FQA22N30 — купить, цена, наличие
| Наименование: | FQA22N30 |
| Производитель: | onsemi / Fairchild |
| Категория: | Транзисторы |
| Артикул: | 014142 |
| Наличие: | Под заказ · авиа 1–3 раза/нед. |
Транзистор FQA22N30 относится к категории мощных полевых транзисторов с изолированным затвором (MOSFET), предназначенный для коммутации высоких напряжений и токов. Характеристики этого транзистора включают напряжение сток-исток до 30 В и максимальный ток до 22 А, что делает его подходящим для управления мощными нагрузками.
Отличительной особенностью данного транзистора является его высокая допустимая мощность рассеивания, что позволяет использовать его в схемах, требующих эффективного отвода тепла. В отличие от биполярных транзисторов, MOSFET характеризуется низким уровнем энергопотребления в режиме ожидания и высокой скоростью переключения, что делает его предпочтительным выбором для импульсных источников питания и драйверов электродвигателей.
| Документ | Скачать | |
Похожие товары — Транзисторы
- FQA22P10
- BCW60C — Биполярный транзистор (BJT) BCW60C, PNP
- BCX53-16 SOT89 — Биполярный транзистор (BJT) BCX53-16, корпус SOT89
- BCX56TA — Транзистор биполярный NPN, 80 В, ток 1 А, мощность 2 Вт, корпус SOT-89
- BFN26E6327HTSA1 — РЧ-транзистор BFN26E6327HTSA1
- BFQ19SH6327XTSA1 — РЧ-транзистор BFQ19SH6327XTSA1
- BFR520 — РЧ-транзистор BFR520
- BFR93AE6327 — РЧ-транзистор BFR93AE6327
- BLP15M9S30Z — РЧ-транзистор мощный LDMOS, диапазон 0,01-1,5 ГГц, мощность 30 Вт, усиление 19,3 дБ, напр…
- BSM15GD120DN2E3224BOSA1 — IGBT-модуль Infineon, N-канал, 1200 В, 25 А, напряжение затвора 20 В, винтовое крепление,…
- BSM35GD120DN2E3224BOSA1 — IGBT-модуль Infineon, N-канал, 1200 В, 50 А, рассеиваемая мощность 280 Вт, корпус ECONO2-…
- BSS123 транзистор — МОП-транзистор (MOSFET) BSS123, N-канал