IGBT-транзистор кристалл N-канальный, 1200 В, ток 50 А, мощность 190 Вт, корпус TO-247
Infineon IGW25T120FKSA1 — это мощный N-канальный IGBT-транзистор с максимальным напряжением коллектор-эмиттер 1200 В и током коллектора до 50 А в непрерывном режиме. Компонент обладает высокой мощностью рассеяния — до 190 Вт, что позволяет использовать его в схемах с высокими нагрузками. Корпус TO-247 обеспечивает надёжное крепление и эффективное охлаждение, делая его подходящим для встраивания в силовые модули и блоки питания.
При проектировании печатной платы рекомендуется уделять особое внимание трассировке цепей питания и охлаждения. Для обеспечения эффективного теплоотвода необходимо предусмотреть достаточное количество медных полигонов и толстых дорожек, соединяющих выводы транзистора с радиатором. Также стоит избегать размещения чувствительных к помехам элементов рядом с силовыми линиями, чтобы минимизировать влияние электромагнитных наводок.
| Корпус | TO-247 |
| China RoHS | Соответствует |
| Напряжение пробоя коллектор-эмиттер | 1.2 kV |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 1.7 V |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO) | 1.2 kV |
| Постоянный ток коллектора | 50 A |
| Конфигурация элементов | Одиночный |
| Высота | 25.549 mm |
| Дата выпуска | 2002-01-29 |
| Без свинца | Без свинца |
| Статус жизненного цикла | Снят с производства |
| Дата последней закупки (LTB) | 2024-08-15 |
| Дата последней поставки (LTD) | 2025-02-15 |
| Макс. ток коллектора | 50 A |
| Максимальная температура перехода | 150 °C |
| Макс. рабочая температура | 150 °C |
| Максимальная рассеиваемая мощность | 190 W |
| Мин. рабочая температура | -40 °C |
| Тип монтажа | Монтаж в отверстия (THT) |
| Число элементов | 1 |
| Число выводов | 3 |
| Количество в упаковке | 240 |
| Рассеиваемая мощность | 190 W |
| Радиационная стойкость | Нет |
| REACH SVHC | Да |
| RoHS | Соответствует |
| Код Schedule B | 8541290080 |
| Время задержки выключения | 560 ns |
| Время задержки включения | 50 ns |
| Документ | Скачать | |
| Информационный лист | Скачать (12 стр.) | |
| Conflict Mineral Statement | Скачать |
Похожие товары — БТИЗ
- BSM15GD120DN2E3224BDLA1 — IGBT-модуль Infineon, напряжение 1200 В
- BSM15GD120DN2E3224BPSA1 — Силовой IGBT-модуль N-канальный, 1200 В, 25 А, управление 20 В, винтовое крепление, лента.
- BSM35GD120DN2E3224 — Силовой IGBT-модуль N-канальный, ток коллектора 50 А, напряжение 1200 В.
- BSM35GD120DN2E3224BPSA1 — IGBT-модуль Infineon, N-канал, 1200 В, 50 А, напряжение затвора 20 В, винтовое крепление
- CM1000DU-34NF — Сдвоенный силовой IGBT-модуль, 1700 В, 1000 А, серия NF.
- CM1000DUC-34SA — Биполярный транзистор с изолированным затвором IGBT, ток коллектора 1000 А, напряжение 17…
- FGH60N60SMD — IGBT-транзистор с траншейным затвором Field Stop, 600 В, ток 60 А, корпус TO-247-3, вывод…
- IKA10N65ET6-VB — IGBT-транзистор со встроенным диодом VBsemi, напряжение 600/650 В, ток 10 А, корпус TO-22…
- IKW40N120H3FKSA1 — IGBT-транзистор с траншейным затвором Field Stop, 1200 В, ток 80 А, мощность 483 Вт, корп…
- IRG4PC50UDPBF — IGBT-транзистор кристалл N-канальный, 600 В, ток 55 А, мощность 200 Вт, корпус TO-247AC
- STGW20NC60VD — Силовой IGBT-транзистор, напряжение 600 В, ток 60 А, мощность рассеивания 200 Вт, корпус…
- STGWA25IH135DF2 — IGBT-транзистор STMicroelectronics STGWA25IH135, серия IH2, траншейный затвор, 1350 В, 25…