БТИЗ — купить со склада и под заказ
Категория
В каталоге ЭЛ-СИРИУС — 14 наименований категории «БТИЗ» от ведущих производителей. Проверка наличия и цены онлайн по партномеру (MPN), поставка со склада и под заказ, доставка по России и СНГ. Работаем с юридическими лицами и частными покупателями.
| Фото | Партномер (MPN) | Производитель | Описание | Цена | Наличие |
|---|---|---|---|---|---|
 |
CM1000DUC-34SA | Renesas | Биполярный транзистор с изолированным затвором IGBT, ток коллектора 1000 А, напряжение 1700 В. | 301 662,20 ₽ | Под заказ |
 |
FGH60N60SMD | onsemi | IGBT-транзистор с траншейным затвором Field Stop, 600 В, ток 60 А, корпус TO-247-3, выводной монтаж | 202,52 ₽ | Под заказ |
 |
IKA10N65ET6-VB | VBsemi | IGBT-транзистор со встроенным диодом VBsemi, напряжение 600/650 В, ток 10 А, корпус TO-220F | 79,42 ₽ | Под заказ |
 |
IKW40N120H3FKSA1 | Infineon | IGBT-транзистор с траншейным затвором Field Stop, 1200 В, ток 80 А, мощность 483 Вт, корпус TO-247-3 | 228,10 ₽ | Под заказ |
 |
BSM15GD120DN2E3224 | Infineon | IGBT-модуль трёхфазный шестипак, 1200 В, 15 А, короткие выводы. | по запросу | Под заказ |
|
BSM15GD120DN2E3224BDLA1 | Infineon | IGBT-модуль Infineon, напряжение 1200 В | по запросу | Под заказ |
| BSM15GD120DN2E3224BPSA1 | Infineon | Силовой IGBT-модуль N-канальный, 1200 В, 25 А, управление 20 В, винтовое крепление, лента. | по запросу | Под заказ | |
 |
BSM35GD120DN2E3224 | Infineon | Силовой IGBT-модуль N-канальный, ток коллектора 50 А, напряжение 1200 В. | по запросу | Под заказ |
| BSM35GD120DN2E3224BPSA1 | Infineon | IGBT-модуль Infineon, N-канал, 1200 В, 50 А, напряжение затвора 20 В, винтовое крепление | по запросу | Под заказ | |
 |
IGW25T120FKSA1 | Infineon | IGBT-транзистор кристалл N-канальный, 1200 В, ток 50 А, мощность 190 Вт, корпус TO-247 | 275,84 ₽ | Под заказ |
 |
IRG4PC50UDPBF | Infineon | IGBT-транзистор кристалл N-канальный, 600 В, ток 55 А, мощность 200 Вт, корпус TO-247AC | 19 478,62 ₽ | Под заказ |
 |
CM1000DU-34NF | Powerex | Сдвоенный силовой IGBT-модуль, 1700 В, 1000 А, серия NF. | по запросу | Под заказ |
 |
STGWA25IH135DF2 | STMicroelectronics | IGBT-транзистор STMicroelectronics STGWA25IH135, серия IH2, траншейный затвор, 1350 В, 25 А, мягкое переключен | по запросу | Под заказ |
 |
STGW20NC60VD | STMicroelectronics | Силовой IGBT-транзистор, напряжение 600 В, ток 60 А, мощность рассеивания 200 Вт, корпус TO-247 | 268,36 ₽ | Под заказ |
Производители и характеристики — БТИЗ
В категории 14 позиций от 6 производителей. У 7 позиций указана ориентировочная цена — от 79,42 ₽ за штуку. Фото — у 12 позиций. Ниже — какие значения ключевых характеристик встречаются в каталоге чаще всего: по ним удобно подобрать замену или уточнить запрос менеджеру.
Производители в категории
Ключевые характеристики и частые значения
- Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO)1.2 kV (4), 600 V (3), 1.7 kV (2)
- Макс. ток коллектора50 A (2), 1 kA (2) и ещё 5 значений
- Макс. рабочая температура150 °C (7), 175 °C (2)
- Число элементов1 (6), 6 (2) и ещё 1 значение
- КорпусTO-247-3 (3), Module (3), TO-247 (2)
- Напряжение пробоя коллектор-эмиттер1.2 kV (4), 600 V (3) и ещё 1 значение
О категории «БТИЗ»
БТИЗ (IGBT) Infineon, STMicroelectronics и Powerex — 17 позиций: дискретные транзисторы 600–1200 В в TO-247, сдвоенные и шестиключевые модули для приводов, быстрые серии для сварочных инверторов.
IGBT сочетает простое управление затвором с большими токами: стандарт силовой электроники от киловатта. Ключевые параметры — напряжение насыщения Vce(sat), энергия переключения Eon/Eoff и наличие встроенного антипараллельного диода. Драйверы затворов с изоляцией — в соседней категории, подберём пару к вашему модулю.