FDN306P — купить, цена, наличие
| Наименование: | FDN306P |
| Производитель: | onsemi |
| Категория: | Транзисторы |
| Артикул: | 013454 |
| Наличие: | Под заказ · авиа 1–3 раза/нед. |
Транзистор MOSFET P-канальный PowerTrench, -12 В, ток -2,6 А, сопротивление канала 40 мОм
FDN306P — это транзистор типа MOSFET с P-каналом, выполненный по технологии PowerTrench. Он предназначен для работы с напряжением до -12 В и способен выдерживать ток до -2,6 А. Сопротивление открытого канала составляет всего 40 мОм, что делает его подходящим для приложений, требующих низкого падения напряжения и высокой эффективности.
При монтаже этого транзистора важно учитывать его корпус и размеры, чтобы обеспечить надежное крепление на печатной плате. При пайке рекомендуется использовать метод поверхностного монтажа (SMD), обеспечивая короткий цикл нагрева для предотвращения перегрева компонента. Также необходимо соблюдать полярность при установке, учитывая, что это P-канальный транзистор.
| Корпус | TO-236-3 |
| China RoHS | Соответствует |
| Покрытие контакта | Олово |
| Постоянный ток стока (ID) | 2.6 A |
| Ток | 26 A |
| Номинальный ток | -2.6 A |
| Напряжение пробоя сток-исток | -12 V |
| Сопротивление сток-исток | 40 mΩ |
| Двухполярное напряжение питания | -12 V |
| Конфигурация элементов | Одиночный |
| Время спада | 10 ns |
| Напряжение затвор-исток (Vgs) | 8 V |
| Высота | 940 µm |
| Входная ёмкость | 1.138 nF |
| Дата выпуска | 2001-09-28 |
| Без свинца | Без свинца |
| Длина | 2.92 mm |
| Статус жизненного цикла | Производится |
| Статус жизненного цикла производителя | Активен |
| Максимальная рабочая температура | 150 °C |
| Максимальная рассеиваемая мощность | 500 mW |
| Мин. напряжение пробоя | 12 V |
| Минимальная рабочая температура | -55 °C |
| Тип монтажа | Поверхностный монтаж (SMD) |
| Номинальное Vgs | -600 mV |
| Число элементов | 1 |
| Число выводов | 3 |
| Упаковка | Отрезок ленты |
| Рассеиваемая мощность | 500 mW |
| Радиационное упрочнение | Нет |
| Rds(on) макс. | 40 mΩ |
| REACH SVHC | Да |
| Сопротивление | 40 MΩ |
| Время нарастания | 10 ns |
| RoHS | Соответствует |
| Код Schedule B | 8541210080 |
| Тип вывода | SMD/SMT |
| Пороговое напряжение | -600 mV |
| Время задержки выключения | 38 ns |
| Время задержки включения | 11 ns |
| Напряжение | 12 V |
| Номинальное напряжение (DC) | -12 V |
| Ширина | 1.4 mm |
| Документ | Скачать | |
| Информационный лист | Скачать (6 стр.) | |
| Информационный лист | Скачать | |
| Технический чертеж | Скачать (1 стр.) | |
| Rohs Statement | Скачать (3 стр.) |
Похожие товары — Транзисторы
- PZTA42T1G — Биполярный транзистор (BJT) PZTA42T1G
- S8050 Транзистор — Биполярный транзистор (BJT) S8050, NPN
- SCT015W120G3-4AG — Silicon Carbide MOSFET, AEC-Q101, Single, N Channel, 129 A, 1.2 kV, 0.02 ohm, HiP247
- Si4420DY — МОП-транзистор (MOSFET) Si4420DY, N-канал
- SI7129DN-T1-GE3 — МОП-транзистор (MOSFET) SI7129DN-T1-GE3, N-канал
- SISS27ADN-T1-GE3 — P-канальный MOSFET Vishay TrenchFET Gen III, 30 В, сопротивление 5.1 мОм, 57 Вт, корпус P…
- SMMBT3904LT1G
- SMMBT3904LT3G
- SMMBT3904WT1G
- SS8050 Y1 — NPN-транзистор SS8050, ток 1.5 А, напряжение 25 В, мощность 300 мВт, корпус SOT-23
- SS8050-Y1 — Биполярный транзистор (BJT) SS8050-Y1, NPN
- SS8050/Y1 — Биполярный транзистор (BJT) SS8050, Jiangsu Huaneng Elec, NPN, группа Y1