IXFN210N30P3 — купить, цена, наличие
| Наименование: | IXFN210N30P3 |
| Производитель: | Littelfuse |
| Категория: | Полевые МОП-транзисторы |
| Артикул: | 007936 |
| Наличие: | Под заказ · авиа 1–3 раза/нед. |
Транзистор MOSFET N-канальный, ток 192 А, корпус SOT-227B
IXFN210N30P3 — мощный полевой транзистор с каналом N-типа, выполненный в корпусе SOT-227B. Он обладает высоким номинальным током стока до 192 А, что делает его подходящим для применения в сильноточных цепях. Применение мощного корпуса SOT-227B обеспечивает эффективное охлаждение и возможность работы при высоких температурах.
Этот тип транзистора выгодно отличается от IGBT-модулей меньшими потерями проводимости и быстротой переключения, что особенно важно в импульсных источниках питания и инверторах. В отличие от биполярных транзисторов, он не требует сложной схемы управления затвором, что упрощает схемотехнические решения. Выбор данного MOSFET оправдан в случаях, когда требуется высокая плотность мощности и эффективность преобразования энергии.
| Корпус | SOT-227-4 |
| China RoHS | Соответствует |
| Постоянный ток стока (ID) | 192 A |
| Напряжение пробоя сток-исток | 300 V |
| Сопротивление сток-исток | 14.5 mΩ |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 300 V |
| Конфигурация элементов | Одиночный |
| Время спада | 13 ns |
| Напряжение затвор-исток (Vgs) | 20 V |
| Высота | 9.6 mm |
| Входная ёмкость | 16.2 nF |
| Дата выпуска | 2012-07-09 |
| Длина | 38.23 mm |
| Статус жизненного цикла | Производится |
| Макс. рабочая температура | 150 °C |
| Максимальная рассеиваемая мощность | 1.5 kW |
| Мин. напряжение пробоя | 300 V |
| Мин. рабочая температура | -55 °C |
| Тип монтажа | Chassis Mount, Panel |
| Число элементов | 1 |
| Число выводов | 4 |
| Рассеиваемая мощность | 1.5 kW |
| Rds(on) макс. | 14.5 mΩ |
| REACH SVHC | Нет |
| Время обратного восстановления | 250 ns |
| Время нарастания | 25 ns |
| RoHS | Соответствует |
| Время задержки выключения | 94 ns |
| Время задержки включения | 46 ns |
| Ширина | 25.07 mm |
| Документ | Скачать | |
| Информационный лист | Скачать (7 стр.) | |
| Информационный лист | Скачать (5 стр.) | |
| Информационный лист | Скачать (6 стр.) |
Похожие товары — Полевые МОП-транзисторы
- IXFN210N30X3 — Транзистор MOSFET N-канальный, 300 В, ток 210 А, корпус SOT-227B (miniBLOC)
- IXFN210N20P — Транзистор MOSFET N-канальный HyPerFET, 200 В, мощность 1070 Вт, заряд затвора 255 нКл, к…
- IXFN20N120P — Транзистор MOSFET N-канальный, 1200 В, ток 20 А, мощность 595 Вт, корпус SOT-227B
- IXFN110N85X — Транзистор MOSFET N-канальный, 850 В, ток 110 А, корпус SOT-227B
- IXFN132N50P3 — Транзистор MOSFET N-канальный, 500 В, мощность 1500 Вт, заряд затвора 267 нКл, корпус SOT…
- IXFN140N30P — Транзистор MOSFET N-канальный, 300 В, сопротивление канала 24 мОм, мощность 700 Вт, корпу…
- IXFN180N25T — Транзистор MOSFET N-канальный, 250 В, сопротивление канала 12,9 мОм, корпус SOT-227B
- IXFN360N10T — Транзистор MOSFET N-канальный, 100 В, сопротивление канала 2,6 мОм, мощность 830 Вт, корп…
- IXFN40N110Q3 — Транзистор MOSFET N-канальный, 1100 В, 35 А, корпус SOT-227B
- IXFN420N10T — Транзистор MOSFET N-канальный HiPerFET с траншейным затвором, серия Gen1, диапазон 55-300…
- IXFN66N85X — Транзистор MOSFET N-канальный, 850 В, ток 65 А, мощность 830 Вт, корпус SOT-227B
- IRLML2803GTRPBF — Транзистор MOSFET N-канальный HEXFET, 30 В, ток 1,2 А, корпус MICRO3