IGBT-транзистор со встроенным диодом VBsemi, напряжение 600/650 В, ток 10 А, корпус TO-220F
БТИЗ (IGBT) транзистор со встроенным диодом серии VBsemi, модель IKA10N65ET6-VB, предназначен для работы в цепях с высоким напряжением и током. Основные характеристики: максимальное рабочее напряжение 600/650 В, номинальный ток коллектора до 10 А, корпус TO-220F. Корпус обеспечивает надёжное крепление и эффективное охлаждение, что позволяет использовать транзистор в мощных электронных устройствах.
Компонент востребован в таких отраслях, как промышленная автоматика, автомобильная электроника и бытовая техника. В промышленности требуется высокая устойчивость к перегрузкам и температурным колебаниям, а также длительный срок службы. В автомобильной электронике критичны компактные размеры и низкое энергопотребление, чтобы обеспечить работу в ограниченных пространствах и минимизировать нагрузку на бортовую сеть. Бытовая техника требует надёжности и энергоэффективности, что обеспечивается стабильными характеристиками транзистора в условиях длительной непрерывной работы.
| Характеристики не указаны. |
| Документ | Скачать | |
| Документация по этому компоненту пока не загружена. | ||
Позиция есть у 2 поставщиков на мировых складах. Актуальные цены, остатки и сроки — проверить по партномеру.
Похожие товары — БТИЗ
- BSM15GD120DN2E3224 — IGBT-модуль трёхфазный шестипак, 1200 В, 15 А, короткие выводы.
- BSM15GD120DN2E3224BDLA1 — IGBT-модуль Infineon, напряжение 1200 В
- BSM15GD120DN2E3224BPSA1 — Силовой IGBT-модуль N-канальный, 1200 В, 25 А, управление 20 В, винтовое крепление, лента.
- BSM35GD120DN2E3224 — Силовой IGBT-модуль N-канальный, ток коллектора 50 А, напряжение 1200 В.
- BSM35GD120DN2E3224BPSA1 — IGBT-модуль Infineon, N-канал, 1200 В, 50 А, напряжение затвора 20 В, винтовое крепление
- CM1000DU-34NF — Сдвоенный силовой IGBT-модуль, 1700 В, 1000 А, серия NF.
- CM1000DUC-34SA — Биполярный транзистор с изолированным затвором IGBT, ток коллектора 1000 А, напряжение 17…
- FGH60N60SMD — IGBT-транзистор с траншейным затвором Field Stop, 600 В, ток 60 А, корпус TO-247-3, вывод…
- IGW25T120FKSA1 — IGBT-транзистор кристалл N-канальный, 1200 В, ток 50 А, мощность 190 Вт, корпус TO-247
- IKW40N120H3FKSA1 — IGBT-транзистор с траншейным затвором Field Stop, 1200 В, ток 80 А, мощность 483 Вт, корп…
- IRG4PC50UDPBF — IGBT-транзистор кристалл N-канальный, 600 В, ток 55 А, мощность 200 Вт, корпус TO-247AC
- STGW20NC60VD — Силовой IGBT-транзистор, напряжение 600 В, ток 60 А, мощность рассеивания 200 Вт, корпус…