MMBT5401 — купить, цена, наличие
| Наименование: | MMBT5401 |
| Производитель: | onsemi |
| Категория: | Биполярные транзисторы |
| Артикул: | 006927 |
| Наличие: | Под заказ · авиа 1–3 раза/нед. |
Биполярный транзистор onsemi MMBT5401, общего назначения, PNP, 150 В, 0.6 А, корпус SOT-23
Биполярный транзистор общего назначения onsemi MMBT5401 выполнен в корпусе SOT-23 и относится к типу PNP. Он обладает максимальным напряжением коллектор-эмиттер до 150 В и способен выдерживать постоянный ток коллектора до 0.6 А. Данный транзистор является универсальным элементом, подходящим для использования в различных электронных схемах.
MMBT5401 широко используется в схемах усиления сигналов, в качестве ключа в переключательных схемах, а также в стабилизаторах напряжения и генераторах импульсов. Благодаря низкому профилю и компактному корпусу SOT-23, он особенно удобен для поверхностного монтажа в современных печатных платах.
| Корпус | SOT-23 |
| China RoHS | Соответствует |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | -160 V |
| Напряжение пробоя коллектор-эмиттер | -150 V |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | -500 mV |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO) | 150 V |
| Покрытие контакта | Олово |
| Ток | 2 A |
| Номинальный ток | -600 mA |
| Конфигурация элементов | Одиночный |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | -5 V |
| Частота | 300 MHz |
| Произведение усиления на полосу | 300 MHz |
| Высота | 1.2 mm |
| hFE (мин.) | 50 |
| Дата выпуска | 1989-01-01 |
| Без свинца | Без свинца |
| Длина | 2.9 mm |
| Статус жизненного цикла | Снят с производства |
| Дата последней закупки (LTB) | 2018-11-23 |
| Дата последней поставки (LTD) | 2019-05-23 |
| Статус жизненного цикла производителя | Снят с производства |
| Макс. напряжение пробоя | 150 V |
| Макс. ток коллектора | 500 mA |
| Максимальная частота | 300 MHz |
| Максимальная температура перехода | 150 °C |
| Макс. рабочая температура | 150 °C |
| Максимальная рассеиваемая мощность | 225 mW |
| Мин. рабочая температура | -55 °C |
| Тип монтажа | Поверхностный монтаж (SMD) |
| Число элементов | 1 |
| Число выводов | 3 |
| Число выводов | 3 |
| Упаковка | Отрезок ленты |
| Полярность | PNP |
| Рассеиваемая мощность | 350 mW |
| Радиационная стойкость | Нет |
| REACH SVHC | Да |
| RoHS | Соответствует |
| Частота перехода | 100 MHz |
| Напряжение | 150 V |
| Номинальное напряжение (DC) | -150 V |
| Масса | 59.987591 mg |
| Ширина | 1.3 mm |
| Документ | Скачать | |
| Информационный лист | Скачать (7 стр.) | |
| Информационный лист | Скачать (1 стр.) | |
| Информационный лист | Скачать (6 стр.) | |
| Информационный лист | Скачать | |
| Информационный лист | Скачать | |
| Информационный лист | Скачать | |
| Технический чертеж | Скачать (1 стр.) | |
| Информационный лист | Скачать (6 стр.) | |
| Информационный лист | Скачать | |
| Информационный лист | Скачать | |
| Технический чертеж | Скачать (1 стр.) | |
| Информационный лист | Скачать (6 стр.) |
Похожие товары — Биполярные транзисторы
- MMBT5089LT1G — MMBT5089LT1G
- MMBT3904 — MMBT3904
- MMBT3904 1AM — MMBT3904 1AM
- MMBT4403 — MMBT4403
- MMBT489LT1G — MMBT489LT1G
- MMBTA42 — MMBTA42
- MMBTA55 — MMBTA55
- MMBTA64-7-F — MMBTA64-7-F
- TIP122-JSM — TIP122-JSM
- TIP122.. — TIP122..
- TIP122AT — TIP122AT
- TIP122D — TIP122D