IGBT-транзистор с траншейным затвором Field Stop, 1200 В, ток 80 А, мощность 483 Вт, корпус TO-247-3
Это мощный транзистор типа IGBT с технологией Field Stop, предназначенный для управления большими токами и напряжениями. Он выдерживает рабочее напряжение до 1200 В и способен пропускать постоянный ток до 80 А. При этом максимальная рассеиваемая мощность составляет 483 Вт, что делает его подходящим для высоконагруженных систем. Корпус TO-247-3 обеспечивает надежное крепление и хороший теплоотвод.
При монтаже данного транзистора важно обеспечить качественное соединение с радиатором, чтобы эффективно отводить выделяемое тепло. Использование термопасты обязательно, так как она улучшает теплопроводность между корпусом транзистора и радиатором. Питающие и управляющие дорожки должны быть достаточно широкими, чтобы выдерживать большие токи и минимизировать падение напряжения. При пайке следует избегать перегрева, соблюдая рекомендуемый температурный режим и время пайки.
| Корпус | TO-247-3 |
| China RoHS | Соответствует |
| Напряжение пробоя коллектор-эмиттер | 1.2 kV |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 2.05 V |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO) | 1.2 kV |
| Покрытие контакта | Олово |
| Конфигурация элементов | Одиночный |
| Прямое напряжение | 2.4 V |
| Высота | 21.1 mm |
| Дата выпуска | 2009-12-15 |
| Без свинца | Без свинца |
| Длина | 16.03 mm |
| Статус жизненного цикла | Производится |
| Макс. ток коллектора | 80 A |
| Макс. рабочая температура | 175 °C |
| Максимальная рассеиваемая мощность | 483 W |
| Мин. рабочая температура | -40 °C |
| Число элементов | 1 |
| Число выводов | 3 |
| Количество в упаковке | 240 |
| Рассеиваемая мощность | 483 W |
| REACH SVHC | Да |
| Время обратного восстановления | 355 ns |
| RoHS | Соответствует |
| Ширина | 5.16 mm |
| Документ | Скачать | |
| Информационный лист | Скачать (16 стр.) | |
| Информационный лист | Скачать (17 стр.) | |
| Информационный лист | Скачать (14 стр.) | |
| Conflict Mineral Statement | Скачать |
Похожие товары — БТИЗ
- BSM15GD120DN2E3224 — IGBT-модуль трёхфазный шестипак, 1200 В, 15 А, короткие выводы.
- BSM15GD120DN2E3224BDLA1 — IGBT-модуль Infineon, напряжение 1200 В
- BSM15GD120DN2E3224BPSA1 — Силовой IGBT-модуль N-канальный, 1200 В, 25 А, управление 20 В, винтовое крепление, лента.
- BSM35GD120DN2E3224 — Силовой IGBT-модуль N-канальный, ток коллектора 50 А, напряжение 1200 В.
- BSM35GD120DN2E3224BPSA1 — IGBT-модуль Infineon, N-канал, 1200 В, 50 А, напряжение затвора 20 В, винтовое крепление
- CM1000DU-34NF — Сдвоенный силовой IGBT-модуль, 1700 В, 1000 А, серия NF.
- CM1000DUC-34SA — Биполярный транзистор с изолированным затвором IGBT, ток коллектора 1000 А, напряжение 17…
- FGH60N60SMD — IGBT-транзистор с траншейным затвором Field Stop, 600 В, ток 60 А, корпус TO-247-3, вывод…
- IGW25T120FKSA1 — IGBT-транзистор кристалл N-канальный, 1200 В, ток 50 А, мощность 190 Вт, корпус TO-247
- IKA10N65ET6-VB — IGBT-транзистор со встроенным диодом VBsemi, напряжение 600/650 В, ток 10 А, корпус TO-22…
- IRG4PC50UDPBF — IGBT-транзистор кристалл N-канальный, 600 В, ток 55 А, мощность 200 Вт, корпус TO-247AC
- STGW20NC60VD — Силовой IGBT-транзистор, напряжение 600 В, ток 60 А, мощность рассеивания 200 Вт, корпус…