B100NF04-VB — купить, цена, наличие
| Наименование: | B100NF04-VB |
| Производитель: | VBsemi |
| Категория: | Полевые МОП-транзисторы |
| Артикул: | 007205 |
| Наличие: | Под заказ · авиа 1–3 раза/нед. |
N-канальный силовой MOSFET VBsemi, напряжение 40 В, ток 100 А, сопротивление канала 5 мОм при 10 В, корпус TO263
VBsemi B100NF04-VB представляет собой мощный N-канальный полевой транзистор MOSFET, предназначенный для управления большими токами до 100 А и напряжениями до 40 В. Характеризуется низким сопротивлением открытого канала — всего 5 мОм при напряжении затвора 10 В, что обеспечивает эффективное управление и низкое тепловыделение. Корпус TO263 удобен для поверхностного монтажа и обеспечивает хорошие тепловые характеристики.
Конструкция данного транзистора рассчитана на эксплуатацию в условиях повышенной вибрации и влажности, характерных для промышленных и автомобильных применений. Металлический корпус TO263 обладает высокой механической прочностью и защищает внутренние элементы от воздействия внешних факторов. Температурный диапазон работы компонента позволяет использовать его в широком спектре климатических условий.
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 40 V |
| Документ | Скачать | |
| Документация по этому компоненту пока не загружена. | ||
Похожие товары — Полевые МОП-транзисторы
- B100NF04 — МОП-транзистор (MOSFET) JSMICRO B100NF04, N-канал
- B100NF03L-VB TO263 — N-канальный силовой MOSFET VBsemi, напряжение 30 В, ток 150 А, сопротивление канала 2.3 м…
- BSC050N03LS G — МОП-транзистор (MOSFET) BSC050N03LSG, N-канал
- BSC050N03LS G-VB — N-канальный силовой MOSFET VBsemi, напряжение 30 В, ток 120 А, сопротивление канала 3 мОм…
- BSC050N03LSG — МОП-транзистор (MOSFET) BSC050N03LSG, N-канал
- BSC050N03LSG-VB — N-канальный силовой MOSFET VBsemi, напряжение 30 В, ток 120 А, сопротивление канала 3 мОм…
- BSC050N03LSGA — МОП-транзистор (MOSFET) BSC050N03LSGA, N-канал
- BSC050N03LSGATMA1 — N-канальный силовой MOSFET, 30 В, ток 66 А, мощность 50 Вт, корпус PG-TDSON-8.
- BSC050N03LSGATMA1-HXY — МОП-транзистор (MOSFET) BSC050N03LS, HXY MOSFET, N-канал, корпус TDSON
- BSC050N03LSGATMA1-VB — N-канальный силовой MOSFET VBsemi, напряжение 30 В, ток 45 А, сопротивление канала 4.4 мО…
- BSC100N03MSGATMA1 — N-канальный силовой MOSFET, 30 В, ток 41 А, мощность 30 Вт, корпус PG-TDSON-8.
- BSC120N03MSGATMA1 — N-канальный силовой MOSFET OptiMOS, 30 В, сопротивление 12 мОм, заряд затвора 15 нКл, кор…