IGBT-транзистор со встроенным диодом VBsemi, напряжение 600/650 В, ток 10 А, корпус TO-220F
БТИЗ (IGBT) транзистор со встроенным диодом серии VBsemi, модель IKA10N65ET6-VB, предназначен для работы в цепях с высоким напряжением и током. Основные характеристики: максимальное рабочее напряжение 600/650 В, номинальный ток коллектора до 10 А, корпус TO-220F. Корпус обеспечивает надёжное крепление и эффективное охлаждение, что позволяет использовать транзистор в мощных электронных устройствах.
Компонент востребован в таких отраслях, как промышленная автоматика, автомобильная электроника и бытовая техника. В промышленности требуется высокая устойчивость к перегрузкам и температурным колебаниям, а также длительный срок службы. В автомобильной электронике критичны компактные размеры и низкое энергопотребление, чтобы обеспечить работу в ограниченных пространствах и минимизировать нагрузку на бортовую сеть. Бытовая техника требует надёжности и энергоэффективности, что обеспечивается стабильными характеристиками транзистора в условиях длительной непрерывной работы.
| Характеристики не указаны. |
| Документ | Скачать | |
| Документация по этому компоненту пока не загружена. | ||
Позиция есть у 2 поставщиков на мировых складах. Актуальные цены, остатки и сроки — проверить по партномеру.
Похожие товары — БТИЗ
- BSM15GD120DN2E3224 — Infineon BSM15GD120DN2E3224
- BSM15GD120DN2E3224BDLA1 — Infineon BSM15GD120DN2E3224BDLA1
- BSM15GD120DN2E3224BPSA1 — Infineon BSM15GD120DN2E3224BPSA1
- BSM35GD120DN2E3224 — Infineon BSM35GD120DN2E3224
- BSM35GD120DN2E3224BPSA1 — Infineon BSM35GD120DN2E3224BPSA1
- CM1000DU-34NF — Powerex CM1000DU-34NF
- CM1000DUC-34SA — CM1000DUC-34SA
- FGH60N60SMD — FGH60N60SMD
- IGW25T120FKSA1 — Infineon IGW25T120FKSA1
- IKW40N120H3FKSA1 — IKW40N120H3FKSA1
- IRG4PC50UDPBF — Infineon IRG4PC50UDPBF
- STGW20NC60VD — STMicroelectronics STGW20NC60VD