BCV72 — купить, цена, наличие
| Наименование: | BCV72 |
| Производитель: | onsemi |
| Категория: | Транзисторы |
| Артикул: | 013426 |
| Наличие: | Под заказ · авиа 1–3 раза/нед. |
Биполярный транзистор (сдвоенный, BJT) BCV72, NPN
Одиночный кремниевый NPN-транзистор onsemi для поверхностного монтажа в трёхвыводном корпусе SOT-23 (длина 2,9 мм, высота 930 мкм). Напряжения коллектор-база и коллектор-эмиттер составляют 60 В, эмиттер-база 5 В. Номинальный ток коллектора 500 мА, мощность рассеяния 350 мВт. Минимальный hFE равен 200, напряжение насыщения коллектор-эмиттер 250 мВ. Исполнение бессвинцовое, соответствует China RoHS. Прибор снят с производства.
Типичная задача для такого транзистора — ключ нижнего плеча: он коммутирует реле, светодиоды или небольшой соленоид от вывода микроконтроллера. Ток базы задают резистором, исходя из минимального hFE и с запасом на глубокое насыщение. Потери оценивают как произведение тока коллектора на VCE(sat) и сверяют с допустимой мощностью. Индуктивную нагрузку шунтируют обратным диодом. Для новых разработок стоит заранее подобрать актуальный аналог.
| Корпус | SOT-23 |
| China RoHS | Соответствует |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 60 V |
| Напряжение пробоя коллектор-эмиттер | 60 V |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 250 mV |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO) | 60 V |
| Номинальный ток | 500 mA |
| Конфигурация элементов | Одиночный |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 5 V |
| Высота | 930 µm |
| hFE (мин.) | 200 |
| Дата выпуска | 2003-12-09 |
| Без свинца | Без свинца |
| Длина | 2.9 mm |
| Статус жизненного цикла | Снят с производства |
| Дата последней закупки (LTB) | 2020-01-16 |
| Дата последней поставки (LTD) | 2020-07-16 |
| Статус жизненного цикла производителя | Снят с производства |
| Макс. напряжение пробоя | 60 V |
| Макс. ток коллектора | 500 mA |
| Максимальная рабочая температура | 150 °C |
| Максимальная рассеиваемая мощность | 350 mW |
| Минимальная рабочая температура | -55 °C |
| Тип монтажа | Поверхностный монтаж (SMD) |
| Число элементов | 1 |
| Число выводов | 3 |
| Полярность | NPN |
| Рассеиваемая мощность | 350 mW |
| REACH SVHC | Да |
| RoHS | Соответствует |
| Код Schedule B | 8541210080 |
| Частота перехода | 250 MHz |
| Номинальное напряжение (DC) | 60 V |
| Масса | 30 mg |
| Ширина | 1.3 mm |
| Документ | Скачать | |
| Информационный лист | Скачать (3 стр.) | |
| Информационный лист | Скачать | |
| Технический чертеж | Скачать (1 стр.) | |
| Rohs Statement | Скачать (3 стр.) | |
| Reach Statement | Скачать (8 стр.) |
Похожие товары — Транзисторы
- FDS4435BZ(XBLW)
- FDS4935A — МОП-транзистор (сдвоенный, MOSFET) FDS4935A, P-канал
- FDS6990AS — МОП-транзистор (сдвоенный, MOSFET) FDS6990AS, P-канал
- FMM150-0075X2F — МОП-транзистор (сборка, MOSFET) FMM150-0075X2F
- FMMT493QTA — Биполярный транзистор (BJT) FMMT493QTA, NPN
- FMMT493TA — Биполярный транзистор (BJT) FMMT493TA, NPN
- FMMT593QTA — Биполярный транзистор (BJT) FMMT593QTA, PNP
- FMMT720 — Биполярный транзистор (BJT) FMMT720, CY(Changzhou Chaoyin Elec)
- FQA22N30
- FQA22P10
- FQB6N80TM — Транзистор MOSFET N-канальный QFET, 800 В, ток 5,8 А, сопротивление канала 1,95 Ом, корпу…
- HTLP181GB-S — Оптопара с фототранзисторным выходом, прямое напряжение 1.15 В, выходной ток 50 мА