IXFN110N85X — купить, цена, наличие
| Наименование: | IXFN110N85X |
| Производитель: | Littelfuse |
| Категория: | Полевые МОП-транзисторы |
| Артикул: | 007944 |
| Наличие: | Под заказ · авиа 1–3 раза/нед. |
Транзистор MOSFET N-канальный, 850 В, ток 110 А, корпус SOT-227B
IXFN110N85X — это мощный N-канальный полевой транзистор MOSFET производства компании Littelfuse, предназначенный для работы в цепях с высоким напряжением и большими токами. Максимальное напряжение сток-исток составляет 850 В, а максимальный ток канала достигает 110 А. Корпус SOT-227B обеспечивает эффективное охлаждение и возможность монтажа на радиатор.
Такой транзистор находит применение в инверторах и преобразователях напряжения, импульсных источниках питания, сварочном оборудовании и системах управления электродвигателями. В этих устройствах он используется как ключевой элемент, обеспечивая управление мощными нагрузками и высокую эффективность преобразования энергии.
| Постоянный ток стока (ID) | 110 A |
| Сопротивление сток-исток | 33 mΩ |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 850 V |
| Дата выпуска | 2016-06-07 |
| Статус жизненного цикла | Производится |
| Макс. рабочая температура | 150 °C |
| Максимальная рассеиваемая мощность | 1.17 kW |
| Мин. напряжение пробоя | 850 V |
| Мин. рабочая температура | -55 °C |
| Число элементов | 1 |
| Число выводов | 4 |
| Рассеиваемая мощность | 1.17 kW |
| Rds(on) макс. | 33 mΩ |
| REACH SVHC | Да |
| Время обратного восстановления | 205 ns |
| RoHS | Соответствует |
| Документ | Скачать | |
| Информационный лист | Скачать (7 стр.) | |
| Информационный лист | Скачать (5 стр.) |
Похожие товары — Полевые МОП-транзисторы
- IXFN132N50P3 — Транзистор MOSFET N-канальный, 500 В, мощность 1500 Вт, заряд затвора 267 нКл, корпус SOT…
- IXFN140N30P — Транзистор MOSFET N-канальный, 300 В, сопротивление канала 24 мОм, мощность 700 Вт, корпу…
- IXFN180N25T — Транзистор MOSFET N-канальный, 250 В, сопротивление канала 12,9 мОм, корпус SOT-227B
- IXFN20N120P — Транзистор MOSFET N-канальный, 1200 В, ток 20 А, мощность 595 Вт, корпус SOT-227B
- IXFN210N20P — Транзистор MOSFET N-канальный HyPerFET, 200 В, мощность 1070 Вт, заряд затвора 255 нКл, к…
- IXFN210N30P3 — Транзистор MOSFET N-канальный, ток 192 А, корпус SOT-227B
- IXFN210N30X3 — Транзистор MOSFET N-канальный, 300 В, ток 210 А, корпус SOT-227B (miniBLOC)
- IXFN360N10T — Транзистор MOSFET N-канальный, 100 В, сопротивление канала 2,6 мОм, мощность 830 Вт, корп…
- IXFN40N110Q3 — Транзистор MOSFET N-канальный, 1100 В, 35 А, корпус SOT-227B
- IXFN420N10T — Транзистор MOSFET N-канальный HiPerFET с траншейным затвором, серия Gen1, диапазон 55-300…
- IXFN66N85X — Транзистор MOSFET N-канальный, 850 В, ток 65 А, мощность 830 Вт, корпус SOT-227B
- DMN30H4D0LFDE-7 — N-канальный силовой MOSFET, 300 В, ток 550 мА, сопротивление канала 2,3 Ом, корпус U-DFN2…