BCP5610MTWG — купить, цена, наличие
| Наименование: | BCP5610MTWG |
| Производитель: | onsemi |
| Категория: | Транзисторы |
| Артикул: | 015793 |
| Наличие: | Под заказ · авиа 1–3 раза/нед. |
Это NPN-транзистор общего назначения с максимальным током коллектора 1 А и напряжением пробоя коллектор-эмиттер до 80 В. Он обладает высокой частотой перехода 140 МГц и способен рассеивать мощность до 1,5 Вт. Коэффициент усиления постоянного тока (hFE) составляет минимум 63 при токе коллектора 150 мА и напряжении коллектор-эмиттер 2 В. Корпус 3-WDFN с открытым теплорассеивающим контактом обеспечивает эффективное охлаждение и подходит для поверхностного монтажа.
При подборе аналога важно учитывать не только электрические параметры, такие как максимальный ток коллектора, напряжение пробоя и частоту перехода, но и корпусное исполнение. Сравнивайте коэффициенты усиления hFE, чтобы обеспечить совместимость с существующей схемой. Обратите внимание на допустимую мощность рассеяния и условия теплоотвода, особенно если планируется работа транзистора на предельных режимах. Также учитывайте диапазон рабочих температур, чтобы убедиться в корректности работы устройства в предполагаемых условиях эксплуатации.
| Тип транзистора | NPN |
| Ток коллектора (Ic) (Макс.) | 1 A |
| Напряжение пробоя коллектор-эмиттер (Макс.) | 80 V |
| Насыщение Vce (Макс.) при Ib, Ic | 500mV @ 50mA, 500mA |
| Ток отсечки коллектора (Макс.) | 100nA (ICBO) |
| Коэффициент усиления постоянного тока (hFE) (Мин.) при Ic, Vce | 63 @ 150mA, 2V |
| Мощность рассеяния (Макс.) | 1.5 W |
| Частота перехода | 140MHz |
| Диапазон рабочих температур | -65°C ~ 150°C (TJ) |
| Тип монтажа | поверхностный монтаж, смачиваемая боковая поверхность |
| Корпус/Упаковка | 3-WDFN Exposed Pad |
| Корпус устройства поставщика | 3-WDFNW (2x2) |
| Статус компонента | Активен |
| Документ | Скачать | |
| Информационный лист | Скачать |
Похожие товары — Транзисторы
- 2N2222AUA/TR — NPN-транзистор общего назначения 2N2222A, напряжение 50 В, ток 800 мА, корпус SMD 4-Pin,…
- 2N3904-TA — Биполярный транзистор (BJT) 2N3904-TA, NPN
- 2N3904-TA(RANGE:200-300) — Биполярный транзистор (BJT) 2N3904TA, Jiangsu Huaneng Elec, NPN, группа усиления 200-300
- 2N3955 — Полевой транзистор (JFET) Texas Instruments State Manufacturing, N-канальный, кремниевый,…
- 2N7002LT1G — Транзистор MOSFET N-канальный, 60 В, ток ±115 мА, сопротивление канала 7,5 Ом, корпус SOT…
- 2SC2705-Y — Биполярный транзистор (BJT) 2SC2705-Y, NPN
- 2SC2712-Y — Биполярный транзистор (BJT) 2SC2712-Y, NPN
- 2П308В9 Транзистор — Транзистор 2П308В9, отечественное исполнение
- 8NM80G-TN3-R — N-канальный силовой MOSFET, ток 8 А, напряжение 800 В, сопротивление канала 0.78 Ом
- AD8403A1 — Цифровой потенциометр Analog Devices AD8403, 4 канала
- AD8403A10 — Счетверённый цифровой потенциометр серии AD8403, аналог маломощного переключательного ком…
- AD8403A100 — Цифровой потенциометр Analog Devices AD8403, 4 канала, сопротивление 100 кОм