал, 1200 В, 50 А, рассеиваемая мощность 280 Вт, корпус ECONO2-…
- BSS123 транзистор — МОП-транзистор (MOSFET) BSS123, N-канал