IXFN360N10T — купить, цена, наличие
| Наименование: | IXFN360N10T |
| Производитель: | Littelfuse |
| Категория: | Полевые МОП-транзисторы |
| Артикул: | 007927 |
| Наличие: | Под заказ · авиа 1–3 раза/нед. |
Транзистор MOSFET N-канальный, 100 В, сопротивление канала 2,6 мОм, мощность 830 Вт, корпус SOT-227B
IXFN360N10T — мощный полевой транзистор с изолированным затвором (MOSFET) N-канального типа, предназначенный для работы в цепях с напряжением до 100 В. Низкое сопротивление открытого канала (2,6 мОм) обеспечивает минимальные потери мощности, а высокий допустимый рассеиваемый ток (830 Вт) позволяет использовать транзистор в мощных схемах. Корпус SOT-227B оптимизирован для эффективного отвода тепла и упрощает монтаж.
При подборе аналога важно учитывать напряжение сток-исток, сопротивление открытого канала и допустимую мощность рассеяния. Аналогичный корпус SOT-227B облегчит замену, но при изменении корпуса потребуется корректировка печатной платы и системы охлаждения. Также стоит проверить совместимость по параметрам управления (напряжение и ток затвора).
| Корпус | SOT-227-4 |
| China RoHS | Соответствует |
| Покрытие контакта | Никель |
| Постоянный ток стока (ID) | 360 A |
| Сопротивление сток-исток | 2.6 mΩ |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 100 V |
| Конфигурация элементов | Одиночный |
| Время спада | 160 ns |
| Напряжение затвор-исток (Vgs) | 20 V |
| Входная ёмкость | 36 nF |
| Дата выпуска | 2009-02-02 |
| Без свинца | Без свинца |
| Статус жизненного цикла | Производится |
| Макс. рабочая температура | 175 °C |
| Максимальная рассеиваемая мощность | 830 W |
| Мин. напряжение пробоя | 100 V |
| Мин. рабочая температура | -55 °C |
| Тип монтажа | Chassis Mount, Screw |
| Число элементов | 1 |
| Число выводов | 4 |
| Рассеиваемая мощность | 830 W |
| Радиационная стойкость | Нет |
| Rds(on) макс. | 2.6 mΩ |
| REACH SVHC | Нет |
| Сопротивление | 2.6 MΩ |
| Время нарастания | 100 ns |
| RoHS | Соответствует |
| Время задержки выключения | 80 ns |
| Документ | Скачать | |
| Информационный лист | Скачать (7 стр.) | |
| Информационный лист | Скачать (6 стр.) | |
| Информационный лист | Скачать (5 стр.) |
Похожие товары — Полевые МОП-транзисторы
- IXFN110N85X — Транзистор MOSFET N-канальный, 850 В, ток 110 А, корпус SOT-227B
- IXFN132N50P3 — Транзистор MOSFET N-канальный, 500 В, мощность 1500 Вт, заряд затвора 267 нКл, корпус SOT…
- IXFN140N30P — Транзистор MOSFET N-канальный, 300 В, сопротивление канала 24 мОм, мощность 700 Вт, корпу…
- IXFN180N25T — Транзистор MOSFET N-канальный, 250 В, сопротивление канала 12,9 мОм, корпус SOT-227B
- IXFN20N120P — Транзистор MOSFET N-канальный, 1200 В, ток 20 А, мощность 595 Вт, корпус SOT-227B
- IXFN210N20P — Транзистор MOSFET N-канальный HyPerFET, 200 В, мощность 1070 Вт, заряд затвора 255 нКл, к…
- IXFN210N30P3 — Транзистор MOSFET N-канальный, ток 192 А, корпус SOT-227B
- IXFN210N30X3 — Транзистор MOSFET N-канальный, 300 В, ток 210 А, корпус SOT-227B (miniBLOC)
- IXFN40N110Q3 — Транзистор MOSFET N-канальный, 1100 В, 35 А, корпус SOT-227B
- IXFN420N10T — Транзистор MOSFET N-канальный HiPerFET с траншейным затвором, серия Gen1, диапазон 55-300…
- IXFN66N85X — Транзистор MOSFET N-канальный, 850 В, ток 65 А, мощность 830 Вт, корпус SOT-227B
- CSD86330Q3D — Сдвоенный N-канальный MOSFET, 20 А, 25 В, сопротивление 4,6 мОм, корпус SON.