IRLMS6702TRPBF — купить, цена, наличие
| Наименование: | IRLMS6702TRPBF |
| Производитель: | Infineon |
| Категория: | Транзисторы |
| Артикул: | 013366 |
| Наличие: | Под заказ · авиа 1–3 раза/нед. |
МОП-транзистор (MOSFET) IRLMS6702TRPBF, N-канал, лента
МОП-транзистор (MOSFET) IRLMS6702TRPBF относится к категории устройств с N-каналом и предназначен для поверхностного монтажа в виде ленты. Компонент обладает характеристиками, обеспечивающими эффективное управление электрическими цепями и высокими показателями производительности в электронных схемах.
В схемах силовой электроники он выполняет функцию электронного ключа или усилителя напряжения, обеспечивая быстрое переключение и низкое сопротивление в открытом состоянии. С точки зрения расчета схемы, ключевое значение имеют параметры, такие как пороговое напряжение затвора, сопротивление канала в открытом состоянии и максимально допустимый ток, определяющие эффективность и надежность работы устройства.
| Корпус | SOT-23-6 |
| China RoHS | Не соответствует |
| Постоянный ток стока (ID) | 2.3 A |
| Номинальный ток | -2.3 A |
| Напряжение пробоя сток-исток | -20 V |
| Сопротивление сток-исток | 200 mΩ |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | -20 V |
| Конфигурация элементов | Одиночный |
| Время спада | 18 ns |
| Напряжение затвор-исток (Vgs) | 12 V |
| Высота | 1.45 mm |
| Входная ёмкость | 210 pF |
| Дата выпуска | 1996-03-21 |
| Без свинца | Без свинца |
| Длина | 2.9972 mm |
| Статус жизненного цикла | Снят с производства |
| Дата последней закупки (LTB) | 2022-10-15 |
| Дата последней поставки (LTD) | 2023-04-15 |
| Максимальная температура перехода | 150 °C |
| Максимальная рабочая температура | 150 °C |
| Максимальная рассеиваемая мощность | 780 mW |
| Мин. напряжение пробоя | 20 V |
| Минимальная рабочая температура | -55 °C |
| Тип монтажа | Поверхностный монтаж (SMD) |
| Количество каналов | 1 |
| Число элементов | 1 |
| Число выводов | 6 |
| Сопротивление в открытом состоянии | 200 mΩ |
| Количество в упаковке | 3000 |
| Упаковка | Лента на катушке |
| Рассеиваемая мощность | 780 mW |
| Радиационное упрочнение | Нет |
| Rds(on) макс. | 200 mΩ |
| REACH SVHC | Да |
| Сопротивление | 200 mΩ |
| Время нарастания | 20 ns |
| RoHS | Соответствует |
| Код Schedule B | 8541290080 |
| Пороговое напряжение | -700 mV |
| Время задержки выключения | 21 ns |
| Время задержки включения | 13 ns |
| Номинальное напряжение (DC) | -20 V |
| Ширина | 1.75 mm |
| Документ | Скачать | |
| Информационный лист | Скачать (8 стр.) | |
| Информационный лист | Скачать (3 стр.) | |
| Информационный лист | Скачать (6 стр.) | |
| Conflict Mineral Statement | Скачать | |
| Reach Statement | Скачать (6 стр.) | |
| Rohs Statement | Скачать (1 стр.) |
Похожие товары — Транзисторы
- IRLML0060TRPBF — МОП-транзистор (MOSFET) IRLML0060TRPBF, N-канал, лента
- IRLML2803PBFCT-ND — Силовой полевой транзистор International Rectifier IRLML2803
- IRLML6346TRPBF — Транзистор MOSFET N-канальный, 30 В, ток 3,4 А, сопротивление канала 46 мОм, напряжение з…
- IRLML6401TRPBF — Транзистор MOSFET P-канальный, -12 В, ток -4,3 А, сопротивление канала 50 мОм, корпус MIC…
- BC849C,215 транзистор — Биполярный транзистор Nexperia BC849C, NPN общего назначения, 30 В, 100 мА, корпус SOT-23
- BC856B транзистор — Транзистор биполярный малой мощности PNP, ток 0,1 А, напряжение 65 В, корпус SOT-23
- BC856BLT1G — Биполярный транзистор (BJT) BC856BLT1G, PNP, лента
- BC857C транзистор — Биполярный транзистор Nexperia BC857C, PNP, 65 В, 100 мА, 250 мВт, корпус SOT-23
- BC857CLT1G — Транзистор биполярный малой мощности PNP, 45 В, ток 100 мА, мощность 225 мВт, корпус SOT-…
- BC858ALT1G — Транзистор биполярный PNP малой мощности, ток 0,1 А, напряжение 30 В, корпус SOT-23
- BC858C — Биполярный транзистор (BJT) BC858C, PNP
- BC858CLT1G — Транзистор биполярный PNP малой мощности, ток 0,1 А, напряжение 30 В, корпус SOT-23