IXFN66N85X — купить, цена, наличие
| Наименование: | IXFN66N85X |
| Производитель: | Littelfuse |
| Категория: | Полевые МОП-транзисторы |
| Артикул: | 007939 |
| Наличие: | Под заказ · авиа 1–3 раза/нед. |
Транзистор MOSFET N-канальный, 850 В, ток 65 А, мощность 830 Вт, корпус SOT-227B
IXFN66N85X – это мощный N-канальный полевой транзистор типа MOSFET с рабочим напряжением до 850 В, рассчитанный на ток до 65 А и рассеиваемую мощность до 830 Вт. Корпус SOT-227B обеспечивает эффективное охлаждение и возможность применения в устройствах с высокими тепловыми нагрузками.
В реальных условиях эксплуатации данный транзистор демонстрирует стабильные рабочие характеристики, однако стоит учитывать, что при длительной работе с высокими токами и напряжениями возможен заметный нагрев корпуса. Это требует обеспечения эффективного теплоотвода и соблюдения рекомендаций производителя по монтажу и эксплуатации. Также необходимо помнить, что со временем может происходить постепенная деградация параметров транзистора, особенно при неблагоприятных условиях эксплуатации, таких как повышенная температура или частые перегрузки.
| Корпус | SOT-227-4 |
| Постоянный ток стока (ID) | 65 A |
| Сопротивление сток-исток | 65 mΩ |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 850 V |
| Входная ёмкость | 8.9 nF |
| Дата выпуска | 2018-09-14 |
| Статус жизненного цикла | Производится |
| Макс. рабочая температура | 150 °C |
| Максимальная рассеиваемая мощность | 830 W |
| Мин. напряжение пробоя | 850 V |
| Мин. рабочая температура | -55 °C |
| Тип монтажа | Монтаж на шасси |
| Число элементов | 1 |
| Число выводов | 4 |
| Рассеиваемая мощность | 830 W |
| Rds(on) макс. | 65 mΩ |
| REACH SVHC | Нет |
| Время обратного восстановления | 250 ns |
| RoHS | Соответствует |
| Документ | Скачать | |
| Информационный лист | Скачать (6 стр.) | |
| Информационный лист | Скачать (5 стр.) |
Похожие товары — Полевые МОП-транзисторы
- IXFN110N85X — Транзистор MOSFET N-канальный, 850 В, ток 110 А, корпус SOT-227B
- IXFN132N50P3 — Транзистор MOSFET N-канальный, 500 В, мощность 1500 Вт, заряд затвора 267 нКл, корпус SOT…
- IXFN140N30P — Транзистор MOSFET N-канальный, 300 В, сопротивление канала 24 мОм, мощность 700 Вт, корпу…
- IXFN180N25T — Транзистор MOSFET N-канальный, 250 В, сопротивление канала 12,9 мОм, корпус SOT-227B
- IXFN20N120P — Транзистор MOSFET N-канальный, 1200 В, ток 20 А, мощность 595 Вт, корпус SOT-227B
- IXFN210N20P — Транзистор MOSFET N-канальный HyPerFET, 200 В, мощность 1070 Вт, заряд затвора 255 нКл, к…
- IXFN210N30P3 — Транзистор MOSFET N-канальный, ток 192 А, корпус SOT-227B
- IXFN210N30X3 — Транзистор MOSFET N-канальный, 300 В, ток 210 А, корпус SOT-227B (miniBLOC)
- IXFN360N10T — Транзистор MOSFET N-канальный, 100 В, сопротивление канала 2,6 мОм, мощность 830 Вт, корп…
- IXFN40N110Q3 — Транзистор MOSFET N-канальный, 1100 В, 35 А, корпус SOT-227B
- IXFN420N10T — Транзистор MOSFET N-канальный HiPerFET с траншейным затвором, серия Gen1, диапазон 55-300…
- DMG4496SSS-13 — N-канальный MOSFET, 30 В, сопротивление канала 29 мОм, заряд затвора 4,7 нКл, мощность 1,…