STMicroelectronics STGW20NC60VD — купить, цена, наличие
| Наименование: | STMicroelectronics STGW20NC60VD |
| Производитель: | STMicroelectronics |
| Категория: | БТИЗ |
| Артикул: | 000521 |
| Наличие: | Под заказ · авиа 1–3 раза/нед. |
Силовой IGBT-транзистор, напряжение 600 В, ток 60 А, мощность рассеивания 200 Вт, корпус TO-247
STMicroelectronics STGW20NC60VD — силовой IGBT-транзистор в корпусе TO-247, рассчитанный на работу с напряжением до 600 В и током до 60 А. Его мощность рассеивания составляет 200 Вт, что делает его подходящим для применения в мощных электронных устройствах, таких как инверторы, преобразователи частоты и источники питания.
В отличие от силовых MOSFET-транзисторов, данный IGBT обеспечивает меньшие потери проводимости при высоких напряжениях, что особенно важно в высоковольтных приложениях. Однако, по сравнению с тиристорами, он обладает более высоким быстродействием и возможностью управления выключением, что делает его предпочтительным выбором для импульсных и регулируемых источников питания и систем управления электродвигателями.
| Корпус | TO-247 |
| China RoHS | Не соответствует |
| Напряжение пробоя коллектор-эмиттер | 600 V |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 2.5 V |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO) | 600 V |
| Постоянный ток коллектора | 30 A |
| Номинальный ток | 30 A |
| Конфигурация элементов | Одиночный |
| Высота | 20.15 mm |
| Дата выпуска | 1980-01-04 |
| Без свинца | Без свинца |
| Длина | 15.75 mm |
| Статус жизненного цикла | Производится |
| Макс. ток коллектора | 60 A |
| Макс. рабочая температура | 150 °C |
| Максимальная рассеиваемая мощность | 200 W |
| Мин. рабочая температура | -55 °C |
| Тип монтажа | Монтаж в отверстия (THT) |
| Число элементов | 1 |
| Число выводов | 3 |
| Рассеиваемая мощность | 200 W |
| Радиационная стойкость | Нет |
| REACH SVHC | Нет |
| Время обратного восстановления | 44 ns |
| Время нарастания | 11.5 ns |
| RoHS | Соответствует |
| Время задержки выключения | 100 ns |
| Время задержки включения | 31 ns |
| Номинальное напряжение (DC) | 600 V |
| Масса | 38.000013 g |
| Ширина | 5.15 mm |
| Документ | Скачать | |
| Информационный лист | Скачать (14 стр.) | |
| Информационный лист | Скачать (11 стр.) | |
| Информационный лист | Скачать (18 стр.) |
Похожие товары — БТИЗ
- STGWA25IH135DF2 — IGBT-транзистор STMicroelectronics STGWA25IH135, серия IH2, траншейный затвор, 1350 В, 25…
- BSM15GD120DN2E3224BPSA1 — Силовой IGBT-модуль N-канальный, 1200 В, 25 А, управление 20 В, винтовое крепление, лента.
- BSM35GD120DN2E3224 — Силовой IGBT-модуль N-канальный, ток коллектора 50 А, напряжение 1200 В.
- BSM35GD120DN2E3224BPSA1 — IGBT-модуль Infineon, N-канал, 1200 В, 50 А, напряжение затвора 20 В, винтовое крепление
- CM1000DU-34NF — Сдвоенный силовой IGBT-модуль, 1700 В, 1000 А, серия NF.
- CM1000DUC-34SA — Биполярный транзистор с изолированным затвором IGBT, ток коллектора 1000 А, напряжение 17…
- FGH60N60SMD — IGBT-транзистор с траншейным затвором Field Stop, 600 В, ток 60 А, корпус TO-247-3, вывод…
- IGW25T120FKSA1 — IGBT-транзистор кристалл N-канальный, 1200 В, ток 50 А, мощность 190 Вт, корпус TO-247
- IKA10N65ET6-VB — IGBT-транзистор со встроенным диодом VBsemi, напряжение 600/650 В, ток 10 А, корпус TO-22…
- IKW40N120H3FKSA1 — IGBT-транзистор с траншейным затвором Field Stop, 1200 В, ток 80 А, мощность 483 Вт, корп…
- IRG4PC50UDPBF — IGBT-транзистор кристалл N-канальный, 600 В, ток 55 А, мощность 200 Вт, корпус TO-247AC