VBsemi — купить компоненты со склада и под заказ
В каталоге ЭЛ-СИРИУС 70 наименований VBsemi: полевые моп-транзисторы, бтиз. Проверка цены и наличия онлайн по партномеру, поставка по России и СНГ, работаем с юрлицами и частными покупателями.
70позиций
2категорий
22с ценой
10с фото
Категории VBsemi
Каталог VBsemi
| Фото | Партномер (MPN) | Категория | Описание | Цена | Наличие |
|---|---|---|---|---|---|
| FDY3000NZ-VB | Полевые МОП-транзисторы | Транзистор MOSFET N-канальный, 20 В, ток 200 мА, корпус SC75-6 | 5,85 ₽ | Под заказ | |
| IRF3205STRPBF-VB | Полевые МОП-транзисторы | Транзистор MOSFET N-канальный, 60 В, ток 100 А, сопротивление канала 6 мОм, корпус TO-263 | 68,55 ₽ | Под заказ | |
 |
IRF540N | Полевые МОП-транзисторы | Транзистор MOSFET N-канальный IRF540N, корпус TO-220AB | 10,03 ₽ | Под заказ |
 |
IRF540NSTRPBF-VB | Полевые МОП-транзисторы | Транзистор MOSFET N-канальный, 100 В, ток 45 А, сопротивление канала 32 мОм, корпус TO-263 | 44,31 ₽ | Под заказ |
| IRF7105TRPBF-VB | Полевые МОП-транзисторы | Транзистор MOSFET N+P-канальный сдвоенный, 30 В, ток 8 А, сопротивление канала 18 мОм, корпус SO-8 | 12,54 ₽ | Под заказ | |
 |
IRF9640STRLPBF-VB | Полевые МОП-транзисторы | Транзистор MOSFET P-канальный, -200 В, -11 А, сопротивление канала 0,50 Ом | 35,11 ₽ | Под заказ |
| IRFL110TR-VB | Полевые МОП-транзисторы | Транзистор MOSFET N-канальный, 100 В, ток 5 А, сопротивление канала 100 мОм, корпус SOT-223-3 | 14,21 ₽ | Под заказ | |
| IRFL110TRPBF-VB | Полевые МОП-транзисторы | Транзистор MOSFET N-канальный, 100 В, ток 5 А, сопротивление канала 100 мОм, корпус SOT-223-3 | 14,21 ₽ | Под заказ | |
 |
IRLML2502G | Полевые МОП-транзисторы | Транзистор MOSFET N-канальный, корпус SOT-23 | 22,57 ₽ | Под заказ |
| IRLML2803TRPBF-VB | Полевые МОП-транзисторы | Транзистор MOSFET N-канальный, 30 В, ток 6,5 А, сопротивление канала 30 мОм, корпус SOT-23-3 | 3,34 ₽ | Под заказ | |
 |
BSC050N03LSG-VB | Полевые МОП-транзисторы | N-канальный силовой MOSFET VBsemi, напряжение 30 В, ток 120 А, сопротивление канала 3 мОм при 10 В, корпус DFN | 21,74 ₽ | Под заказ |
|
BSZ900N20NS3 G-VB | Полевые МОП-транзисторы | N-канальный силовой MOSFET VBsemi, напряжение 200 В, ток 18 А, сопротивление канала 66 мОм при 10 В, корпус DF | 53,50 ₽ | Под заказ |
|
BSZ900N20NS3GATMA1-VB | Полевые МОП-транзисторы | N-канальный силовой MOSFET VBsemi, напряжение сток-исток 200 В, корпус DFN8 3х3 мм | 53,50 ₽ | Под заказ |
|
CS10N80FA9D | Полевые МОП-транзисторы | N-канальный высоковольтный MOSFET VBsemi, напряжение 850 В, ток 10 А, сопротивление канала 1150 мОм при 10 В | 98,65 ₽ | Под заказ |
|
IKA10N65ET6-VB | БТИЗ | IGBT-транзистор со встроенным диодом VBsemi, напряжение 600/650 В, ток 10 А, корпус TO-220F | 45,98 ₽ | Под заказ |
|
IRLZ44NLPBF-VB | Полевые МОП-транзисторы | N-канальный силовой MOSFET IRLZ44N, напряжение сток-исток 60 В, корпус TO-262 | 53,50 ₽ | Под заказ |
|
IRLZ44NS-VB | Полевые МОП-транзисторы | N-канальный силовой MOSFET IRLZ44N, напряжение сток-исток 60 В, ток 50 А, сопротивление канала 32 мОм при 10 В | 25,08 ₽ | Под заказ |
|
IRLZ44NSNL-VB | Полевые МОП-транзисторы | N-канальный силовой MOSFET IRLZ44N, напряжение сток-исток 60 В, ток 50 А, сопротивление канала 32 мОм при 10 В | 25,08 ₽ | Под заказ |
|
