IRLML0060TRPBF — купить, цена, наличие
| Наименование: | IRLML0060TRPBF |
| Производитель: | Infineon |
| Категория: | Транзисторы |
| Артикул: | 013470 |
| Наличие: | Под заказ · авиа 1–3 раза/нед. |
МОП-транзистор (MOSFET) IRLML0060TRPBF, N-канал, лента
IRLML0060TRPBF — это MOSFET транзистор с N-каналом, предназначенный для поверхностного монтажа в виде ленты. Компонент относится к классу полевых транзисторов, управляемых электрическим полем, что обеспечивает эффективное переключение и низкое энергопотребление.
В электронных устройствах данный транзистор часто используется в импульсных источниках питания как ключевой элемент, в инверторах напряжения для управления выходным напряжением, а также в схемах драйверов двигателей для коммутации обмоток. ИRLML0060TRPBF подходит для применения в цепях с высокими требованиями к эффективности и компактности.
| Корпус | SOT-23 |
| Постоянный ток стока (ID) | 2.7 A |
| Напряжение пробоя сток-исток | 60 V |
| Сопротивление сток-исток | 92 mΩ |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 60 V |
| Конфигурация элементов | Одиночный |
| Время спада | 4.2 ns |
| Напряжение затвор-исток (Vgs) | 16 V |
| Высота | 1.12 mm |
| Входная ёмкость | 290 pF |
| Дата выпуска | 2009-12-02 |
| Без свинца | Без свинца |
| Длина | 3.0226 mm |
| Статус жизненного цикла | Производится |
| Максимальная температура перехода | 150 °C |
| Максимальная рабочая температура | 150 °C |
| Максимальная рассеиваемая мощность | 1.25 W |
| Мин. напряжение пробоя | 60 V |
| Минимальная рабочая температура | -55 °C |
| Тип монтажа | Поверхностный монтаж (SMD) |
| Номинальное Vgs | 2.5 V |
| Количество каналов | 1 |
| Число элементов | 1 |
| Число выводов | 3 |
| Сопротивление в открытом состоянии | 92 mΩ |
| Количество в упаковке | 3000 |
| Упаковка | Лента на катушке |
| Рассеиваемая мощность | 1.25 W |
| Rds(on) макс. | 92 mΩ |
| REACH SVHC | Да |
| Время восстановления | 21 ns |
| Сопротивление | 92 MΩ |
| Время нарастания | 6.3 ns |
| RoHS | Соответствует |
| Код Schedule B | 8541290080 |
| Пороговое напряжение | 2.5 V |
| Время задержки выключения | 6.8 ns |
| Время задержки включения | 5.4 ns |
| Ширина | 1.397 mm |
| Документ | Скачать | |
| Информационный лист | Скачать (10 стр.) | |
| Conflict Mineral Statement | Скачать | |
| Reach Statement | Скачать (6 стр.) | |
| Rohs Statement | Скачать (1 стр.) |
Похожие товары — Транзисторы
- IRLML2803PBFCT-ND — Силовой полевой транзистор International Rectifier IRLML2803
- IRLML6346TRPBF — Транзистор MOSFET N-канальный, 30 В, ток 3,4 А, сопротивление канала 46 мОм, напряжение з…
- IRLML6401TRPBF — Транзистор MOSFET P-канальный, -12 В, ток -4,3 А, сопротивление канала 50 мОм, корпус MIC…
- IRLMS6702TRPBF — МОП-транзистор (MOSFET) IRLMS6702TRPBF, N-канал, лента
- EL3H4(B)(TA)-VG — Фототранзисторная оптопара, напряжение изоляции 3,75 кВ AC, напряжение до 80 В, корпус SO…
- EL3H7B — Оптопара с фототранзисторным выходом, прямое падение напряжения 1.2 В
- EL817M(C)-F — Оптопара Everlight EL817M с фототранзисторным выходом, корпус DIP-4
- ELQ3H4(TA)-G — Четырёхканальная фототранзисторная оптопара, изоляция 3,75 кВ AC, ток 50 мА, корпус SSOP-…
- FDN306P — Транзистор MOSFET P-канальный PowerTrench, -12 В, ток -2,6 А, сопротивление канала 40 мОм
- FDS4435BZ — Транзистор MOSFET P-канальный PowerTrench, -30 В, ток -8,8 А, сопротивление канала 20 мОм
- FDS4435BZ_F085
- FDS4435BZ(MS)