FDN306P — купить, цена, наличие
| Наименование: | FDN306P |
| Производитель: | onsemi |
| Категория: | Транзисторы |
| Артикул: | 013454 |
| Наличие: | Под заказ · авиа 1–3 раза/нед. |
Транзистор MOSFET P-канальный PowerTrench, -12 В, ток -2,6 А, сопротивление канала 40 мОм
FDN306P — это транзистор типа MOSFET с P-каналом, выполненный по технологии PowerTrench. Он предназначен для работы с напряжением до -12 В и способен выдерживать ток до -2,6 А. Сопротивление открытого канала составляет всего 40 мОм, что делает его подходящим для приложений, требующих низкого падения напряжения и высокой эффективности.
При монтаже этого транзистора важно учитывать его корпус и размеры, чтобы обеспечить надежное крепление на печатной плате. При пайке рекомендуется использовать метод поверхностного монтажа (SMD), обеспечивая короткий цикл нагрева для предотвращения перегрева компонента. Также необходимо соблюдать полярность при установке, учитывая, что это P-канальный транзистор.
| Корпус | TO-236-3 |
| China RoHS | Соответствует |
| Покрытие контакта | Олово |
| Постоянный ток стока (ID) | 2.6 A |
| Ток | 26 A |
| Номинальный ток | -2.6 A |
| Напряжение пробоя сток-исток | -12 V |
| Сопротивление сток-исток | 40 mΩ |
| Двухполярное напряжение питания | -12 V |
| Конфигурация элементов | Одиночный |
| Время спада | 10 ns |
| Напряжение затвор-исток (Vgs) | 8 V |
| Высота | 940 µm |
| Входная ёмкость | 1.138 nF |
| Дата выпуска | 2001-09-28 |
| Без свинца | Без свинца |
| Длина | 2.92 mm |
| Статус жизненного цикла | Производится |
| Статус жизненного цикла производителя | Активен |
| Максимальная рабочая температура | 150 °C |
| Максимальная рассеиваемая мощность | 500 mW |
| Мин. напряжение пробоя | 12 V |
| Минимальная рабочая температура | -55 °C |
| Тип монтажа | Поверхностный монтаж (SMD) |
| Номинальное Vgs | -600 mV |
| Число элементов | 1 |
| Число выводов | 3 |
| Упаковка | Отрезок ленты |
| Рассеиваемая мощность | 500 mW |
| Радиационное упрочнение | Нет |
| Rds(on) макс. | 40 mΩ |
| REACH SVHC | Да |
| Сопротивление | 40 MΩ |
| Время нарастания | 10 ns |
| RoHS | Соответствует |
| Код Schedule B | 8541210080 |
| Тип вывода | SMD/SMT |
| Пороговое напряжение | -600 mV |
| Время задержки выключения | 38 ns |
| Время задержки включения | 11 ns |
| Напряжение | 12 V |
| Номинальное напряжение (DC) | -12 V |
| Ширина | 1.4 mm |
| Документ | Скачать | |
| Информационный лист | Скачать (6 стр.) | |
| Информационный лист | Скачать | |
| Технический чертеж | Скачать (1 стр.) | |
| Rohs Statement | Скачать (3 стр.) |
Позиция есть у 36 поставщиков на мировых складах. Актуальные цены, остатки и сроки — проверить по партномеру.
Похожие товары — Транзисторы
- SS8050-Y1 — Биполярный транзистор (BJT) SS8050-Y1, PNP
- SS8050/Y1 — Биполярный транзистор (BJT) SS8050, Jiangsu Huaneng Elec, PNP, группа Y1
- STF10N95K5 — МОП-транзистор (MOSFET) STF10N95K5, N-канал, высоковольтный
- STW14NK50Z — МОП-транзистор (MOSFET) STW14NK50Z, N-канал, высоковольтный
- TEFT4300 фототранзистор 3mm 940 nm черный корпус — Фототранзистор TEFT4300, диаметр 3 мм, длина волны 940 нм, чёрный корпус
- TIP122 npn Darlington 100V 5A 65W — Составной транзистор (Дарлингтон) TIP122, NPN, напряжение 100 В, ток 5 А, мощность 65 Вт
- TIP122-TU — Составной транзистор (Дарлингтон) TIP122, Jiangsu Huaneng Elec, NPN
- ULN2001D(UMW) — Матрица транзисторов Дарлингтона ULN2001, корпус SOP-8
- ULN2003ACM/TR — 7-канальная матрица транзисторов Дарлингтона ULN2003, напряжение 50 В, ток 500 мА, корпус…
- ULN2003ALM/TR — 7-канальная матрица транзисторов Дарлингтона ULN2003, напряжение 50 В, ток 500 мА, корпус…
- ULN2003AM/TR — Микросхема матрицы транзисторов Дарлингтона семиканальная, 50 В, корпус SOP-16
- ULN2003AMT/TR — 7-канальная матрица транзисторов Дарлингтона ULN2003A, напряжение 50 В, ток 500 мА, корпу…