IRFU9110PBF — купить, цена, наличие
| Наименование: | IRFU9110PBF |
| Производитель: | Vishay Siliconix |
| Категория: | Транзисторы |
| Артикул: | 016119 |
| Наличие: | Под заказ · авиа 1–3 раза/нед. |
IRFU9110PBF — это мощнейший MOSFET транзистор с каналом P-типа, предназначенный для работы в цепях с напряжением до 100 В. Максимальная сила тока составляет 3.1 А при температуре перехода 25°C. Сопротивление канала в открытом состоянии не превышает 1.2 Ом при напряжении затвор-исток 10 В и токе стока 1.9 А. Рабочий диапазон температур простирается от -55°C до 150°C. Максимальный заряд затвора составляет 8.7 нК при напряжении затвор-исток 10 В. Транзистор выполнен в корпусе TO-251AA с тремя выводами и предназначен для монтажа в отверстия.
В схемах с данным транзистором рекомендуется уделять особое внимание правильной трассировке питания и земли. Широкая дорожка питания к выводу стока поможет снизить падение напряжения на печатной плате, особенно при больших токах нагрузки. Также важно обеспечить хорошее охлаждение, разместив транзистор подальше от тепловыделяющих компонентов и предусмотрев достаточное пространство для естественной конвекции или установки радиатора.
| Тип МОП-транзистора | P-канал |
| Технология | МОПФЕТ (металоксидный) |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 100 V |
| Ток непрерывного стока (Id) при 25°C | 3.1A (Tc) |
| Напряжение управления (макс. Rds On, мин. Rds On) | 10V |
| Rds On (макс.) при Id, Vgs | 1.2Ohm @ 1.9A, 10V |
| Vgs(th) (макс.) при Id | 4V @ 250µA |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs | 8.7 nC @ 10 V |
| Vgs (макс.) | ±20V |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 200 pF @ 25 V |
| Мощность рассеивания (макс.) | 2.5W (Ta), 25W (Tc) |
| Диапазон рабочих температур | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Тип монтажа | Монтаж в отверстия (THT) |
| Корпус устройства поставщика | TO-251AA |
| Корпус/Упаковка | TO-251-3 Short Leads, IPAK, TO-251AA |
| Статус компонента | Активен |
| Документ | Скачать | |
| Информационный лист | Скачать |
Похожие товары — Транзисторы
- IRL520NSTRR — MOSFET International Rectifier IRL520NS, N-канал HEXFET, 100 В, корпус D2-Pak
- IRLL024NPBF — МОП-транзистор (MOSFET) IRLL024NPBF, N-канал
- IRLML0060TRPBF — МОП-транзистор (MOSFET) IRLML0060TRPBF, N-канал, лента
- IRLML2803PBFCT-ND — Силовой полевой транзистор International Rectifier IRLML2803
- IRLML6346TRPBF — Транзистор MOSFET N-канальный, 30 В, ток 3,4 А, сопротивление канала 46 мОм, напряжение з…
- IRLML6401TRPBF — Транзистор MOSFET P-канальный, -12 В, ток -4,3 А, сопротивление канала 50 мОм, корпус MIC…
- IRLMS6702TRPBF — МОП-транзистор (MOSFET) IRLMS6702TRPBF, N-канал, лента
- IRLR014NPBF — МОП-транзистор (MOSFET) IRLR014NPBF, N-канал
- IRLTS6342TRPBF — МОП-транзистор (MOSFET) IRLTS6342TRPBF, N-канал, лента
- IXBX75N170 — МОП-транзистор (IGBT) IXBX75N170, высоковольтный
- IXFK24N100Q3 IXYS — Транзистор MOSFET N-канальный HiPerFET, 1000 В, ток 24 А, сопротивление канала 0,44 Ом, к…
- KP-3216P3C фототранзистор инфракрасный — Фототранзистор инфракрасный, длина волны 940 нм, корпус SMD 1206, Kingbright