IXFN210N20P — купить, цена, наличие
| Наименование: | IXFN210N20P |
| Производитель: | Littelfuse |
| Категория: | Полевые МОП-транзисторы |
| Артикул: | 007912 |
| Наличие: | Под заказ · авиа 1–3 раза/нед. |
Транзистор MOSFET N-канальный HyPerFET, 200 В, мощность 1070 Вт, заряд затвора 255 нКл, корпус TO-227B
IXFN210N20P — мощный N-канальный полевой транзистор типа HyPerFET, рассчитанный на напряжение до 200 В и способный рассеивать мощность до 1070 Вт. Корпус TO-227B обеспечивает эффективную теплоотдачу и подходит для монтажа на радиатор. Заряд затвора составляет 255 нКл, что влияет на скорость переключения транзистора и определяет требования к драйверу управления.
В отраслях, связанных с силовой электроникой, таких как источники питания, инверторы, преобразователи частоты и электромобили, данный транзистор востребован благодаря высокой мощности и способности работать в условиях значительных нагрузок. Здесь требуется высокая эффективность, минимальное тепловыделение и устойчивость к кратковременным перегрузкам и скачкам напряжения.
| Корпус | SOT-227-4 |
| China RoHS | Соответствует |
| Покрытие контакта | Никель |
| Постоянный ток стока (ID) | 188 A |
| Напряжение пробоя сток-исток | 200 V |
| Сопротивление сток-исток | 10.5 mΩ |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 200 V |
| Конфигурация элементов | Одиночный |
| Напряжение затвор-исток (Vgs) | 20 V |
| Входная ёмкость | 18.6 nF |
| Дата выпуска | 2008-08-08 |
| Без свинца | Без свинца |
| Статус жизненного цикла | Производится |
| Макс. рабочая температура | 150 °C |
| Максимальная рассеиваемая мощность | 1.07 kW |
| Мин. напряжение пробоя | 200 V |
| Мин. рабочая температура | -55 °C |
| Тип монтажа | Chassis Mount, Screw |
| Число элементов | 1 |
| Число выводов | 4 |
| Рассеиваемая мощность | 1.07 kW |
| Rds(on) макс. | 10.5 mΩ |
| REACH SVHC | Нет |
| Сопротивление | 10.5 MΩ |
| Время обратного восстановления | 200 ns |
| RoHS | Соответствует |
| Документ | Скачать | |
| Информационный лист | Скачать (6 стр.) | |
| Информационный лист | Скачать (5 стр.) |
Похожие товары — Полевые МОП-транзисторы
- IXFN210N30P3 — Транзистор MOSFET N-канальный, ток 192 А, корпус SOT-227B
- IXFN210N30X3 — Транзистор MOSFET N-канальный, 300 В, ток 210 А, корпус SOT-227B (miniBLOC)
- IXFN20N120P — Транзистор MOSFET N-канальный, 1200 В, ток 20 А, мощность 595 Вт, корпус SOT-227B
- IXFN110N85X — Транзистор MOSFET N-канальный, 850 В, ток 110 А, корпус SOT-227B
- IXFN132N50P3 — Транзистор MOSFET N-канальный, 500 В, мощность 1500 Вт, заряд затвора 267 нКл, корпус SOT…
- IXFN140N30P — Транзистор MOSFET N-канальный, 300 В, сопротивление канала 24 мОм, мощность 700 Вт, корпу…
- IXFN180N25T — Транзистор MOSFET N-канальный, 250 В, сопротивление канала 12,9 мОм, корпус SOT-227B
- IXFN360N10T — Транзистор MOSFET N-канальный, 100 В, сопротивление канала 2,6 мОм, мощность 830 Вт, корп…
- IXFN40N110Q3 — Транзистор MOSFET N-канальный, 1100 В, 35 А, корпус SOT-227B
- IXFN420N10T — Транзистор MOSFET N-канальный HiPerFET с траншейным затвором, серия Gen1, диапазон 55-300…
- IXFN66N85X — Транзистор MOSFET N-канальный, 850 В, ток 65 А, мощность 830 Вт, корпус SOT-227B
- IRLML6302TRPBF — Транзистор MOSFET P-канальный HEXFET, -20 В, ток -780 мА, корпус SOT-23