BCP5610MTWG — купить, цена, наличие

MPN BCP5610MTWG · onsemi
Наименование:BCP5610MTWG
Производитель:onsemi
Категория:Транзисторы
Артикул:015793
Наличие:Под заказ · авиа 1–3 раза/нед.
Ориентировочная цена за 1000 шт Уточняем цену…

Это NPN-транзистор общего назначения с максимальным током коллектора 1 А и напряжением пробоя коллектор-эмиттер до 80 В. Он обладает высокой частотой перехода 140 МГц и способен рассеивать мощность до 1,5 Вт. Коэффициент усиления постоянного тока (hFE) составляет минимум 63 при токе коллектора 150 мА и напряжении коллектор-эмиттер 2 В. Корпус 3-WDFN с открытым теплорассеивающим контактом обеспечивает эффективное охлаждение и подходит для поверхностного монтажа.

При подборе аналога важно учитывать не только электрические параметры, такие как максимальный ток коллектора, напряжение пробоя и частоту перехода, но и корпусное исполнение. Сравнивайте коэффициенты усиления hFE, чтобы обеспечить совместимость с существующей схемой. Обратите внимание на допустимую мощность рассеяния и условия теплоотвода, особенно если планируется работа транзистора на предельных режимах. Также учитывайте диапазон рабочих температур, чтобы убедиться в корректности работы устройства в предполагаемых условиях эксплуатации.

Тип транзистораNPN
Ток коллектора (Ic) (Макс.)1 A
Напряжение пробоя коллектор-эмиттер (Макс.)80 V
Насыщение Vce (Макс.) при Ib, Ic500mV @ 50mA, 500mA
Ток отсечки коллектора (Макс.)100nA (ICBO)
Коэффициент усиления постоянного тока (hFE) (Мин.) при Ic, Vce63 @ 150mA, 2V
Мощность рассеяния (Макс.)1.5 W
Частота перехода140MHz
Диапазон рабочих температур-65°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажаповерхностный монтаж, смачиваемая боковая поверхность
Корпус/Упаковка3-WDFN Exposed Pad
Корпус устройства поставщика3-WDFNW (2x2)
Статус компонентаАктивен
ДокументСкачать
Информационный листСкачать

Похожие товары — Транзисторы

Все товары категории «Транзисторы»