JCS10N65FT-R-F-N-B-VB — купить, цена, наличие
| Наименование: | JCS10N65FT-R-F-N-B-VB |
| Производитель: | VBsemi |
| Категория: | Полевые МОП-транзисторы |
| Артикул: | 011629 |
| Наличие: | Под заказ · авиа 1–3 раза/нед. |
N-канальный силовой MOSFET, напряжение 650 В, ток 10 А, сопротивление канала 830 мОм при 10 В, корпус TO-220F
Это N-канальный силовой полевой транзистор MOSFET производства компании VBsemi. Он предназначен для работы в цепях с высоким напряжением до 650 В и способен пропускать ток до 10 А. Сопротивление открытого канала составляет 830 мОм при напряжении затвора 10 В. Корпус устройства выполнен в стандартном исполнении TO-220F, обеспечивающем надёжное крепление и эффективное охлаждение.
Конструкция корпуса TO-220F обеспечивает хорошую устойчивость к механическим воздействиям, таким как вибрации, и защищает внутренние элементы от внешних воздействий, включая повышенную влажность. Благодаря высокому рабочему напряжению и низкому сопротивлению канала, данный транзистор подходит для использования в мощных импульсных источниках питания, инверторах и других силовых электронных устройствах.
| Сопротивление сток-исток | 830 mΩ |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 650 V |
| Документ | Скачать | |
| Информационный лист | Скачать (8 стр.) |
Позиция есть у 3 поставщиков на мировых складах. Актуальные цены, остатки и сроки — проверить по партномеру.
Похожие товары — Полевые МОП-транзисторы
- JCS10N65FT-O-F-N-B-VB — JCS10N65FT-O-F-N-B-VB
- JCS10N65FT-VB — JCS10N65FT-VB
- JCS10N65CT-O-C-N-B-VB — JCS10N65CT-O-C-N-B-VB
- JCS10N60CT-O-C-N-B-VB — JCS10N60CT-O-C-N-B-VB
- JCS10N60FT-O-F-N-B-VB — JCS10N60FT-O-F-N-B-VB
- JCS10N60FT-VB — JCS10N60FT-VB
- JCS10N60T-VB — JCS10N60T-VB
- IRF640SPBF — IRF640SPBF
- IRF640STRLPBF — IRF640STRLPBF
- IRF640STRLPBF-VB — IRF640STRLPBF-VB
- IRF640STRRPBF — IRF640STRRPBF
- IRF6646TR1 — Infineon IRF6646TR1