BFQ19SH6327XTSA1 — купить, цена, наличие
| Наименование: | BFQ19SH6327XTSA1 |
| Производитель: | Infineon |
| Категория: | Транзисторы |
| Артикул: | 013460 |
| Наличие: | Под заказ · авиа 1–3 раза/нед. |
РЧ-транзистор BFQ19SH6327XTSA1
РЧ-транзистор BFQ19SH6327XTSA1 предназначен для использования в радиоэлектронных устройствах, работающих на высоких частотах. Он обеспечивает эффективное усиление сигналов в диапазоне радиочастот, обладая оптимальными характеристиками для применения в условиях повышенных требований к качеству передачи сигнала.
Данный транзистор используется в таких устройствах, как передатчики и приёмники радиостанций, усилители телевизионного сигнала, блоки радиосвязи и модули радиомодуляций. В каждом из этих применений он играет ключевую роль, обеспечивая усиление и передачу радиосигнала с минимальными потерями и искажениями.
| Корпус | SOT |
| China RoHS | Соответствует |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 20 V |
| Напряжение пробоя коллектор-эмиттер | 15 V |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO) | 15 V |
| Покрытие контакта | Олово |
| Конфигурация элементов | Одиночный |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 3 V |
| Коэффициент усиления | 7 dB |
| Без галогенов | Без галогенов |
| Высота | 1.5 mm |
| hFE (мин.) | 25 |
| Дата выпуска | 1990-05-01 |
| Без свинца | Без свинца |
| Длина | 4.5 mm |
| Статус жизненного цикла | Снят с производства |
| Дата последней закупки (LTB) | 2027-05-15 |
| Макс. напряжение пробоя | 15 V |
| Макс. ток коллектора | 120 mA |
| Максимальная частота | 1.5 GHz |
| Максимальная рабочая температура | 150 °C |
| Максимальная рассеиваемая мощность | 1 W |
| Минимальная рабочая температура | -65 °C |
| Тип монтажа | Поверхностный монтаж (SMD) |
| Коэффициент шума | 1.8 dB |
| Число элементов | 1 |
| Число выводов | 3 |
| Количество в упаковке | 1000 |
| Упаковка | Лента на катушке |
| Полярность | NPN |
| Усиление по мощности | 11.5 dB |
| Параметры | AEC-Q101 |
| REACH SVHC | Да |
| RoHS | Соответствует |
| Частота перехода | 5.5 GHz |
| Ширина | 2.5 mm |
| Документ | Скачать | |
| Информационный лист | Скачать (7 стр.) | |
| Conflict Mineral Statement | Скачать |
Похожие товары — Транзисторы
- BFR520 — РЧ-транзистор BFR520
- BFR93AE6327 — РЧ-транзистор BFR93AE6327
- BLP15M9S30Z — РЧ-транзистор мощный LDMOS, диапазон 0,01-1,5 ГГц, мощность 30 Вт, усиление 19,3 дБ, напр…
- BSM15GD120DN2E3224BOSA1 — IGBT-модуль Infineon, N-канал, 1200 В, 25 А, напряжение затвора 20 В, винтовое крепление,…
- BSM35GD120DN2E3224BOSA1 — IGBT-модуль Infineon, N-канал, 1200 В, 50 А, рассеиваемая мощность 280 Вт, корпус ECONO2-…
- BSS123 транзистор — МОП-транзистор (MOSFET) BSS123, N-канал
- BSS88E6325 — Маломощный N-канальный полевой транзистор SIPMOS, ток стока 0,25 А, напряжение 240 В, кре…
- BVSS138LT1G — МОП-транзистор (MOSFET) BVSS138LT1G, N-канал, лента
- C3M0021120K — Transistor: N-MOSFET; SIC; unipolar; 1200V; 21mohm; 459W; -55+175 deg.C; THT; TO247-4
- CM1000E3U-34NF — Силовой полупроводниковый модуль (IGBT) Powerex CM1000E3U-34NF
- DMC2041UFDB-7 — МОП-транзистор (сдвоенный, MOSFET) DMC2041UFDB
- DTA114EKAT146 — Цифровой транзистор со встроенными резисторами PNP, ток 0,1 А, напряжение 50 В, ROHM