IXFK24N100Q3 IXYS — купить, цена, наличие
| Наименование: | IXFK24N100Q3 IXYS |
| Производитель: | Littelfuse |
| Категория: | Транзисторы |
| Артикул: | 013380 |
| Наличие: | Под заказ · авиа 1–3 раза/нед. |
Транзистор MOSFET N-канальный HiPerFET, 1000 В, ток 24 А, сопротивление канала 0,44 Ом, корпус TO-264AA
Транзистор IXFK24N100Q3 производства Littelfuse относится к категории мощных N-канальных MOSFET HiPerFET, специально разработанных для работы в цепях с высоким напряжением и током. Он характеризуется номинальным напряжением сток-исток до 1000 В, током стока до 24 А и низким сопротивлением открытого канала 0,44 Ом. Корпус TO-264AA обеспечивает надежное крепление и эффективное охлаждение, что позволяет использовать транзистор в высоконагруженных приложениях.
В силу своих характеристик данный транзистор применяется в инверторах и преобразователях напряжения, где требуется работа с высокими напряжениями и мощными нагрузками. Его также можно встретить в источниках бесперебойного питания (ИБП), сварочном оборудовании и системах управления электродвигателями, где он выполняет функции переключения и регулирования мощности.
| Корпус | TO-264 |
| China RoHS | Соответствует |
| Постоянный ток стока (ID) | 24 A |
| Напряжение пробоя сток-исток | 1 kV |
| Сопротивление сток-исток | 440 mΩ |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 1 kV |
| Конфигурация элементов | Одиночный |
| Напряжение затвор-исток (Vgs) | 30 V |
| Высота | 26.16 mm |
| Входная ёмкость | 7.2 nF |
| Без свинца | Без свинца |
| Длина | 19.96 mm |
| Статус жизненного цикла | Производится |
| Максимальная рабочая температура | 150 °C |
| Максимальная рассеиваемая мощность | 1 kW |
| Мин. напряжение пробоя | 1 kV |
| Минимальная рабочая температура | -55 °C |
| Тип монтажа | Монтаж в отверстия (THT) |
| Число элементов | 1 |
| Число выводов | 3 |
| Рассеиваемая мощность | 1 kW |
| Rds(on) макс. | 440 mΩ |
| REACH SVHC | Нет |
| Время обратного восстановления | 300 ns |
| Время нарастания | 300 ns |
| RoHS | Соответствует |
| Время задержки выключения | 45 ns |
| Время задержки включения | 38 ns |
| Ширина | 5.13 mm |
| Документ | Скачать | |
| Информационный лист | Скачать (7 стр.) | |
| Информационный лист | Скачать (5 стр.) | |
| Информационный лист | Скачать (6 стр.) |
Похожие товары — Транзисторы
- FDS6990AS — МОП-транзистор (сдвоенный, MOSFET) FDS6990AS, P-канал
- FMM150-0075X2F — МОП-транзистор (сборка, MOSFET) FMM150-0075X2F
- FMMT493QTA — Биполярный транзистор (BJT) FMMT493QTA, NPN
- FMMT493TA — Биполярный транзистор (BJT) FMMT493TA, NPN
- FMMT593QTA — Биполярный транзистор (BJT) FMMT593QTA, PNP
- FMMT720 — Биполярный транзистор (BJT) FMMT720, CY(Changzhou Chaoyin Elec)
- FQA22N30
- FQA22P10
- FQB6N80TM — Транзистор MOSFET N-канальный QFET, 800 В, ток 5,8 А, сопротивление канала 1,95 Ом, корпу…
- HTLP181GB-S — Оптопара с фототранзисторным выходом, прямое напряжение 1.15 В, выходной ток 50 мА
- IMZC120R012M2HXKSA1 — Sic Mosfet, N-Ch, 1.2Kv, 129A, To-247; |Infineon Technologies IMZC120R012M2HXKSA1
- IPA60R060C7XKSA1 — МОП-транзистор (MOSFET) IPA60R060C7XKSA1, N-канал, высоковольтный