JCS10N60FT-O-F-N-B-VB | Полевые МОП-транзисторы | N-канальный силовой MOSFET, напряжение 650 В, ток 12 А, сопротивление канала 680 мОм при 10 В | 39,29 ₽ | Под заказ |
|
JCS10N65FT-R-F-N-B-VB | Полевые МОП-транзисторы | N-канальный силовой MOSFET, напряжение 650 В, ток 10 А, сопротивление канала 830 мОм при 10 В, корпус TO-220F | 39,29 ₽ | Под заказ |
|
ME2N7002DW-VB | Полевые МОП-транзисторы | N-канальный MOSFET, напряжение 60 В, ток 0.3 А, сопротивление канала 2000 мОм при 4.5 В | 2,51 ₽ | Под заказ |
|
S2N7002DW-VB | Полевые МОП-транзисторы | N-канальный MOSFET VBsemi, напряжение 60 В, ток 0.3 А, сопротивление канала 2500 мОм при 10 В | 2,51 ₽ | Под заказ |
| 2N7002DW-7-F-VB | Полевые МОП-транзисторы | Сдвоенный N-канальный MOSFET 2N7002DW, напряжение 60 В, ток 350 мА, корпус SC70-6 | по запросу | Под заказ | |
| 2N7002DW-TP-VB | Полевые МОП-транзисторы | Сдвоенный N-канальный MOSFET VBsemi 2N7002DW, напряжение 60 В, ток 0.35 А, сопротивление канала 2000 мОм при 1 | по запросу | Под заказ | |
| 2N7002DW-VB | Полевые МОП-транзисторы | Сдвоенный N-канальный MOSFET 2N7002DW, напряжение 60 В, корпус SC70-6 | по запросу | Под заказ | |
| 2N7002DWQ-7-F-VB | Полевые МОП-транзисторы | Сдвоенный N-канальный MOSFET VBsemi 2N7002DW, напряжение 60 В, ток 0.35 А, сопротивление канала 2000 мОм при 1 | по запросу | Под заказ | |
| AUIRF540Z-VB | Полевые МОП-транзисторы | N-канальный автомобильный MOSFET AUIRF540Z VBsemi, напряжение 100 В, ток 70 А, сопротивление канала 17 мОм при | по запросу | Под заказ | |
| AUIRF540ZPBF-VB | Полевые МОП-транзисторы | N-канальный автомобильный MOSFET AUIRF540Z VBsemi, напряжение 100 В, ток 70 А, сопротивление канала 17 мОм при | по запросу | Под заказ | |
| AUIRF540ZXKMA1-VB | Полевые МОП-транзисторы | N-канальный автомобильный MOSFET AUIRF540Z VBsemi, напряжение 100 В, ток 70 А, сопротивление канала 17 мОм при | по запросу | Под заказ | |
| B100NF03L-VB TO263 | Полевые МОП-транзисторы | N-канальный силовой MOSFET VBsemi, напряжение 30 В, ток 150 А, сопротивление канала 2.3 мОм при 10 В, корпус T | по запросу | Под заказ | |
| B100NF04-VB | Полевые МОП-транзисторы | N-канальный силовой MOSFET VBsemi, напряжение 40 В, ток 100 А, сопротивление канала 5 мОм при 10 В, корпус TO2 | по запросу | Под заказ | |
| BSC034N10LS5ATMA1-VB | Полевые МОП-транзисторы | N-канальный силовой MOSFET VBsemi, напряжение 100 В, ток 180 А, корпус DFN5X6-8L | по запросу | Под заказ | |
| BSC050N03LS G-VB | Полевые МОП-транзисторы | N-канальный силовой MOSFET VBsemi, напряжение 30 В, ток 120 А, сопротивление канала 3 мОм при 10 В, корпус DFN | по запросу | Под заказ | |
| BSC050N03LSGATMA1-VB | Полевые МОП-транзисторы | N-канальный силовой MOSFET VBsemi, напряжение 30 В, ток 45 А, сопротивление канала 4.4 мОм при 10 В, корпус DF | по запросу | Под заказ | |
| CS10N60A8HD-VB | Полевые МОП-транзисторы | N-канальный силовой MOSFET VBsemi, напряжение 650 В, ток 18 А, сопротивление канала 430 мОм при 10 В, корпус T | по запросу | Под заказ | |
| CSD16401Q5-VB | Полевые МОП-транзисторы | N-канальный силовой MOSFET VBsemi, напряжение 30 В, ток 160 А, сопротивление канала 1.8 мОм при 10 В, корпус Q | по запросу | Под заказ | |
| IRF540APBF-VB | Полевые МОП-транзисторы | N-канальный MOSFET IRF540A VBsemi, напряжение 100 В, ток 55 А, сопротивление канала 36 мОм при 10 В, корпус TO | по запросу | Под заказ | |
