IXFN210N30X3 — купить, цена, наличие
| Наименование: | IXFN210N30X3 |
| Производитель: | Littelfuse |
| Категория: | Полевые МОП-транзисторы |
| Артикул: | 007940 |
| Наличие: | Под заказ · авиа 1–3 раза/нед. |
Транзистор MOSFET N-канальный, 300 В, ток 210 А, корпус SOT-227B (miniBLOC)
N-канальный MOSFET IXFN210N30X3 производства компании Littelfuse характеризуется высоким рабочим напряжением до 300 В и максимально допустимым током 210 А. Компонент выполнен в корпусе SOT-227B (miniBLOC), обеспечивающем компактные габариты и хорошую теплопроводность.
Этот транзистор предназначен для работы в мощных импульсных источниках питания, инверторах, зарядных устройствах и других высоконагруженных схемах. Он позволяет эффективно управлять большими мощностями, минимизируя потери на переключение и обеспечивая высокую энергоэффективность. При расчёте схемы необходимо учитывать такие параметры, как сопротивление канала в открытом состоянии, время переключения и тепловое сопротивление корпуса, чтобы обеспечить стабильную работу устройства в заданных условиях.
| Постоянный ток стока (ID) | 210 A |
| Сопротивление сток-исток | 4.6 mΩ |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 300 V |
| Дата выпуска | 2017-12-21 |
| Статус жизненного цикла | Производится |
| Макс. рабочая температура | 150 °C |
| Максимальная рассеиваемая мощность | 695 W |
| Мин. напряжение пробоя | 300 V |
| Мин. рабочая температура | -55 °C |
| Число элементов | 1 |
| Число выводов | 4 |
| Рассеиваемая мощность | 695 W |
| Rds(on) макс. | 4.6 mΩ |
| REACH SVHC | Нет |
| Время обратного восстановления | 190 ns |
| RoHS | Соответствует |
| Документ | Скачать | |
| Информационный лист | Скачать (7 стр.) | |
| Информационный лист | Скачать (5 стр.) | |
| Информационный лист | Скачать (6 стр.) | |
| Информационный лист | Скачать (2 стр.) |
Похожие товары — Полевые МОП-транзисторы
- IXFN210N30P3 — Транзистор MOSFET N-канальный, ток 192 А, корпус SOT-227B
- IXFN210N20P — Транзистор MOSFET N-канальный HyPerFET, 200 В, мощность 1070 Вт, заряд затвора 255 нКл, к…
- IXFN20N120P — Транзистор MOSFET N-канальный, 1200 В, ток 20 А, мощность 595 Вт, корпус SOT-227B
- IXFN110N85X — Транзистор MOSFET N-канальный, 850 В, ток 110 А, корпус SOT-227B
- IXFN132N50P3 — Транзистор MOSFET N-канальный, 500 В, мощность 1500 Вт, заряд затвора 267 нКл, корпус SOT…
- IXFN140N30P — Транзистор MOSFET N-канальный, 300 В, сопротивление канала 24 мОм, мощность 700 Вт, корпу…
- IXFN180N25T — Транзистор MOSFET N-канальный, 250 В, сопротивление канала 12,9 мОм, корпус SOT-227B
- IXFN360N10T — Транзистор MOSFET N-канальный, 100 В, сопротивление канала 2,6 мОм, мощность 830 Вт, корп…
- IXFN40N110Q3 — Транзистор MOSFET N-канальный, 1100 В, 35 А, корпус SOT-227B
- IXFN420N10T — Транзистор MOSFET N-канальный HiPerFET с траншейным затвором, серия Gen1, диапазон 55-300…
- IXFN66N85X — Транзистор MOSFET N-канальный, 850 В, ток 65 А, мощность 830 Вт, корпус SOT-227B
- XP232P0501TR-G — P-канальный MOSFET TOREX XP232P, напряжение 30 В, ток 0.45 А, корпус SOT-23-3, лента