FDS5670 — купить, цена, наличие
| Наименование: | FDS5670 |
| Производитель: | onsemi |
| Категория: | Полевые МОП-транзисторы |
| Артикул: | 012564 |
| Наличие: | Под заказ · авиа 1–3 раза/нед. |
Транзистор MOSFET N-канальный PowerTrench, 60 В, ток 10 А, сопротивление канала 14 мОм
Полевой транзистор FDS5670 производства компании onsemi относится к категории мощных N-канальных MOSFET с технологией PowerTrench. Он предназначен для работы в цепях с напряжением до 60 В и способен пропускать постоянный ток до 10 А. Сопротивление открытого канала составляет всего 14 мОм, что минимизирует потери и нагрев при работе с высокими токами.
В эксплуатации данный транзистор демонстрирует хорошие показатели по тепловыделению благодаря низкому сопротивлению канала. С течением времени и при повышенных температурах возможны незначительные изменения параметров, такие как увеличение сопротивления канала и снижение пробивного напряжения. Однако технология PowerTrench обеспечивает высокую устойчивость к электростатическим разрядам и хорошую стабильность характеристик в течение длительного срока службы.
| Корпус | SOIC |
| China RoHS | Соответствует |
| Покрытие контакта | Олово |
| Постоянный ток стока (ID) | 10 A |
| Ток | 10 A |
| Номинальный ток | 10 A |
| Напряжение пробоя сток-исток | 60 V |
| Сопротивление сток-исток | 14 mΩ |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 60 V |
| Двухполярное напряжение питания | 60 V |
| Время спада | 23 ns |
| Напряжение затвор-исток (Vgs) | 20 V |
| Высота | 1.75 mm |
| Входная ёмкость | 2.9 nF |
| Дата выпуска | 1999-08-01 |
| Без свинца | Без свинца |
| Длина | 5 mm |
| Статус жизненного цикла | Производится |
| Статус жизненного цикла производителя | Активен |
| Максимальная температура перехода | 150 °C |
| Макс. рабочая температура | 150 °C |
| Максимальная рассеиваемая мощность | 2.5 W |
| Мин. напряжение пробоя | 60 V |
| Мин. рабочая температура | -55 °C |
| Тип монтажа | Поверхностный монтаж (SMD) |
| Номинальное Vgs | 2.4 V |
| Количество каналов | 1 |
| Число элементов | 1 |
| Число выводов | 8 |
| Упаковка | Отрезок ленты |
| Рассеиваемая мощность | 2.5 W |
| Радиационная стойкость | Нет |
| Rds(on) макс. | 14 mΩ |
| REACH SVHC | Да |
| Сопротивление | 14 MΩ |
| Время нарастания | 10 ns |
| RoHS | Соответствует |
| Код Schedule B | 8541290080 |
| Пороговое напряжение | 2.4 V |
| Время задержки выключения | 50 ns |
| Время задержки включения | 16 ns |
| Напряжение | 60 V |
| Номинальное напряжение (DC) | 60 V |
| Ширина | 4 mm |
| Документ | Скачать | |
| Информационный лист | Скачать (6 стр.) | |
| Информационный лист | Скачать (5 стр.) | |
| Информационный лист | Скачать | |
| Информационный лист | Скачать (8 стр.) | |
| Технический чертеж | Скачать (1 стр.) | |
| Информационный лист | Скачать (11 стр.) |
Похожие товары — Полевые МОП-транзисторы
- IRF3205STRRPBF — Транзистор MOSFET N-канальный, 55 В, сопротивление канала 8 мОм, ток 110 А, мощность 200…
- IRF4905PBF — Транзистор MOSFET P-канальный, -55 В, сопротивление канала 0,02 Ом, ток -74 А, мощность 2…
- IRF540 — Транзистор MOSFET N-канальный IRF540, 100 В, ток 22 А, корпус TO-220
- IRF540A — N-канальный силовой MOSFET onsemi IRF540A, 100 В, ток 28 А, корпус TO-220AB
- IRF540APBF — МОП-транзистор (MOSFET) IRF540A, JSMICRO, N-канал, корпус TO-220, RoHS
- IRF540APBF-JSM — МОП-транзистор (MOSFET) IRF540A, JSMICRO, N-канал, RoHS
- IRF540APBF-VB — N-канальный MOSFET IRF540A VBsemi, напряжение 100 В, ток 55 А, сопротивление канала 36 мО…
- IRF540FI — Транзистор MOSFET N-канальный, 100 В, сопротивление канала 0,5 Ом, ток 30 А, корпус TO-22…
- IRF540FI-JSM — МОП-транзистор (MOSFET) IRF540FI, JSMICRO, N-канал
- IRF540FI-VB — N-канальный MOSFET IRF540FI VBsemi, напряжение 100 В, ток 50 А, сопротивление канала 40 м…
- IRF540N — Транзистор MOSFET N-канальный IRF540N, корпус TO-220AB
- IRF540N-HXY — МОП-транзистор (MOSFET) IRF540N, HXY MOSFET, N-канал, корпус TO-220