Diodes Inc. DMG4466SSS-13 — купить, цена, наличие
| Наименование: | Diodes Inc. DMG4466SSS-13 |
| Производитель: | Diodes Inc. |
| Категория: | Полевые МОП-транзисторы |
| Артикул: | 002518 |
| Наличие: | Под заказ · авиа 1–3 раза/нед. |
N-канальный силовой MOSFET, 30 В, 10 А, сопротивление открытого канала 0,015 Ом, корпус SOIC.
Диодс Инк. представляет силовую N-канальную МОП структуру DMG4466SSS-13 в корпусе SOIC, рассчитанную на работу при напряжении до 30 В и токе до 10 А. Сопротивление открытого канала составляет всего 0,015 Ом, что минимизирует потери на нагрев и обеспечивает высокий КПД при переключении нагрузок.
Рекомендуется использовать широкие дорожки питания и заземления вокруг MOSFET для эффективного отвода тепла и снижения падения напряжения. При компоновке схемы старайтесь разместить DMG4466SSS-13 как можно ближе к точкам подключения нагрузки, чтобы минимизировать индуктивность соединений и повысить устойчивость к помехам.
| Корпус | SOIC |
| China RoHS | Соответствует |
| Постоянный ток стока (ID) | 10 A |
| Напряжение пробоя сток-исток | 30 V |
| Сопротивление сток-исток | 23 mΩ |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 30 V |
| Конфигурация элементов | Одиночный |
| Время спада | 3.1 ns |
| Напряжение затвор-исток (Vgs) | 25 V |
| Высота | 1.5 mm |
| Входная ёмкость | 478.9 pF |
| Длина | 4.95 mm |
| Статус жизненного цикла | Производится |
| Максимальная рабочая температура | 150 °C |
| Максимальная рассеиваемая мощность | 1.42 W |
| Мин. напряжение пробоя | 30 V |
| Минимальная рабочая температура | -55 °C |
| Тип монтажа | Поверхностный монтаж (SMD) |
| Количество каналов | 1 |
| Число элементов | 1 |
| Число выводов | 8 |
| Упаковка | Лента на катушке |
| Рассеиваемая мощность | 1.42 W |
| Радиационное упрочнение | Нет |
| Rds(on) макс. | 23 mΩ |
| REACH SVHC | Да |
| Время нарастания | 7.9 ns |
| RoHS | Соответствует |
| Код Schedule B | 8541290080 |
| Время задержки выключения | 14.6 ns |
| Время задержки включения | 2.9 ns |
| Масса | 73.992255 mg |
| Ширина | 3.95 mm |
| Документ | Скачать | |
| Информационный лист | Скачать (6 стр.) | |
| Технический чертеж | Скачать (5 стр.) |
Позиция есть у 18 поставщиков на мировых складах. Актуальные цены, остатки и сроки — проверить по партномеру.
Похожие товары — Полевые МОП-транзисторы
- DMG4496SSS-13 — N-канальный MOSFET, 30 В, сопротивление канала 29 мОм, заряд затвора 4,7 нКл, мощность 1,…
- 2N7002DW-7-F-JSM — МОП-транзистор (сдвоенный, MOSFET) 2N7002DW-7-F, JSMICRO
- 2N7002DW-7-F-MS — Сдвоенный N-канальный MOSFET 2N7002DW, напряжение 60 В, ток 300 мА, сопротивление канала…
- 2N7002DW-7-F-VB — Сдвоенный N-канальный MOSFET 2N7002DW, напряжение 60 В, ток 350 мА, корпус SC70-6
- 2N7002DW-7-G — Сдвоенный N-канальный MOSFET (матрица) 2N7002DW, напряжение 60 В, корпус SOT-363
- 2N7002DW-JSM — МОП-транзистор (сдвоенный, MOSFET) 2N7002DW, JSMICRO
- 2N7002DW-TP — Сборка из двух МОП-транзисторов MCC, N-канальные, 60 В, 115 мА, 200 мВт, корпус SOT-363
- 2N7002DW-TP-VB — Сдвоенный N-канальный MOSFET VBsemi 2N7002DW, напряжение 60 В, ток 0.35 А, сопротивление…
- 2N7002DW-VB — Сдвоенный N-канальный MOSFET 2N7002DW, напряжение 60 В, корпус SC70-6
- 2N7002DW1T1G — МОП-транзистор (сдвоенный, MOSFET) 2N7002DW, onsemi, корпус SOT363, лента
- 2N7002DWH6327 — МОП-транзистор (сдвоенный, MOSFET) 2N7002DW, JGSEMI, корпус SOT363
- 2N7002DWH6327-MS — Сдвоенный N-канальный MOSFET 2N7002DW, напряжение 60 В, ток 300 мА, сопротивление канала…