IGBT-транзистор кристалл N-канальный, 1200 В, ток 50 А, мощность 190 Вт, корпус TO-247
| Корпус | TO-247 |
| China RoHS | Соответствует |
| Напряжение пробоя коллектор-эмиттер | 1.2 kV |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 1.7 V |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO) | 1.2 kV |
| Постоянный ток коллектора | 50 A |
| Конфигурация элементов | Одиночный |
| Высота | 25.549 mm |
| Дата выпуска | 2002-01-29 |
| Без свинца | Без свинца |
| Статус жизненного цикла | Снят с производства |
| Дата последней закупки (LTB) | 2024-08-15 |
| Дата последней поставки (LTD) | 2025-02-15 |
| Макс. ток коллектора | 50 A |
| Максимальная температура перехода | 150 °C |
| Макс. рабочая температура | 150 °C |
| Максимальная рассеиваемая мощность | 190 W |
| Мин. рабочая температура | -40 °C |
| Тип монтажа | Монтаж в отверстия (THT) |
| Число элементов | 1 |
| Число выводов | 3 |
| Число выводов | 3 |
| Количество в упаковке | 240 |
| Рассеиваемая мощность | 190 W |
| Радиационная стойкость | Нет |
| REACH SVHC | Да |
| RoHS | Соответствует |
| Код Schedule B | 8541290080, 8541290080|8541290080, 8541290080|8541290080|8541290080|8541290080|8541290080 |
| Время задержки выключения | 560 ns |
| Время задержки включения | 50 ns |
| Документ | Скачать | |
| Информационный лист | Скачать (12 стр.) | |
| Информационный лист | Скачать (12 стр.) | |
| Conflict Mineral Statement | Скачать |
Актуальные поставщики и цены — в результатах поиска по партномеру.
Похожие товары — БТИЗ
- BSM15GD120DN2E3224BDLA1 — Infineon BSM15GD120DN2E3224BDLA1
- BSM15GD120DN2E3224BPSA1 — Infineon BSM15GD120DN2E3224BPSA1
- BSM35GD120DN2E3224 — Infineon BSM35GD120DN2E3224
- BSM35GD120DN2E3224BPSA1 — Infineon BSM35GD120DN2E3224BPSA1
- CM1000DU-34NF — Powerex CM1000DU-34NF
- CM1000DUC-34SA — CM1000DUC-34SA
- FGH60N60SMD — FGH60N60SMD
- IKA10N65ET6-VB — IKA10N65ET6-VB
- IKW40N120H3FKSA1 — IKW40N120H3FKSA1
- IRG4PC50UDPBF — Infineon IRG4PC50UDPBF
- STGW20NC60VD — STMicroelectronics STGW20NC60VD
- STGWA25IH135DF2 — STGWA25IH135DF2