BCV72 — купить, цена, наличие
| Наименование: | BCV72 |
| Производитель: | onsemi |
| Категория: | Транзисторы |
| Артикул: | 013426 |
| Наличие: | Под заказ · авиа 1–3 раза/нед. |
Биполярный транзистор (сдвоенный, BJT) BCV72, NPN
Биполярный транзистор сдвоенного типа BCV72 выполнен по технологии NPN. Структура транзистора обеспечивает эффективное усиление сигнала и управление токами в различных электронных схемах. Сдвоенная конструкция позволяет экономить место на плате и упрощает проектирование симметричных или дифференциальных каскадов.
Основное назначение таких транзисторов — работа в усилительных каскадах, логических элементах или ключевых схемах. В схемах усиления сдвоенные транзисторы позволяют создавать балансные конфигурации, повышая линейность и снижая уровень шумов. При расчёте схемы необходимо учитывать коэффициенты передачи тока базы, напряжение насыщения и максимально допустимые токи коллектора и базы.
| Корпус | SOT-23 |
| China RoHS | Соответствует |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 60 V |
| Напряжение пробоя коллектор-эмиттер | 60 V |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 250 mV |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO) | 60 V |
| Номинальный ток | 500 mA |
| Конфигурация элементов | Одиночный |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 5 V |
| Высота | 930 µm |
| hFE (мин.) | 200 |
| Дата выпуска | 2003-12-09 |
| Без свинца | Без свинца |
| Длина | 2.9 mm |
| Статус жизненного цикла | Снят с производства |
| Дата последней закупки (LTB) | 2020-01-16 |
| Дата последней поставки (LTD) | 2020-07-16 |
| Статус жизненного цикла производителя | Снят с производства |
| Макс. напряжение пробоя | 60 V |
| Макс. ток коллектора | 500 mA |
| Максимальная рабочая температура | 150 °C |
| Максимальная рассеиваемая мощность | 350 mW |
| Минимальная рабочая температура | -55 °C |
| Тип монтажа | Поверхностный монтаж (SMD) |
| Число элементов | 1 |
| Число выводов | 3 |
| Полярность | NPN |
| Рассеиваемая мощность | 350 mW |
| REACH SVHC | Да |
| RoHS | Соответствует |
| Код Schedule B | 8541210080 |
| Частота перехода | 250 MHz |
| Номинальное напряжение (DC) | 60 V |
| Масса | 30 mg |
| Ширина | 1.3 mm |
| Документ | Скачать | |
| Информационный лист | Скачать (3 стр.) | |
| Информационный лист | Скачать | |
| Технический чертеж | Скачать (1 стр.) | |
| Rohs Statement | Скачать (3 стр.) | |
| Reach Statement | Скачать (8 стр.) |
Похожие товары — Транзисторы
- FQA22P10
- FQB6N80TM — Транзистор MOSFET N-канальный QFET, 800 В, ток 5,8 А, сопротивление канала 1,95 Ом, корпу…
- HTLP181GB-S — Оптопара с фототранзисторным выходом, прямое напряжение 1.15 В, выходной ток 50 мА
- IMZC120R012M2HXKSA1 — Sic Mosfet, N-Ch, 1.2Kv, 129A, To-247; |Infineon Technologies IMZC120R012M2HXKSA1
- IPA60R060C7XKSA1 — МОП-транзистор (MOSFET) IPA60R060C7XKSA1, N-канал, высоковольтный
- IPB044N15N5 — МОП-транзистор (MOSFET) IPB044N15N5, N-канал
- IPB090N06N3GATMA1 — Транзистор MOSFET N-канальный, 60 В, ток 50 А, корпус TO-263
- IPB110N20N3LFATMA1 — Транзистор MOSFET N-канальный, 200 В, ток 88 А, корпус D2PAK
- IRF3205SRB — МОП-транзистор (MOSFET) International Rectifier IRF3205SRB, N-канал, корпус TO-263
- IRF3205STRR — Транзистор MOSFET N-канальный HEXFET, 55 В, корпус D2PAK
- IRF5210S — Транзистор MOSFET P-канальный HEXFET, -100 В, корпус D2PAK
- IRF7306TRPBF — МОП-транзистор (сборка, MOSFET) IRF7306TRPBF, лента