| IRF540FI-VB | Полевые МОП-транзисторы | N-канальный MOSFET IRF540FI VBsemi, напряжение 100 В, ток 50 А, сопротивление канала 40 мОм при 10 В, корпус T | по запросу | Под заказ | |
| IRF540N-VB | Полевые МОП-транзисторы | N-канальный MOSFET IRF540N VBsemi, напряжение 100 В, ток 55 А, сопротивление канала 36 мОм при 10 В, корпус TO | по запросу | Под заказ | |
| IRF540NL-VB | Полевые МОП-транзисторы | N-канальный силовой MOSFET IRF540N VBsemi, напряжение 100 В, корпус TO262 | по запросу | Под заказ | |
| IRF540NPBF-VB | Полевые МОП-транзисторы | N-канальный MOSFET IRF540N VBsemi, напряжение 100 В, ток 55 А, сопротивление канала 36 мОм при 10 В, корпус TO | по запросу | Под заказ | |
| IRF540NS-VB | Полевые МОП-транзисторы | N-канальный MOSFET (trench) IRF540N VBsemi, напряжение 100 В, ток 45 А, сопротивление канала 32 мОм при 10 В, | по запросу | Под заказ | |
| IRF540NSTRLPBF-VB | Полевые МОП-транзисторы | N-канальный MOSFET (trench) IRF540N VBsemi, напряжение 100 В, ток 45 А, сопротивление канала 32 мОм при 10 В, | по запросу | Под заказ | |
| IRF540NSTRPBF | Полевые МОП-транзисторы | Силовой полевой транзистор IRF540N VBsemi, ток 33 А, напряжение 100 В, сопротивление канала 0.044 Ом, N-каналь | по запросу | Под заказ | |
| IRF540NSTRRPBF-VB | Полевые МОП-транзисторы | N-канальный MOSFET IRF540N VBsemi, одноканальный, корпус TO263 | по запросу | Под заказ | |
| IRF540PBF-VB | Полевые МОП-транзисторы | N-канальный MOSFET IRF540 VBsemi, напряжение 100 В, ток 55 А, сопротивление канала 36 мОм при 10 В, корпус TO2 | по запросу | Под заказ | |
| IRF540S-VB | Полевые МОП-транзисторы | N-канальный MOSFET (trench) IRF540S VBsemi, напряжение 100 В, ток 45 А, сопротивление канала 32 мОм при 10 В, | по запросу | Под заказ | |
| IRF540ZP | Полевые МОП-транзисторы | N-канальный силовой MOSFET IRF540Z VBsemi, напряжение 100 В, ток 70 А, сопротивление канала 18 мОм при 10 В, к | по запросу | Под заказ | |
| IRF540ZPBF-VB | Полевые МОП-транзисторы | N-канальный силовой MOSFET IRF540Z VBsemi, напряжение 100 В, ток 70 А, сопротивление канала 17 мОм при 10 В, к | по запросу | Под заказ | |
| IRF540ZSTRPBF | Полевые МОП-транзисторы | N-канальный MOSFET IRF540Z VBsemi, напряжение 100 В, ток 70 А, сопротивление канала 18 мОм при 10 В, корпус TO | по запросу | Под заказ | |
| IRF640STRLPBF-VB | Полевые МОП-транзисторы | N-канальный силовой MOSFET VBsemi, напряжение 200 В, ток 40 А, сопротивление канала 48 мОм при 10 В, корпус TO | по запросу | Под заказ | |
| IRL640S-VB | Полевые МОП-транзисторы | N-канальный силовой MOSFET VBsemi, напряжение 200 В, ток 40 А, сопротивление канала 48 мОм при 10 В, корпус TO | по запросу | Под заказ | |
| IRLML2502G-VB | Полевые МОП-транзисторы | N-канальный MOSFET VBsemi, напряжение 20 В, ток 6 А, сопротивление канала 24 мОм при 4.5 В, корпус SOT23-3 | по запросу | Под заказ | |
| IRLML2502GTRPBF-VB | Полевые МОП-транзисторы | N-канальный MOSFET VBsemi, напряжение 20 В, ток 6 А, сопротивление канала 24 мОм при 4.5 В, корпус SOT23-3 | по запросу | Под заказ | |
| IRLZ44NL-VB | Полевые МОП-транзисторы | N-канальный силовой MOSFET IRLZ44N VBsemi, напряжение 60 В, корпус TO262 | по запросу | Под заказ | |
