MMBT5089LT1G — купить, цена, наличие

MPN MMBT5089LT1G · onsemi
Наименование:MMBT5089LT1G
Производитель:onsemi
Категория:Биполярные транзисторы
Артикул:008806
Наличие:Под заказ · авиа 1–3 раза/нед.
Средняя цена за 1000 шт

Bipolar (BJT) Single Transistor, General Purpose, NPN, 25 V, 50 mA, 225 mW, SOT-23, Surface Mount

КорпусSOT-23-3
China RoHSСоответствует
Напряжение коллектор-база (VCBO)30 V
Напряжение пробоя коллектор-эмиттер25 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер500 mV
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO)25 V
Покрытие контактаОлово
Номинальный ток50 mA
Конфигурация элементовОдиночный
Напряжение эмиттер-база (VEBO)4.5 V
Частота50 MHz
Произведение усиления на полосу50 MHz
Высота1.11 mm
hFE (мин.)400
Дата выпуска1991-03-01
Без свинцаБез свинца
Длина3.04 mm
Статус жизненного циклаПроизводится
Статус жизненного цикла производителяАктивен
Макс. напряжение пробоя25 V
Макс. ток коллектора50 mA
Максимальная частота50 MHz
Макс. рабочая температура150 °C
Максимальная рассеиваемая мощность225 mW
Мин. рабочая температура-55 °C
Число элементов1
Число выводов3
Число выводов3
УпаковкаЛента на катушке
ПолярностьNPN
Радиационная стойкостьНет
REACH SVHCДа
RoHSСоответствует
Код Schedule B8541210080, 8541210080|8541210080|8541210080|8541210080|8541210080
Частота перехода50 MHz
Номинальное напряжение (DC)25 V
Масса4.535924 g
Ширина2.64 mm
Актуальные поставщики и цены — в результатах поиска по партномеру.