BD139-(TO-126) — купить, цена, наличие

MPN BD139-(TO-126) · STMicroelectronics
Наименование:BD139-(TO-126)
Производитель:STMicroelectronics
Категория:Биполярные транзисторы
Артикул:013095
Наличие:Под заказ · авиа 1–3 раза/нед.
Ориентировочная цена за 1000 шт 4.70 ₽ Ориентир, обновлена вчера. Точная цена — в счёте

Транзистор биполярный NPN усилительный/драйверный, 80 В, ток 1,5 А, мощность 12,5 Вт, корпус TO-126

BD139 в корпусе TO-126 представляет собой биполярный транзистор NPN типа, предназначенный для усиления сигналов и управления мощными нагрузками. Он характеризуется максимальным напряжением коллектор-эмиттер до 80 В, током коллектора до 1,5 А и рассеиваемой мощностью до 12,5 Вт. Компонент рекомендован для применения в схемах, требующих эффективного усиления или управления нагрузкой с умеренными требованиями по напряжению и току.

В процессе эксплуатации транзистор демонстрирует стабильные рабочие характеристики, однако необходимо учитывать, что с течением времени возможны незначительные изменения параметров, связанные с процессами старения полупроводникового материала. При работе с большими токами и напряжениями может наблюдаться заметный нагрев корпуса, поэтому рекомендуется обеспечивать адекватное охлаждение для предотвращения перегрева и продления срока службы устройства.

КорпусSOT-32
China RoHSНе соответствует
Напряжение коллектор-база (VCBO)80 V
Напряжение пробоя коллектор-эмиттер80 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер500 mV
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO)80 V
Покрытие контактаОлово
Номинальный ток1.5 A
Конфигурация элементовОдиночный
Напряжение эмиттер-база (VEBO)5 V
Высота13.2 mm
hFE (мин.)25
Дата выпуска1980-01-04
Без свинцаБез свинца
Длина7.8 mm
Статус жизненного циклаПроизводится
Макс. ток коллектора1.5 A
Максимальная температура перехода150 °C
Максимальная рабочая температура150 °C
Максимальная рассеиваемая мощность8 W
Идентификатор корпуса производителяSOT-32-0016114E
Минимальная рабочая температура-65 °C
Тип монтажаМонтаж в отверстия (THT)
Число элементов1
Число выводов3
ПолярностьNPN
Рассеиваемая мощность12.5 W
Радиационное упрочнениеНет
REACH SVHCНет
RoHSСоответствует
Частота перехода250 MHz
Номинальное напряжение (DC)80 V
Масса90.718474 mg
Ширина2.9 mm
ДокументСкачать
Информационный листСкачать (9 стр.)
Информационный листСкачать (5 стр.)
Информационный листСкачать (8 стр.)
Информационный листСкачать (4 стр.)

Похожие товары — Биполярные транзисторы

Все товары категории «Биполярные транзисторы»