JCS10N65FT-VB — купить, цена, наличие
| Наименование: | JCS10N65FT-VB |
| Производитель: | VBsemi |
| Категория: | Полевые МОП-транзисторы |
| Артикул: | 011625 |
| Наличие: | Под заказ · авиа 1–3 раза/нед. |
N-канальный силовой MOSFET VBsemi, напряжение 650 В, ток 10 А, сопротивление канала 830 мОм при 10 В
N-канальный силовой MOSFET JCS10N65FT-VB производства компании VBsemi предназначен для управления мощными электрическими нагрузками. Характеристики транзистора включают максимальное рабочее напряжение 650 В и номинальный ток 10 А. Сопротивление открытого канала составляет 830 мОм при напряжении затвора 10 В, что обеспечивает эффективное управление нагрузкой и низкий уровень тепловыделения.
При подборе аналога необходимо обратить внимание на следующие ключевые параметры: максимальное напряжение сток-исток, ток стока и сопротивление открытого канала. Также важно учитывать тип корпуса и рекомендуемые условия эксплуатации, такие как температура окружающей среды и допустимая мощность рассеивания. Не менее значимо соответствие электрических характеристик аналога исходному компоненту, чтобы обеспечить корректную работу схемы и избежать перегрева.
| Характеристики не указаны. |
| Документ | Скачать | |
| Документация по этому компоненту пока не загружена. | ||
Похожие товары — Полевые МОП-транзисторы
- JCS10N65FT-O-F-N-B-VB — N-канальный силовой MOSFET VBsemi, напряжение 650 В, ток 10 А, сопротивление канала 830 м…
- JCS10N65FT-R-F-N-B-VB — N-канальный силовой MOSFET, напряжение 650 В, ток 10 А, сопротивление канала 830 мОм при…
- JCS10N65CT-O-C-N-B-VB — N-канальный силовой MOSFET VBsemi, напряжение 650 В, ток 12 А, сопротивление канала 800 м…
- JCS10N60CT-O-C-N-B-VB — N-канальный силовой MOSFET VBsemi, напряжение 650 В, ток 12 А, сопротивление канала 800 м…
- JCS10N60FT-O-F-N-B-VB — N-канальный силовой MOSFET, напряжение 650 В, ток 12 А, сопротивление канала 680 мОм при…
- JCS10N60FT-VB — N-канальный силовой MOSFET VBsemi, напряжение 650 В, ток 12 А, сопротивление канала 680 м…
- JCS10N60T-VB — N-канальный силовой MOSFET VBsemi, напряжение 650 В, ток 12 А, сопротивление канала 680 м…
- AO4629 — Сдвоенный MOSFET N/P-канал, 30 В, ток 6/5,5 А, корпус SOIC-8.
- AO6800-HXY — МОП-транзистор (MOSFET) AO6800, HXY MOSFET, N-канал
- APT5010JVR — N-канальный силовой MOSFET, 500 В, ток 44 А, корпус SOT-227, туба.
- AUIRF540Z — N-канальный силовой MOSFET Infineon HEXFET AUIRF540Z, автомобильный (Q101), 100 В, корпус…
- AUIRF540Z-VB — N-канальный автомобильный MOSFET AUIRF540Z VBsemi, напряжение 100 В, ток 70 А, сопротивле…