BD13910STU — купить, цена, наличие

MPN BD13910STU · onsemi
Наименование:BD13910STU
Производитель:onsemi
Категория:Биполярные транзисторы
Артикул:013100
Наличие:Под заказ · авиа 1–3 раза/нед.
Ориентировочная цена за 1000 шт 38.12 ₽ Ориентир, на 06.11.2026. Точная цена — в счёте

NPN-транзистор BD139, напряжение 80 В, мощность 12.5 Вт, ток 1.5 А

Кремниевый NPN-транзистор средней мощности onsemi в пластиковом корпусе TO-126-3 для монтажа в отверстия. Напряжения коллектор-эмиттер и коллектор-база по 80 В, эмиттер-база 5 В, номинальный ток коллектора 1.5 А. Минимальный коэффициент усиления hFE равен 63, напряжение насыщения 500 мВ. Рассеиваемая мощность зависит от теплоотвода: около 1.25 Вт при свободном охлаждении и до 12.5 Вт при хорошем отводе тепла от корпуса. Выводы лужёные, без свинца, соответствует China RoHS, корпус 8.3 × 14.2 мм.

Типичные места установки: драйверный каскад усилителя НЧ, раскачивающий мощные выходные транзисторы; двухтактный выход небольшого усилителя в паре с комплементарным PNP; регулирующий элемент линейного стабилизатора; ключ управления реле, соленоидом или вентилятором. На индуктивную нагрузку обязательно ставьте обратный диод, иначе выброс при запирании пробьёт переход. Металлическая площадка TO-126 обычно электрически связана с коллектором, поэтому на общем радиаторе нужна изолирующая прокладка со втулкой.

КорпусTO-126-3
China RoHSСоответствует
Напряжение коллектор-база (VCBO)80 V
Напряжение пробоя коллектор-эмиттер80 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер500 mV
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO)80 V
Покрытие контактаОлово
Номинальный ток1.5 A
Конфигурация элементовОдиночный
Напряжение эмиттер-база (VEBO)5 V
Высота14.2 mm
hFE (мин.)63
Дата выпуска2000-12-20
Без свинцаБез свинца
Длина8.3 mm
Статус жизненного циклаСнимается с производства
Дата последней закупки (LTB)2026-01-06
Дата последней поставки (LTD)2026-07-06
Статус жизненного цикла производителяLAST SHIPMENTS (Last Updated: 1 day ago)
Макс. ток коллектора1.5 A
Максимальная температура перехода150 °C
Максимальная рабочая температура150 °C
Максимальная рассеиваемая мощность13 W
Минимальная рабочая температура-55 °C
Тип монтажаМонтаж в отверстия (THT)
Число элементов1
Число выводов3
ПолярностьNPN
Рассеиваемая мощность1.25 W
REACH SVHCДа
RoHSСоответствует
Код Schedule B8541290080
Частота перехода250 MHz
Номинальное напряжение (DC)80 V
Масса761 mg
Ширина3.45 mm
ДокументСкачать
Информационный листСкачать (6 стр.)
Информационный листСкачать (5 стр.)
Информационный листСкачать (4 стр.)
Технический чертежСкачать (1 стр.)
Информационный листСкачать

Похожие товары — Биполярные транзисторы

Все товары категории «Биполярные транзисторы»