JCS10N65FT-O-F-N-B-VB — купить, цена, наличие
| Наименование: | JCS10N65FT-O-F-N-B-VB |
| Производитель: | VBsemi |
| Категория: | Полевые МОП-транзисторы |
| Артикул: | 011631 |
| Наличие: | Под заказ · авиа 1–3 раза/нед. |
N-канальный силовой MOSFET VBsemi, напряжение 650 В, ток 10 А, сопротивление канала 830 мОм при 10 В
VBsemi выпускает N-канальный силовой MOSFET JCS10N65FT-O-F-N-B-VB, рассчитанный на работу с напряжением до 650 В и максимальным током стока 10 А. Сопротивление открытого канала составляет 830 мОм при напряжении затвора 10 В, что обеспечивает эффективное управление нагрузкой и низкое энергопотребление.
Рекомендуется использовать данный транзистор в схемах с высокими требованиями к напряжению питания и нагрузочным токам. При проектировании печатной платы особое внимание уделите качественной трассировке силовых дорожек, обеспечив достаточную ширину для предотвращения перегрева и снижения падения напряжения. Также стоит предусмотреть эффективный теплоотвод, учитывая тепловыделение при работе с высокими нагрузками.
| Характеристики не указаны. |
| Документ | Скачать | |
| Документация по этому компоненту пока не загружена. | ||
Похожие товары — Полевые МОП-транзисторы
- JCS10N65FT-R-F-N-B-VB — N-канальный силовой MOSFET, напряжение 650 В, ток 10 А, сопротивление канала 830 мОм при…
- JCS10N65FT-VB — N-канальный силовой MOSFET VBsemi, напряжение 650 В, ток 10 А, сопротивление канала 830 м…
- JCS10N65CT-O-C-N-B-VB — N-канальный силовой MOSFET VBsemi, напряжение 650 В, ток 12 А, сопротивление канала 800 м…
- JCS10N60CT-O-C-N-B-VB — N-канальный силовой MOSFET VBsemi, напряжение 650 В, ток 12 А, сопротивление канала 800 м…
- JCS10N60FT-O-F-N-B-VB — N-канальный силовой MOSFET, напряжение 650 В, ток 12 А, сопротивление канала 680 мОм при…
- JCS10N60FT-VB — N-канальный силовой MOSFET VBsemi, напряжение 650 В, ток 12 А, сопротивление канала 680 м…
- JCS10N60T-VB — N-канальный силовой MOSFET VBsemi, напряжение 650 В, ток 12 А, сопротивление канала 680 м…
- IRLML2803GTRPBF — Транзистор MOSFET N-канальный HEXFET, 30 В, ток 1,2 А, корпус MICRO3
- IRLML2803PBF — Транзистор MOSFET N-канальный, мощность 540 мВт, диапазон -55...+150°C, корпус SOT-23
- IRLML2803TR — Транзистор MOSFET N-канальный HEXFET, 30 В, корпус Micro3
- IRLML2803TRHR — Транзистор MOSFET N-канальный, 30 В, ток 1,2 А, корпус SOT-23
- IRLML2803TRPBF — Транзистор MOSFET N-канальный, 30 В, ток 1,2 А, сопротивление канала 0,25 Ом, корпус MICR…