| IRLZ44NPBF-VB | Полевые МОП-транзисторы | N-канальный силовой MOSFET IRLZ44N VBsemi, напряжение 60 В, ток 50 А, сопротивление канала 24 мОм при 10 В | по запросу | Под заказ | |
| IRLZ44NSPBF-VB | Полевые МОП-транзисторы | N-канальный силовой MOSFET IRLZ44N VBsemi, напряжение 60 В, корпус TO-263 | по запросу | Под заказ | |
| IRLZ44NSTRLPBF-VB | Полевые МОП-транзисторы | N-канальный силовой MOSFET IRLZ44N VBsemi, напряжение 60 В, ток 75 А, сопротивление канала 11 мОм при 10 В, ко | по запросу | Под заказ | |
| IRLZ44NSTRR-VB | Полевые МОП-транзисторы | N-канальный силовой MOSFET IRLZ44N VBsemi, напряжение 60 В, ток 75 А, сопротивление канала 11 мОм при 10 В, ко | по запросу | Под заказ | |
| JCS10N60CT-O-C-N-B-VB | Полевые МОП-транзисторы | N-канальный силовой MOSFET VBsemi, напряжение 650 В, ток 12 А, сопротивление канала 800 мОм при 10 В, корпус T | по запросу | Под заказ | |
| JCS10N60FT-VB | Полевые МОП-транзисторы | N-канальный силовой MOSFET VBsemi, напряжение 650 В, ток 12 А, сопротивление канала 680 мОм при 10 В | по запросу | Под заказ | |
| JCS10N60T-VB | Полевые МОП-транзисторы | N-канальный силовой MOSFET VBsemi, напряжение 650 В, ток 12 А, сопротивление канала 680 мОм при 10 В | по запросу | Под заказ | |
| JCS10N65CT-O-C-N-B-VB | Полевые МОП-транзисторы | N-канальный силовой MOSFET VBsemi, напряжение 650 В, ток 12 А, сопротивление канала 800 мОм при 10 В, корпус T | по запросу | Под заказ | |
| JCS10N65FT-O-F-N-B-VB | Полевые МОП-транзисторы | N-канальный силовой MOSFET VBsemi, напряжение 650 В, ток 10 А, сопротивление канала 830 мОм при 10 В | по запросу | Под заказ | |
| JCS10N65FT-VB | Полевые МОП-транзисторы | N-канальный силовой MOSFET VBsemi, напряжение 650 В, ток 10 А, сопротивление канала 830 мОм при 10 В | по запросу | Под заказ | |
| P100NF03L-03-VB | Полевые МОП-транзисторы | N-канальный силовой MOSFET VBsemi, напряжение 30 В, ток 120 А, сопротивление канала 3 мОм при 10 В, корпус TO2 | по запросу | Под заказ | |
| SIHF640S-VB | Полевые МОП-транзисторы | N-канальный силовой MOSFET VBsemi, напряжение 200 В, ток 40 А, сопротивление канала 48 мОм при 10 В, корпус TO | по запросу | Под заказ | |
| STB100NF04 | Полевые МОП-транзисторы | N-канальный силовой MOSFET STB100NF04, напряжение 40 В, ток 100 А, мощность 150 Вт, сопротивление канала 5 мОм | по запросу | Под заказ | |
| STB100NF04-VB | Полевые МОП-транзисторы | N-канальный силовой MOSFET STB100NF04 VBsemi, напряжение 40 В, ток 100 А, мощность 150 Вт, сопротивление канал | по запросу | Под заказ | |
| STP100NF03L-03-VB | Полевые МОП-транзисторы | N-канальный силовой MOSFET STP100NF03L VBsemi, напряжение 30 В, ток 120 А, сопротивление канала 3 мОм при 10 В | по запросу | Под заказ |
Как купить компоненты VBsemi в ЭЛ-СИРИУС
Мы работаем как поставщик электронных компонентов и подбираем позиции VBsemi под конкретный проект. Цена и наличие проверяются онлайн: введите партномер в поиск — система опросит склады и покажет доступные количества, цену за штуку и срок поставки. Если нужной позиции нет в списке, пришлите спецификацию — обработаем до 100 строк за один запрос.
Оригинальность подтверждаем документами производителя, отгружаем с НДС и без, доставляем по России и странам СНГ. Работаем с юридическими лицами, ИП и частными покупателями.