IRF540NSTRRPBF — купить, цена, наличие
| Наименование: | IRF540NSTRRPBF |
| Производитель: | Infineon |
| Категория: | Полевые МОП-транзисторы |
| Артикул: | 008630 |
| Наличие: | Под заказ · авиа 1–3 раза/нед. |
Транзистор MOSFET N-канальный, 100 В, ток 33 А, сопротивление канала 44 мОм, корпус D2PAK
IRF540NSTRRPBF — мощный N-канальный полевой транзистор типа MOSFET, рассчитанный на напряжение до 100 В и ток до 33 А. Сопротивление открытого канала составляет всего 44 мОм, что обеспечивает низкое падение напряжения и минимальные потери на нагрев. Корпус D2PAK позволяет эффективно отводить тепло и упрощает монтаж в силовые узлы.
При проектировании печатной платы рекомендуется уделять особое внимание трассировке питания и земли. Широкие проводники обеспечат низкое сопротивление и уменьшат паразитные индуктивности, что особенно важно при работе с большими токами. Также стоит предусмотреть хороший теплоотвод, так как эффективное охлаждение является залогом стабильной работы транзистора в мощных схемах.
| Корпус | D2PAK |
| China RoHS | Не соответствует |
| Покрытие контакта | Олово |
| Постоянный ток стока (ID) | 33 A |
| Номинальный ток | 33 A |
| Напряжение пробоя сток-исток | 100 V |
| Сопротивление сток-исток | 44 mΩ |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 100 V |
| Конфигурация элементов | Одиночный |
| Время спада | 35 ns |
| Напряжение затвор-исток (Vgs) | 20 V |
| Высота | 5.084 mm |
| Входная ёмкость | 1.96 nF |
| Дата выпуска | 1996-04-01 |
| Без свинца | Без свинца |
| Длина | 10.668 mm |
| Статус жизненного цикла | Снят с производства |
| Дата последней закупки (LTB) | 2022-10-15 |
| Дата последней поставки (LTD) | 2023-04-15 |
| Максимальная температура перехода | 175 °C |
| Максимальная рабочая температура | 175 °C |
| Максимальная рассеиваемая мощность | 130 W |
| Мин. напряжение пробоя | 100 V |
| Минимальная рабочая температура | -55 °C |
| Тип монтажа | Поверхностный монтаж (SMD) |
| Номинальное Vgs | 4 V |
| Количество каналов | 1 |
| Число элементов | 1 |
| Число выводов | 3 |
| Число выводов | 2 |
| Сопротивление в открытом состоянии | 44 mΩ |
| Количество в упаковке | 800 |
| Рассеиваемая мощность | 3.8 W |
| Радиационное упрочнение | Нет |
| Rds(on) макс. | 8.4 mΩ |
| REACH SVHC | Нет |
| Время нарастания | 35 ns |
| RoHS | Соответствует |
| Код Schedule B | 8541290080 |
| Пороговое напряжение | 4 V |
| Время задержки выключения | 39 ns |
| Время задержки включения | 11 ns |
| Номинальное напряжение (DC) | 100 V |
| Ширина | 9.65 mm |
| Документ | Скачать | |
| Информационный лист | Скачать (11 стр.) | |
| Информационный лист | Скачать (12 стр.) | |
| Информационный лист | Скачать (4 стр.) | |
| Информационный лист | Скачать (10 стр.) | |
| Conflict Mineral Statement | Скачать |
Позиция есть у 22 поставщиков на мировых складах. Актуальные цены, остатки и сроки — проверить по партномеру.
Похожие товары — Полевые МОП-транзисторы
- IRF540NSTRRPB — МОП-транзистор (MOSFET) IRF540NSTRRPB, N-канал
- IRF540NSTRRPBF-VB — N-канальный MOSFET IRF540N VBsemi, одноканальный, корпус TO263
- IRF540NSTRL — МОП-транзистор (MOSFET) IRF540N, UMW, N-канал, корпус TO-220, лента
- IRF540NSTRL(UMW) — МОП-транзистор (MOSFET) IRF540NS, UMW, N-канал, корпус TO-220, лента
- IRF540NSTRLPB — МОП-транзистор (MOSFET) IRF540NSTRLPB, N-канал
- IRF540NSTRLPBF — Транзистор MOSFET N-канальный, 100 В, ток 33 А, корпус D2PAK
- IRF540NSTRLPBF транзистор — МОП-транзистор (MOSFET) IRF540NSTRL, N-канал, лента
- IRF540NSTRLPBF-OSEN — МОП-транзистор (MOSFET) IRF540NSTRLPBF, N-канал, лента, RoHS
- IRF540NSTRLPBF-VB — N-канальный MOSFET (trench) IRF540N VBsemi, напряжение 100 В, ток 45 А, сопротивление кан…
- IRF540NSTRPBF — Силовой полевой транзистор IRF540N VBsemi, ток 33 А, напряжение 100 В, сопротивление кана…
- IRF540NSTRPBF-JSM — МОП-транзистор (MOSFET) IRF540NS, JSMICRO, N-канал, лента, RoHS
- IRF540NSTRPBF-VB — Транзистор MOSFET N-канальный, 100 В, ток 45 А, сопротивление канала 32 мОм, корпус TO-263