IXFN132N50P3 — купить, цена, наличие
| Наименование: | IXFN132N50P3 |
| Производитель: | Littelfuse |
| Категория: | Полевые МОП-транзисторы |
| Артикул: | 007937 |
| Наличие: | Под заказ · авиа 1–3 раза/нед. |
Транзистор MOSFET N-канальный, 500 В, мощность 1500 Вт, заряд затвора 267 нКл, корпус SOT-227
Полевой транзистор IXFN132N50P3 производства компании Littelfuse представляет собой N-канальный MOSFET с рабочим напряжением до 500 В и максимальной мощностью рассеяния 1500 Вт. Корпус типа SOT-227 обеспечивает компактные габариты и хорошую теплопроводность. Заряд затвора составляет 267 нКл, что влияет на скорость переключения и потери энергии в режиме коммутации.
При подборе аналога или замене данного компонента важно учитывать рабочее напряжение и мощность рассеяния, чтобы обеспечить надежную работу устройства. Также необходимо обращать внимание на заряд затвора, так как он определяет динамические характеристики и энергопотребление схемы. Кроме того, следует учитывать размеры и тип корпуса, совместимость с имеющейся печатной платой и методы охлаждения.
| Корпус | SOT-227-4 |
| China RoHS | Соответствует |
| Постоянный ток стока (ID) | 112 A |
| Напряжение пробоя сток-исток | 500 V |
| Сопротивление сток-исток | 39 mΩ |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 500 V |
| Конфигурация элементов | Одиночный |
| Время спада | 8 ns |
| Напряжение затвор-исток (Vgs) | 30 V |
| Высота | 9.6 mm |
| Входная ёмкость | 18.6 nF |
| Дата выпуска | 2011-03-23 |
| Без свинца | Без свинца |
| Длина | 38.23 mm |
| Статус жизненного цикла | Производится |
| Макс. рабочая температура | 150 °C |
| Максимальная рассеиваемая мощность | 1.5 kW |
| Мин. напряжение пробоя | 500 V |
| Мин. рабочая температура | -55 °C |
| Тип монтажа | Chassis Mount, Panel |
| Число элементов | 1 |
| Число выводов | 4 |
| Рассеиваемая мощность | 1.5 kW |
| Rds(on) макс. | 39 mΩ |
| REACH SVHC | Нет |
| Сопротивление | 39 mΩ |
| Время обратного восстановления | 250 ns |
| Время нарастания | 9 ns |
| RoHS | Соответствует |
| Время задержки выключения | 72 ns |
| Время задержки включения | 44 ns |
| Ширина | 25.07 mm |
| Документ | Скачать | |
| Информационный лист | Скачать (7 стр.) | |
| Информационный лист | Скачать (6 стр.) | |
| Информационный лист | Скачать (5 стр.) |
Похожие товары — Полевые МОП-транзисторы
- IXFN110N85X — Транзистор MOSFET N-канальный, 850 В, ток 110 А, корпус SOT-227B
- IXFN140N30P — Транзистор MOSFET N-канальный, 300 В, сопротивление канала 24 мОм, мощность 700 Вт, корпу…
- IXFN180N25T — Транзистор MOSFET N-канальный, 250 В, сопротивление канала 12,9 мОм, корпус SOT-227B
- IXFN20N120P — Транзистор MOSFET N-канальный, 1200 В, ток 20 А, мощность 595 Вт, корпус SOT-227B
- IXFN210N20P — Транзистор MOSFET N-канальный HyPerFET, 200 В, мощность 1070 Вт, заряд затвора 255 нКл, к…
- IXFN210N30P3 — Транзистор MOSFET N-канальный, ток 192 А, корпус SOT-227B
- IXFN210N30X3 — Транзистор MOSFET N-канальный, 300 В, ток 210 А, корпус SOT-227B (miniBLOC)
- IXFN360N10T — Транзистор MOSFET N-канальный, 100 В, сопротивление канала 2,6 мОм, мощность 830 Вт, корп…
- IXFN40N110Q3 — Транзистор MOSFET N-канальный, 1100 В, 35 А, корпус SOT-227B
- IXFN420N10T — Транзистор MOSFET N-канальный HiPerFET с траншейным затвором, серия Gen1, диапазон 55-300…
- IXFN66N85X — Транзистор MOSFET N-канальный, 850 В, ток 65 А, мощность 830 Вт, корпус SOT-227B
- IRF640STRRPBF — Транзистор MOSFET N-канальный, 200 В, сопротивление канала 0,18 Ом, корпус D2PAK-3