BFQ19SH6327XTSA1 — купить, цена, наличие
| Наименование: | BFQ19SH6327XTSA1 |
| Производитель: | Infineon |
| Категория: | Транзисторы |
| Артикул: | 013460 |
| Наличие: | Под заказ · авиа 1–3 раза/нед. |
РЧ-транзистор BFQ19SH6327XTSA1
РЧ-транзистор BFQ19SH6327XTSA1 предназначен для использования в радиоэлектронных устройствах, работающих на высоких частотах. Он обеспечивает эффективное усиление сигналов в диапазоне радиочастот, обладая оптимальными характеристиками для применения в условиях повышенных требований к качеству передачи сигнала.
Данный транзистор используется в таких устройствах, как передатчики и приёмники радиостанций, усилители телевизионного сигнала, блоки радиосвязи и модули радиомодуляций. В каждом из этих применений он играет ключевую роль, обеспечивая усиление и передачу радиосигнала с минимальными потерями и искажениями.
| Корпус | SOT |
| China RoHS | Соответствует |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 20 V |
| Напряжение пробоя коллектор-эмиттер | 15 V |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO) | 15 V |
| Покрытие контакта | Олово |
| Конфигурация элементов | Одиночный |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 3 V |
| Коэффициент усиления | 7 dB |
| Без галогенов | Без галогенов |
| Высота | 1.5 mm |
| hFE (мин.) | 25 |
| Дата выпуска | 1990-05-01 |
| Без свинца | Без свинца |
| Длина | 4.5 mm |
| Статус жизненного цикла | Снят с производства |
| Дата последней закупки (LTB) | 2027-05-15 |
| Макс. напряжение пробоя | 15 V |
| Макс. ток коллектора | 120 mA |
| Максимальная частота | 1.5 GHz |
| Максимальная рабочая температура | 150 °C |
| Максимальная рассеиваемая мощность | 1 W |
| Минимальная рабочая температура | -65 °C |
| Тип монтажа | Поверхностный монтаж (SMD) |
| Коэффициент шума | 1.8 dB |
| Число элементов | 1 |
| Число выводов | 3 |
| Количество в упаковке | 1000 |
| Упаковка | Лента на катушке |
| Полярность | NPN |
| Усиление по мощности | 11.5 dB |
| Параметры | AEC-Q101 |
| REACH SVHC | Да |
| RoHS | Соответствует |
| Частота перехода | 5.5 GHz |
| Ширина | 2.5 mm |
| Документ | Скачать | |
| Информационный лист | Скачать (7 стр.) | |
| Conflict Mineral Statement | Скачать |
Похожие товары — Транзисторы
- SS8050 Y1 — NPN-транзистор SS8050, ток 1.5 А, напряжение 25 В, мощность 300 мВт, корпус SOT-23
- SS8050-Y1 — Биполярный транзистор (BJT) SS8050-Y1, PNP
- SS8050/Y1 — Биполярный транзистор (BJT) SS8050, Jiangsu Huaneng Elec, PNP, группа Y1
- STF10N95K5 — МОП-транзистор (MOSFET) STF10N95K5, N-канал, высоковольтный
- STW14NK50Z — МОП-транзистор (MOSFET) STW14NK50Z, N-канал, высоковольтный
- TEFT4300 фототранзистор 3mm 940 nm черный корпус — Фототранзистор TEFT4300, диаметр 3 мм, длина волны 940 нм, чёрный корпус
- TIP122 npn Darlington 100V 5A 65W — Составной транзистор (Дарлингтон) TIP122, NPN, напряжение 100 В, ток 5 А, мощность 65 Вт
- TIP122-TU — Составной транзистор (Дарлингтон) TIP122, Jiangsu Huaneng Elec, NPN
- ULN2001D(UMW) — Матрица транзисторов Дарлингтона ULN2001, корпус SOP-8
- ULN2003ACM/TR — 7-канальная матрица транзисторов Дарлингтона ULN2003, напряжение 50 В, ток 500 мА, корпус…
- ULN2003ALM/TR — 7-канальная матрица транзисторов Дарлингтона ULN2003, напряжение 50 В, ток 500 мА, корпус…
- ULN2003AM/TR — Микросхема матрицы транзисторов Дарлингтона семиканальная, 50 В, корпус SOP-16