JCS10N60FT-VB — купить, цена, наличие
| Наименование: | JCS10N60FT-VB |
| Производитель: | VBsemi |
| Категория: | Полевые МОП-транзисторы |
| Артикул: | 011627 |
| Наличие: | Под заказ · авиа 1–3 раза/нед. |
N-канальный силовой MOSFET VBsemi, напряжение 650 В, ток 12 А, сопротивление канала 680 мОм при 10 В
VBsemi JCS10N60FT-VB представляет собой N-канальный силовой MOSFET, предназначенный для работы с высокими напряжениями до 650 В и токами до 12 А. Компонент характеризуется низким сопротивлением открытого канала — 680 мОм при напряжении затвора 10 В, что способствует снижению потерь мощности и повышению эффективности работы устройств.
В реальных условиях эксплуатации данный транзистор демонстрирует умеренный нагрев при номинальных режимах работы, что позволяет использовать его в схемах без дополнительного охлаждения или с минимальными радиаторами. С течением времени и в процессе эксплуатации возможны незначительные изменения параметров, такие как увеличение сопротивления канала и снижение максимального тока, однако эти изменения обычно находятся в пределах допустимых норм для большинства применений.
| Характеристики не указаны. |
| Документ | Скачать | |
| Документация по этому компоненту пока не загружена. | ||
Похожие товары — Полевые МОП-транзисторы
- JCS10N60FT-O-F-N-B-VB — N-канальный силовой MOSFET, напряжение 650 В, ток 12 А, сопротивление канала 680 мОм при…
- JCS10N60CT-O-C-N-B-VB — N-канальный силовой MOSFET VBsemi, напряжение 650 В, ток 12 А, сопротивление канала 800 м…
- JCS10N60T-VB — N-канальный силовой MOSFET VBsemi, напряжение 650 В, ток 12 А, сопротивление канала 680 м…
- JCS10N65CT-O-C-N-B-VB — N-канальный силовой MOSFET VBsemi, напряжение 650 В, ток 12 А, сопротивление канала 800 м…
- JCS10N65FT-O-F-N-B-VB — N-канальный силовой MOSFET VBsemi, напряжение 650 В, ток 10 А, сопротивление канала 830 м…
- JCS10N65FT-R-F-N-B-VB — N-канальный силовой MOSFET, напряжение 650 В, ток 10 А, сопротивление канала 830 мОм при…
- JCS10N65FT-VB — N-канальный силовой MOSFET VBsemi, напряжение 650 В, ток 10 А, сопротивление канала 830 м…
- IRL640S — Транзистор MOSFET N-канальный HEXFET, 200 В, ток 17 А, корпус D2PAK, Vishay
- IRL640S-VB — N-канальный силовой MOSFET VBsemi, напряжение 200 В, ток 40 А, сопротивление канала 48 мО…
- IRL640SPBF — Транзистор MOSFET N-канальный, 200 В, сопротивление канала 0,18 Ом, корпус D2PAK-3, Vishay
- IRL640STRLPBF — Транзистор MOSFET N-канальный, 200 В, сопротивление канала 0,18 Ом, корпус D2PAK-3
- IRL640STRLPBF-JSM — МОП-транзистор (MOSFET) IRL640STRLPBF, JSMICRO, N-канал, RoHS