STMicroelectronics BD139 — купить, цена, наличие

MPN BD139 · STMicroelectronics
Наименование:STMicroelectronics BD139
Производитель:STMicroelectronics
Категория:Биполярные транзисторы
Артикул:013093
Наличие:Под заказ · авиа 1–3 раза/нед.
Ориентировочная цена за 1000 шт 9.20 ₽ Ориентир, на 18.09.2026. Точная цена — в счёте

Биполярный NPN-транзистор кремниевый, усилитель/драйвер, напряжение 80 В, ток 1,5 А, мощность 12,5 Вт, корпус SOT-32.

STMicroelectronics BD139 – это кремниевый биполярный транзистор NPN-типа, предназначенный для использования в качестве усилителя или драйвера сигнала. Он обладает максимальным напряжением коллектор-эмиттер до 80 В, током коллектора до 1,5 А и рассеиваемой мощностью до 12,5 Вт. Корпус выполнен в формате SOT-32, обеспечивающем компактность и удобство монтажа.

При подборе аналога данного транзистора необходимо учитывать следующие параметры: тип проводимости (NPN), максимальное рабочее напряжение, допустимый ток коллектора, рассеиваемую мощность и тип корпуса. Также стоит обратить внимание на частотные характеристики и коэффициенты передачи тока базы, которые могут влиять на стабильность работы схемы в различных режимах.

КорпусSOT-32
China RoHSНе соответствует
Напряжение коллектор-база (VCBO)80 V
Напряжение пробоя коллектор-эмиттер80 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер500 mV
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO)80 V
Покрытие контактаОлово
Номинальный ток1.5 A
Конфигурация элементовОдиночный
Напряжение эмиттер-база (VEBO)5 V
Высота13.2 mm
hFE (мин.)25
Дата выпуска1980-01-04
Без свинцаБез свинца
Длина7.8 mm
Статус жизненного циклаПроизводится
Макс. ток коллектора1.5 A
Максимальная температура перехода150 °C
Максимальная рабочая температура150 °C
Максимальная рассеиваемая мощность8 W
Идентификатор корпуса производителяSOT-32-0016114E
Минимальная рабочая температура-65 °C
Тип монтажаМонтаж в отверстия (THT)
Число элементов1
Число выводов3
ПолярностьNPN
Рассеиваемая мощность12.5 W
Радиационное упрочнениеНет
REACH SVHCНет
RoHSСоответствует
Частота перехода250 MHz
Номинальное напряжение (DC)80 V
Масса90.718474 mg
Ширина2.9 mm
ДокументСкачать
Информационный листСкачать (9 стр.)
Информационный листСкачать (5 стр.)
Информационный листСкачать (8 стр.)
Информационный листСкачать (4 стр.)
Актуальные поставщики и цены — в результатах поиска по партномеру.

Похожие товары — Биполярные транзисторы

Все товары категории «Биполярные транзисторы»